DRAM模块
修订历史
版本0.0 （ 1997年11月）
更改模块PCB 6层至4层。
KMM5322204C2W/C2WG
更改模块部件号从KMM5322204CW / CWG到KMM5322204C2W / C2WG造成的PCB版本。
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修订版0.0 （1997年11月）
DRAM模块
KMM5322204C2W/C2WG
与扩充数据输出KMM5322204C2W / C2WG快速页面模式
2M ×32 DRAM SIMM使用1Mx16 ， 1K刷新， 5V
概述
三星KMM5322204C2W是2Mx32bits
内存
高
密度
内存
模块。
该
动态
三星
特点
零件识别
- KMM5322204C2W （ 1024次/ 16ms的参考， SOJ ，焊接）
- KMM5322204C2WG （ 1024次/ 16ms的参考， SOJ ，金）
使用扩展数据输出快速页面模式
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
TTL兼容的输入和输出
单+ 5V ± 10 ％电源
JEDEC标准PDpin &引出线
PCB ：身高（ 750mil ） ，双面组件
KMM5322204C2W由四个CMOS 1Mx16bits DRAM中
在42引脚SOJ封装安装在一个72引脚的玻璃环氧树脂子
施特拉特。一个0.1或0.22uF的去耦电容安装在
印刷电路板上为每个DRAM 。该KMM5322204C2W是
一个单列直插内存模块与边缘的连接，是
用于安装到72针边缘连接器插座。
性能范围
速度
-5
-6
t
RAC
50ns
60ns
t
CAC
15ns
15ns
t
RC
90ns
110ns
t
HPC
25ns
30ns
销刀豆网络gurations
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
符号
V
SS
DQ0
DQ16
DQ1
DQ17
DQ2
DQ18
DQ3
DQ19
VCC
NC
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
NC
DQ4
DQ20
DQ5
DQ21
DQ6
DQ22
DQ7
DQ23
A7
NC
VCC
A8
A9
RAS1
RAS0
NC
NC
针
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
符号
NC
NC
VSS
CAS0
CAS2
CAS3
CAS1
RAS0
RAS1
NC
W
NC
DQ8
DQ24
DQ9
DQ25
DQ10
DQ26
DQ11
DQ27
DQ12
DQ28
VCC
DQ29
DQ13
DQ30
DQ14
DQ31
DQ15
NC
PD1
PD2
PD3
PD4
NC
VSS
引脚名称
引脚名称
A0 - A9
DQ0 - DQ31
W
RAS0 ， RAS1
CAS0 - CAS3
PD1 -PD4
VCC
VSS
NC
水库
功能
地址输入
IN / OUT数据
读/写使能
行地址选通
列地址选通
设备检测
Power(+5V)
地
无连接
保留引脚
存在检测引脚（可选）
针
PD1
PD2
PD3
PD4
50NS
NC
NC
VSS
VSS
60NS
NC
NC
NC
NC
*引脚连接可改变
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
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修订版0.0 （1997年11月）
DRAM模块
绝对最大额定值*
项
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
d
I
OS
KMM5322204C2W/C2WG
等级
-1到7.0
-1到7.0
-55到+150
4
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，往往在
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
*1 : V
CC
+ 2.0V /为20ns ，脉冲宽度测量V
CC
.
* 2 ： -2.0V / 20ns的，脉冲宽度测量V
SS
.
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1
*1
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
KMM5322204C2W/C2WG
民
-
-
最大
304
284
8
304
284
244
224
4
304
284
20
10
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-20
-10
2.4
-
：工作电流* （ RAS ， CAS ，地址@骑自行车
t
RC
=分钟）
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
： RAS只刷新电流* （ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
： EDO模式电流* （ RAS = V
IL
中科院循环：
t
HPC
=分钟）
：待机电流（ RAS = CAS = W = VCC- 0.2V ）
： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
：输入漏电流（任何输入0
≤V
IN
≤Vcc+0.5V,
所有其它引脚不能被测= 0 V）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V
≤V
OUT
≤VCC ）
：输出高电压电平（I
OH
= -5mA ）
：输出低电压电平（I
OL
= 4.2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以被改变最多在一个EDO模式循环一次，
t
HPC
.
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修订版0.0 （1997年11月）
QQ：2880707522 复制
