DRAM模块
修订历史
版本0.0 （ 1997年11月）
更改模块PCB 6层至4层。
KMM5362203C2W/C2WG
更改模块部件号从KMM5362203CW / CWG到KMM5362203C2W / C2WG造成的PCB版本。
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修订版0.0 （1997年11月）
DRAM模块
KMM5362203C2W/C2WG
KMM5362203C2W / C2WG与快速页面模式
2M ×36 DRAM SIMM使用1Mx16和1Mx4四CAS ， 1K刷新， 5V
概述
三星KMM5362203C2W是2Mx36bits动态
RAM的高密度内存模块。三星
KMM5362203C2W由四个CMOS 1Mx16bits DRAM中
在42引脚封装SOJ安装和两个CMOS 1Mx4bit
在一个72引脚的玻璃 - 四CAS DRAM采用24引脚封装SOJ
环氧基板。一个0.1或0.22uF的去耦电容
安装在印刷电路板上为每个DRAM 。该
KMM5362203C2W是一个单列直插式内存模块
边缘连接，并适于安装到72针
边缘连接器插座。
特点
零件识别
- KMM5362203C2W （ 1024次/ 16ms的参考， SOJ ，焊接）
- KMM5362203C2WG （ 1024次/ 16ms的参考， SOJ ，金）
快速页模式操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
TTL兼容的输入和输出
单+ 5V ± 10 ％电源
JEDEC标准PDpin &引出线
PCB ：身高（ 750mil ） ，双面组件
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
15ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
V
SS
DQ0
DQ18
DQ1
DQ19
DQ2
DQ20
DQ3
DQ21
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
Res(A10)
DQ4
DQ22
DQ5
DQ23
DQ6
DQ24
DQ7
DQ25
A7
Res(A11)
VCC
A8
A9
RAS1
RAS0
DQ26
DQ8
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
DQ17
DQ35
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ9
DQ27
DQ10
DQ28
DQ11
DQ29
DQ12
DQ30
DQ13
DQ31
VCC
DQ32
DQ14
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚名称
引脚名称
A0 - A9
DQ0 - DQ35
W
RAS0 ， RAS1
CAS0 - CAS3
PD1 -PD4
VCC
VSS
NC
水库
功能
地址输入
IN / OUT数据
读/写使能
行地址选通
列地址选通
设备检测
Power(+5V)
地
无连接
保留引脚
存在检测引脚（可选）
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50NS
NC
NC
VSS
VSS
60NS
NC
NC
NC
NC
*引脚连接可改变
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
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修订版0.0 （1997年11月）
DRAM模块
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
d
I
OS
KMM5362203C2W/C2WG
等级
-1到7.0
-1到7.0
-55到+150
6
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，往往在
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
*1 : V
CC
+ 2.0V /为20ns ，脉冲宽度测量V
CC
.
* 2 ： -2.0V / 20ns的，脉冲宽度测量V
SS
.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1
*1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
KMM5362203C2W/C2WG
民
-
-
最大
391
361
12
391
361
251
221
6
391
361
30
10
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-30
-10
2.4
-
：工作电流* （ RAS ， LCAS或UCAS ，地址自行车@
t
RC
=分钟）
：待机电流（ RAS = LCAS = UCAS = W = V
IH
)
： RAS只刷新当前* （LCAS = UCAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
：快页模式电流* （ RAS = V
IL
， LCAS或UCAS循环：
t
PC
=分钟）
：待机电流（ RAS = LCAS = UCAS = W = VCC- 0.2V ）
： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
：输入漏电流（任何输入0
≤V
IN
≤Vcc+0.5V,
所有其它引脚不能被测= 0 V）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V
≤V
OUT
≤VCC ）
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以被改变最多在一个页面模式循环一次，
t
PC 。
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修订版0.0 （1997年11月）
QQ：2881677436 复制
