半导体
技术参数
切换应用程序。
接口电路和驱动电路中的应用
特点
凭借内置的偏置电阻器。
减少零件和制造工艺的数量。
A1
KRA736E~KRA742E
外延平面PNP晶体管
B
B1
简化电路设计。
A
C
1
6
5
2
3
4
等效电路
OUT
R1
R2
BIAS的电阻值
型号
KRA736E
R1(k
1
2.2
2.2
4.7
10
47
100
)
R2(k
10
2.2
10
10
4.7
10
100
1.
2.
3.
4.
5.
6.
P
P
暗淡
A
A1
B
B1
C
D
H
J
P
MILLIMETERS
_
1.6 + 0.05
_
1.0 + 0.05
_ 0.05
1.6 +
_
1.2 + 0.05
0.50
_
0.2 + 0.05
_
0.5 + 0.05
_
0.12 + 0.05
5
C
)
H
J
IN
KRA737E
KRA738E
KRA739E
COMMON （ + ）
KRA740E
KRA741E
KRA742E
Q
1
Q
2
Q
2
Q
2
Q
1
Q
1
COMMON （发射器）
COMMON （发射器）
IN（ BASE ）
OUT （集电极）
IN（ BASE ）
OUT （集电极）
TES6
等效电路（顶视图）
6
5
4
Q1
D
Q2
最大额定值（ TA = 25
输出电压
)
符号
KRA736E 742E
KRA736E
KRA737E
KRA738E
V
O
1
2
3
特征
等级
-50
-10, 5
-12, 10
-12, 5
单位
V
输入电压
KRA739E
KRA740E
KRA741E
KRA742E
V
I
-20, 7
-30, 10
-40, 15
-40, 10
V
输出电流
功耗
结温
存储温度范围
*：总分。
KRA736E
742E
I
O
P
D
*
T
j
T
英镑
-100
200
150
-55 150
mA
mW
记号
6
5
4
型号名称
MARK SPEC
TYPE
标志
KRA736E KRA737E KRA738E KRA739E KRA740E KRA741E KRA742E
J2
J4
J5
J6
J7
J8
J9
1
2
3
2002. 7. 9
版本号： 2
1/6
QQ：2881677436 复制
