DRAM模块
KMM5364005CK/CKG
KMM5364105CK/CKG
KMM5364005CK / CKG & KMM5364105CK / CKG快速页面与EDO模式模式
4M ×36的DRAM SIMM使用4Mx4和16M四CAS ， 4K / 2K ，刷新， 5V
概述
三星KMM53640 （ 1 ） 05CK是4Mx36bits动态
RAM的高密度内存模块。三星
KMM53640 （ 1 ） 05CK包括八个CMOS 4Mx4bits的DRAM
采用24引脚SOJ封装和一个CMOS 4Mx4位四CAS
与EDO DRAM采用28引脚SOJ封装安装在一个72引脚
玻璃环氧基板。一个0.1或0.22uF的去耦电容
安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该
KMM53640 （ 1 ） 05CK是一个单列直插式内存模块
边缘连接，并适于安装到72针
边缘连接器插座。
特点
零件识别
- KMM5364005CK （ 4096次/ 64ms的参考， SOJ ，焊接）
- KMM5364005CKG （ 4096次/ 64ms的参考， SOJ ，金）
- KMM5364105CK （2048次/ 32ms的参考， SOJ ，焊接）
- KMM5364105CKG （ 2048次/ 32ms的参考， SOJ ，金）
使用扩展数据输出快速页面模式
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
TTL兼容的输入和输出
单+ 5V ± 10 ％电源
JEDEC标准PDpin &引出线
PCB ：身高（ 1000mil ） ，单双面组件
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
13ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
t
HPC
25ns
30ns
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A10
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
A11
VCC
A8
A9
Res(RAS1)
RAS0
DQ26
DQ8
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ17
DQ35
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
Res(RAS1)
NC
W
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚名称
引脚名称
A0 - A11
A0 - A10
DQ0 - DQ35
W
RAS0
CAS0 - CAS3
PD1 -PD4
VCC
VSS
NC
功能
地址输入（ 4K REF）
地址输入（ 2K参考）
IN / OUT数据
读/写使能
行地址选通
列地址选通
设备检测
Power(+5V)
地
无连接
存在检测引脚（可选）
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50NS
VSS
NC
VSS
VSS
60NS
VSS
NC
NC
NC
*引脚连接可改变
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
*注： A11仅用于KMM5364005CK / CKG （ 4K参考）
DRAM模块
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
d
I
OS
KMM5364005CK/CKG
KMM5364105CK/CKG
等级
-1到7.0
-1到7.0
-55到+150
9
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，预期
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
*1 : V
CC
+ 2.0V /为20ns ，脉冲宽度测量V
CC
.
* 2 ： -2.0V / 20ns的，脉冲宽度测量V
SS
.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1
*1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不关心
-5
-6
-5
-6
不关心
-5
-6
不关心
不关心
KMM5364005CK/CKG
民
-
-
KMM5364105CK/CKG
民
-
-
最大
810
720
18
810
720
720
630
9
810
720
45
5
-
0.4
最大
990
900
18
990
900
810
720
9
990
900
45
5
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-45
-5
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-45
-5
2.4
-
I
CC1
：工作电流* （ RAS ， CAS ，地址@骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
： RAS只刷新电流* （ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
： EDO模式电流* （ RAS = V
IL
中国科学院地址单车：
t
HPC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = VCC- 0.2V ）
I
CC6
： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
I（L）
：输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤Vcc+0.5V,
所有其它引脚不能被测= 0 V）
I
O（ L）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤VCC ）
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以被改变最多在一个EDO模式循环一次，
t
HPC
.
DRAM模块
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 5V ， F = 1MHz的）
项
输入电容[ A0 -A11 （ A10 ）
输入电容[W]
输入电容[ RAS0 ]
输入电容[ CAS0 - CAS3 ]
输入/输出电容[ DQ0-35 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ1
民
-
-
-
-
-
KMM5364005CK/CKG
KMM5364105CK/CKG
最大
65
80
80
40
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 5.0V ± 10％。见注释1,2 ）。
测试条件： V
ih
/V
il
=2.4/0.8V, V
oh
/V
ol
= 2.0 / 0.8V ，输出负载CL = 100pF的
参数
随机读或写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据中设置时间
数据保持时间
刷新周期（ 4K REF）
刷新周期（ 2K参考）
写命令设置时间
CAS建立时间（ CAS先于RAS的刷新）
CAS保持时间（ CAS先于RAS的刷新）
RAS到CAS预充电时间
符号
-5
民
90
50
13
25
3
3
2
30
50
13
38
8
20
15
5
0
10
0
8
25
0
0
0
10
10
13
8
0
8
64
32
0
5
10
5
0
5
10
5
10K
37
25
10K
13
50
3
3
2
40
60
15
45
10
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
10
0
10
64
32
10K
45
30
10K
15
50
最大
民
110
60
15
30
-6
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
ns
ns
ns
7
9
9
8
8
13
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6,11,12
2
记
t
RC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
REF
t
WCS
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
DRAM模块
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 5.0V ± 10％。见注释1,2 ）。
测试条件： V
ih
/V
il
=2.4/0.8V, V
oh
/V
ol
= 2.0 / 0.8V ，输出负载CL = 100pF的
参数
CAS预充电时间（C -B -R计数器测试
从CAS预充电时间访问
超页模式周期时间
CAS预充电时间（超页面周期）
RAS的脉冲宽度（超页面周期）
RAS保持时间从CAS预充电
W至RAS预充电时间（C -B -R刷新）
W至RAS保持时间（C -B -R刷新）
输出数据保持时间
输出缓冲延时关闭从RAS
输出缓冲延时关闭与W
W与数据延迟
W脉冲宽度（超页面周期）
保持时间CAS低到高CAS
符号
-5
民
20
30
25
8
50
30
10
10
5
3
3
15
5
5
13
13
200K
最大
KMM5364005CK/CKG
KMM5364105CK/CKG
-6
民
20
35
30
10
60
35
10
10
5
3
3
15
5
5
15
15
200K
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
记
t
CPT
t
注册会计师
t
HPC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
WRP
t
WRH
t
DOH
t
苏亚雷斯
t
WEZ
t
世界环境日
t
WPE
t
CLCH
3
13
6,11,12
6,11
14
笔记
1. 200us的初始暂停，需要在加电后跟随
通过任何8的RAS -只或CAS先于RAS之前刷新周期
实现器件正常工作。
2. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平测量
输入信号的定时。转换时间测量
V之间
IH
（MIN）和V
IL
（最大值），被假定为5ns的
所有输入。
3.测得相当于2 TTL负载和100pF电容负载。
内4.操作
t
RCD
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大）
可以得到满足。
t
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。
If
t
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）限值，则
存取时间由专门受控
t
CAC
.
5.假设条件
t
RCD
≥
t
RCD
（最大值）。
6.这个参数定义的时间，让输出达到
开路状态，而不是参考V
OH
or
V
OL
.
7.
t
WCS
是非限制性的操作参数。它被包含在
数据表作为唯一的电气特性。如果
t
WCS
≥
t
WCS
（分钟） ，则该循环是一个早期的写周期的数据
出脚将保持高阻抗的时间
周期。
8.无论是
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
9，这些参数是参照在CAS前沿
早期的写周期，并在W的前缘在读写
周期。
内10.操作
t
拉德
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大）
可以得到满足。
t
拉德
（最大值）被指定为唯一的参照点。如果
t
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大值）限值，则
存取时间由控
t
AA
.
11.
t
CEZ
（最大） ，
t
苏亚雷斯
（最大） ，
t
WEZ
（MAX）和
t
OEZ
（最大）定义
时间，当输出达到开路状态
并没有被引用到输出电压电平。
12.如果RAS变为高电平之前CAS高走，开路
输出condtion由中科院高远洋实现。如果CAS
去之前，高RAS高走，开路cond-
输出的灰是由RAS的高去实现。
13.
t
ASC
≥
t
CP
民
14.为了保持在第一CAS将锁存地址
低时，参数
t
CLCH
必须得到满足。
QQ：2881677436 复制
