半导体
技术参数
切换应用程序。
接口电路和驱动电路中的应用
特点
凭借内置的偏置电阻器。
简化电路设计。
A
G
KRA316E~KRA322E
外延平面PNP晶体管
E
B
D
3
2
1
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
H
减少零件和制造工艺的数量。
MILLIMETERS
_
1.60 + 0.10
_
0.85 + 0.10
_
0.70 + 0.10
0.27+0.10/-0.05
_
1.60 + 0.10
_
1.00 + 0.10
0.50
_
0.13 + 0.05
等效电路
OUT
R1
R2
J
型号
KRA316E
R1 ( K)
1
2.2
2.2
4.7
10
47
100
R2(k
10
2.2
10
10
4.7
10
100
)
C
IN
KRA317E
KRA318E
KRA319E
COMMON ( + )
1.发射器
2.基
3.收集
KRA320E
KRA321E
KRA322E
ESM
最大额定值( TA = 25
)
符号
KRA316E
322E
V
O
等级
-50
-10, 5
-12, 10
-12, 5
V
I
-20, 7
-30, 10
-40, 15
-40, 10
I
O
P
D
KRA316E
322E
T
j
T
英镑
-100
100
150
-55 150
mA
mW
V
单位
V
特征
输出电压
KRA316E
KRA317E
KRA318E
输入电压
KRA319E
KRA320E
KRA321E
KRA322E
输出电流
功耗
结温
存储温度范围
记号
MARK SPEC
TYPE
标志
KRA316E KRA317E KRA318E KRA319E KRA320E KRA321E KRA322E
P2
P4
P5
P6
P7
P8
P9
型号名称
2002. 7. 9
版本号: 1
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