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分立半导体
数据表
手册， halfpage
M3D329
KMZ10A
磁科幻场传感器
产品speci fi cation
取代1996年的数据11月8日
在分离式半导体文件， SC17
1998年03月24日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
磁科幻场传感器
描述
该KMZ10A是一个极其敏感的磁场
传感器，采用薄膜的磁阻效应
坡莫合金。其特性使该传感器在使用
广泛用于导航，电流和磁场的应用
测量，旋转柜，角位移或线
位置测量和接近检测器等
钉扎
针
1
2
3
4
符号
+V
O
GND
V
O
V
CC
描述
输出电压
地
输出电压
电源电压
Fig.1简化外形。
1 2 3 4
MBA737
KMZ10A
手册， halfpage
Hy
Hx
快速参考数据
符号
V
CC
T
桥
H
y
H
x
S
R
桥
V
OFFSET
参数
桥电源电压
桥的工作温度
磁性连接的场强
辅助科幻场
灵敏度
电桥电阻
失调电压
40
0.5
0.8
1.5
分钟。
5
0.5
16
典型值。
+150
+0.5
1.6
+1.5
马克斯。
V
°C
千安/米
千安/米
mV
V
----------------
-
kA
m
k
mV / V的
单位
电路图
手册，全页宽
MLC716
1
+武
2
GND
3
ΔVO
4
VCC
图2的简化电路图。
1998年03月24日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
磁科幻场传感器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CC
P
合计
T
英镑
T
桥
记
薄膜的坡莫合金的1.最大工作温度。
参数
桥电源电压
总功耗
储存温度
桥的工作温度
最多至T
AMB
= 134
°C
注1
条件
65
40
分钟。
9
90
+150
+150
马克斯。
KMZ10A
单位
V
mW
°C
°C
手册， halfpage
150
MLC715
P合计
（ mW）的
100
50
0
0
50
100
TAMB （
o
C)
150
图3功率降额曲线。
1998年03月24日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
磁科幻场传感器
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
价值
180
KMZ10A
单位
K / W
特征
T
AMB
= 25
°C;
H
x
= 0.5千安/米;注1和2 ; V
CC
= 5 V ，除非另有规定ED 。
符号
H
y
S
TCV
O
参数
磁性连接的场强
灵敏度
温度COEF网络cient
输出电压
注2
注意到图2和3
V
CC
= 5 V;
T
AMB
=
25
+125
°C
I
CC
= 3毫安;
T
AMB
=
25
+125
°C
R
桥
TCR
桥
V
OFFSET
TCV
OFFSET
FL
电桥电阻
温度COEF网络cient
电桥电阻
失调电压
失调电压漂移
输出的线性偏差
电压
T
桥
=
25
+125
°C
H
y
= 0到
±0.25
千安/米
H
y
= 0到
±0.4
千安/米
H
y
= 0到
±0.5
千安/米
FH
f
笔记
1.在第一操作或SOAR （图4）以外的操作后的传感器必须由应用程序的复位
辅助磁场H
x
= 3千安/米。
2.无干扰场（H
d
）允许的;为令人不安的条件下稳定运行见图4 （ SOAR ），看看图5为
降低灵敏度。
3.
(
V
O
为H
y
=
0.4千安
m
)
–
(
V
O
为H
y
=
0
)
S
=
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------- .
-
0.4
×
V
CC
输出电压迟滞
工作频率
T
桥
=
25
+125
°C
条件
13
0.8
1.5
6
0
分钟。
0.5
0.4
0.15
0.25
典型值。
马克斯。
+0.5
19
1.6
+1.5
+6
0.8
2.5
4.0
0.5
1
单位
千安/米
mV
V
----------------
-
kA
m
%/K
%/K
k
%/K
mV / V的
V
V
---------------
K
％ FS ±
％ FS ±
％ FS ±
％ FS ±
兆赫
1998年03月24日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
磁科幻场传感器
KMZ10A
手册， halfpage
Hd
（千安/米）
,,,,,
,,,,,
,,,,,
,,,,,
,,,,,
,,,,,
,,,,,
12
Hx
Hy
8
Hd
4
II
0
0
1
2
MLC119
手册， halfpage
1.2
MLC120
S（高）
x
II
S（ 0.5千安/米）
0.8
SOAR
0.4
I
3
高x （千安/米）
4
0
0
1
2
3
4
5
高x （千安/米）
在用H应用
x
< 3千安/米，该传感器具有被复位，之后
离开飙升，的H辅助场
x
= 3千安/米。
I =地区允许操作。
II =允许扩展若H
y
< 0.15 A / M 。
在用H应用
x
≤
3千安/米，该传感器具有以
的H的辅助字段复位
x
=使用前3千安/米。
Fig.4
安全工作区（允许令人不安
场H
d
作为辅助磁场H的分量
x
).
Fig.5
相对灵敏度（灵敏度的比例
某些
x
并为H灵敏度
x
= 0.5千安/米） 。
手册， halfpage
12
MLC121
VO
（毫伏/ V）的
8
最大
典型值
民
4
0
4
8
12
0.5
0
^ h Y（千安/米）
0.5
H
x
= 0.5千安/米;牛逼
AMB
= 25
°C;
V
OFFSET
= 0.
图6的传感器输出特性。
1998年03月24日
5
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