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PHOTOTRANSISTOR
KP-2012P3C
湖水清澈镜头
特点
!
机械和光谱匹配
描述
制作与NPN硅光电晶体管的芯片。
对KP - 2012系列红外发光LED灯。
!
水
透明镜片。
!
包装： 2000PCS / REEL 。
包装尺寸
注意事项：
1.所有尺寸为毫米（英寸） 。
2.宽容
±0.1(0.004")
除非另有说明。
3，引线间距测量其中涌现铅包。
4.规格如有变更，恕不另行通知。
规范编号： KDA0533
批准： J.LU
REV NO： V.1
检查：
日期：SEP /二千〇一分之十七
得出： X.Q.ZHENG
页次：1 3
°
绝对最大额定值在T
)
=25°C
上午杆等儿
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
在（或低于）功耗25
°
自由空气温度
工作温度范围
存储温度范围
马克斯。老鼠的s
30V
5V
100mW
-40
°
C ~ +85
°C
-40
°
C ~ +85
°C
在T电气和辐射特性
)
=25°C
°
SY M B 0 1
V
BR EO
V
BR EC
V
CE （SAT）
I
首席执行官
T
R
T
F
上午杆等儿
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
集电极暗电流
上升时间（ 10％ 90％）
下降时间（90％至10％）
分钟。
30
5
-
-
-
-
TY页。
-
-
-
-
3
3
MAX 。
-
-
0.8
10 0
-
-
取消它
V
V
V
nA
us
us
TES吨钴N D IC吨IO
I
C
=100uA
E
e
=0mW/cm
2
I
E
=100uA
E
e
=0mW/cm
2
I
C
=2mA
E
e
=20mW/cm
2
V
CE
=10V
E
e
=0mW/cm
2
V
CE
=5V
I
C
=1mA
R
L
=1000
I
（上）
关于国家集电极电流
0.1
0.3
-
mA
V
CE
=5V
Ee=1mW/cm
2
λ
=940nm
规范编号： KDA0533
批准： J.LU
REV NO： V.1
检查：
日期：SEP /二千〇一分之十七
得出： X.Q.ZHENG
第2页第3
KP-2012P3C
SMT回流焊说明
回流工艺的数目应小于2倍和冷却
过程到正常温度所需的第一和间
第二次焊接工艺。
推荐焊接模式
（单位：毫米）
带规格
（单位：毫米）
规范编号： KDA0533
批准： J.LU
REV NO： V.1
检查：
日期：SEP /二千〇一分之十七
得出： X.Q.ZHENG
第3页3
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KESRX01
K6T1008C2C-GB55
K4H563238C-TLA0
KA22234
K2180C1EB1S
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