2fach - Silizium -PIN Fotodiode在SMT
2芯片硅PIN光电二极管在SMT
KOM 2125
KOM 2125 FA
KOM 2125
KOM 2125 FA
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen IM Bereich
冯为400nm双波长1100 UND北880纳米
（ KOM 2125 FA ）
Kurze Schaltzeit （典型值25 ns的）
geeignet献给气相洛滕UND
红外回流焊，洛滕
SMT- fhig
Anwendungen
Nachlaufsteuerungen
Kantenführung
Industrieelektronik
“梅森/ Steuern / Regeln ”
Bestellnummer
订购代码
Q62702-K0047
Q62702-P5313
特点
特别适用于从应用程序
400纳米至880纳米的1100nm且
（ KOM 2125 FA ）
短的开关时间（典型值25 ns的）
适合气相和红外回流焊
焊接
适用于SMT
应用
后续控制
边驱动器
工业电子产品
控制和驱动电路
典型值
TYPE
KOM 2125
KOM 2125 FA
2001-02-21
1
KOM 2125 ， KOM 2125 FA
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
(
T
A
= 25
°C)
bezeichnung
参数
Fotostrom
光
V
R
= 5 V ， Normlicht /标准光A
T
= 2856 K,
E
v
= 1000九
V
R
= 5 V,
λ
= 870 nm的
,E
e
= 1毫瓦/平方厘米
2
符号
符号
KOM 2125
邂逅相遇，
价值
KOM 2125 FA
统一性
单位
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40
…
+ 80
60
150
统一性
单位
°C
V
mW
T
op
;
T
英镑
V
R
P
合计
二极管
二极管B
二极管
二极管B
I
P
I
P
λ
s最大
λ
40 （ > 30 ）
100 （ > 75 ）
–
–
850
400
…
1100
–
–
26 （ > 20 ）
70 （ > 50 ）
900
750 ... 1100
A
A
nm
nm
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
作者= 10％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德
bestrahlungsempfindlichen Flche
辐射敏感区尺寸
二极管
二极管B
二极管
二极管B
A
4
10
2
×
2
2
×
5
0.3
±
60
5 (≤ 30)
10 (≤ 30)
4
10
2
×
2
2
×
5
0.3
±
60
5 (≤ 30)
10 (≤ 30)
mm
2
L
×
B
L
×
W
H
mm
×
mm
mm
×
mm
mm
毕业生
度。
nA
Abstand Chipoberflche祖Verguoberflche
距离前面的芯片到外壳的密封
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
二极管
二极管B
I
R
2001-02-21
2
KOM 2125 ， KOM 2125 FA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
(
T
A
= 25
°C)
（续）
bezeichnung
参数
Leerlaufspannung
开路电压
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
,
λ
= 850 nm的
Kurzschlustrom
短路电流
Normlicht /标准光A
T
= 2856 K,
E
v
= 1000九
λ
= 870 nm的
, E
e
= 1毫瓦/厘米
2
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
P
= 800
A
符号
符号
KOM 2125
邂逅相遇，
价值
KOM 2125 FA
统一性
单位
V
O
V
O
350 （ > 300 ）
–
–
350 （ > 300 ）
mV
mV
二极管
二极管B
二极管
二极管B
二极管
二极管B
I
SC
I
SC
t
r
,
t
f
38
95
–
–
18
25
–
–
24
66
18
25
A
A
ns
Durchlaspannung ，
I
F
= 100毫安;
E
= 0
正向电压
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V;
f
= 1 MHz的;
E
= 0
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
P
温度COEF网络cient
I
P
Normlicht /标准光A
λ
= 850 nm的
Rauschquivalente
Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V
检出限
二极管
二极管B
二极管
二极管B
二极管
二极管B
V
F
C
0
1.0
40
100
– 2.6
1.0
40
100
– 2.6
V
pF
TC
V
毫伏/ K
TC
I
0.18
–
6.4
×
10
– 14
9.1
×
10
– 14
3.1
×
10
12
3.5
×
10
12
–
0.2
6.4
×
10
– 14
9.1
×
10
– 14
3.1
×
10
12
3.5
×
10
12
%/K
NEP
W
-----------
-
Hz
cm
×
Hz
-------------------------
-
W
D*
2001-02-21
3
KOM 2125 ， KOM 2125 FA
Mazeichnung
包装纲要
6.7 (0.264)
6.2 (0.244)
感光面积
A = 2 （ 0.079 ） ×2 （ 0.079 ）
B = 5 （ 0.197 ） ×2 （ 0.079 ）
0.9 (0.035)
0.7 (0.028)
5.2 (0.205)
2
A
B
芯片位置
0...0.1 (0...0.004)
0.3 (0.012)
活动区域
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
GEOY6860
3
阴极
8.2 (0.323)
集体werden魏某folgt angegeben ：毫米（英寸） /尺寸规定如下：毫米（英寸） 。
发布时间由欧司朗光电半导体公司&公司分发
Wernerwerkstrasse 2 ， D- 93049雷根斯堡
版权所有。
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被退还给我们无序或我们没有义务接受材料，我们必须要发票，你的任何费用
发生的。
在生命支持设备或系统使用的组件必须明确授权这样的目的！
危急
组件
1
，只能用于生命支持设备或系统中使用
2
与欧司朗OS的明确书面认可。
1
关键部件是一个组件usedin一个生命支持设备或系统，其故障可以合理预期
造成生命支持设备或系统的故障，或者影响其安全性或该设备或系统的有效性。
2
生命支持设备或系统的目的是（a）至被植入人体，或（b） ，以支持和/或保持
和维持人类的生命。如果失败了，这是合理的假设使用者的健康可能受到威胁。
2001-02-21
5
4.3 (0.169)
1
8.5 (0.335)
1.4 (0.055)
±0.2 (0.008)
4.5 (0.177)
5.0 (0.197)
QQ：2880707522 复制
