DRAM模块
绝对最大额定值*
项
在任何相对引脚V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
D
I
OS
KMM372V320(8)0CK4
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+125
36
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，预期
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3
*2
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
单位
V
V
V
V
*1 : V
CC
+ 1.3V的脉冲width≤15ns ，其测量V
CC
.
* 2： -1.3V在脉冲width≤15ns ，其测量V
SS
.
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
SPEEDL
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
KMM372V3200CK4
民
-
-
KMM372V3280CK4
民
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-10
2.4
-
最大
1458
1278
100
1458
1278
1098
918
30
1998
1818
10
10
-
0.4
最大
1998
1818
100
1998
1818
1098
918
30
1998
1818
10
10
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-10
-10
2.4
-
I
CC1
*：工作电流* （ RAS ， CAS ，地址@骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新当前* （ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：快速页模式电流* （ RAS = V
IL
中科院循环：
t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = VCC- 0.2V ）
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I(
IL ）
：输入漏电流（任何输入0 V
IN
的± VCC + 0.3V ，所有其他引脚没有被测= 0 V）
I(
OL ）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤VCC ）
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -2mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以改变最大一次1快速页面模式的周期时间内，
t
PC
.
DRAM模块
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1MHZ ）
项
输入电容[ A0，B0 ， A1 - A12 ]
输入电容[ W0 ， W2 ， OE0 ， OE2 ]
输入电容[ RAS0 - RAS3 ]
输入电容[ CAS0 ， CAS1,4,5 ]
输入/输出电容[ DQ0 - 71 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ
民
-
-
-
-
-
KMM372V320(8)0CK4
最大
20
20
73
20
24
单位
pF
pF
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 3.3V ± 0.3V 。见注释1,2 ）。
测试条件： V
ih
/V
il
=2.2/0.7V, V
oh
/V
ol
= 2.0 / 0.8V ，输出负载CL = 100pF的
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
读命令保持referencde到CAS
读取命令搁置参考RAS
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据在建立时间
数据保持时间
刷新周期（ 4K & 8K ）
写命令设置时间
CAS为W延迟时间
列地址为W延迟时间
CAS prechange为W延迟时间
符号
-5
民
90
133
50
18
30
5
5
1
30
50
18
48
13
18
13
10
5
8
0
10
30
0
0
-2
10
10
20
13
-2
15
64
0
36
48
53
0
40
55
60
10K
32
20
10K
18
50
5
5
1
40
60
20
58
15
18
13
10
5
8
0
10
35
0
0
-2
10
10
20
15
-2
15
64
10K
40
25
10K
20
50
最大
民
110
155
60
20
35
-6
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
7
7
7
7
9,11
9,11
11
8
8,11
11
4,11
10,11
11
11
11
11
11
3,4,10
3,4,5,11
3,10,11
3,11
6,11
2
记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
AWD
t
CPWD
DRAM模块
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 3.3V ± 0.3V 。见注释1,2 ）。
参数
RAS RO软件延时时间
CAS建立时间（ CAS先于RAS的刷新）
CAS保持时间（ CAS先于RAS的刷新）
RAS到CAS预充电时间
从CAS预充电时间访问
快速页模式周期时间
快速页面模式读取 - 修改 - 写入周期时间
CAS预充电时间（快速页面周期）
RAS的脉冲宽度（快速页面周期）
RAS保持时间从CAS预充电
W至RAS预充电时间（C -B -R刷新）
W至RAS保持时间（C -B -R刷新）
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器关闭从OE延迟时间
OE命令保持时间
目前检测读周期
PDE为有效PD位
PDE为PD位无效
符号
-5
民
71
10
8
3
35
35
76
10
50
35
15
8
18
18
5
13
18
200K
最大
KMM372V320(8)0CK4
-6
民
83
10
8
3
40
40
85
10
60
40
15
8
20
20
5
15
20
200K
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11
11
11
11
记
7,11
11
11
11
3,11
t
RWD
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
WRP
t
WRH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
t
PD
t
PDOFF
10
2
7
2
10
7
ns
ns
笔记
1. 200us的初始暂停，需要在加电后跟随
通过任何8的RAS -只或CAS先于RAS之前刷新周期
实现器件正常工作。
2.输入电压等级为V
ih
/V
il
. V
IH
（MIN）和V
IL
（最大值）是REF-
erence水平，用于测量输入信号的定时。跃迁
化时间V之间测量
IH
（MIN）和V
IL
（MAX）和
被假定为5ns的所有输入。
3.测量用相当于1 TTL负载和100pF的负载。
内4.操作
t
RCD
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大）
可以得到满足。
t
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。
If
t
RCD
大于指定的
t
RCD
（最大值）限值，则
存取时间由专门受控
t
CAC
.
5.假设塔
t
RCD
≥
t
RCD
（最大值）。
6.这个参数定义的时间，让输出达到
开路状态，而不是参考V
OH
or
V
OL
.
7.
t
WCS
,
t
RWD
,
t
CWD
,
t
AWD
和
t
CPWD
不是限制性的operat-
荷兰国际集团的参数。它们包含在数据表中的electri-
CAL的特点而已。如果
t
WCS
≥
t
WCS
（分钟）的循环是一个
早期的写周期和数据输出引脚将保持高阻
粉刺的周期的持续时间。如果
t
RWD
≥
t
RWD
（ MIN）
t
CWD
≥
t
CWD
（ MIN）
t
AWD
≥
t
AWD
（分钟）和
t
CPWD
≥
t
CPWD
（最小值） 。
该循环是一个读 - 修改 - 写周期，数据将出
包含从所选择的单元中读取数据。如果没有的
上述套的条件被满足时，数据的状态
出（在存取时间）是不确定的。
8.无论是
t
RCH
or
t
RRH
必须满足一个读周期。
9.这些参数是参照在CAS前缘
早期的写周期。
内10.操作
t
拉德
（最大值）限制确保了
t
RAC
（最大）
可以得到满足。
t
拉德
（最大值）被指定为唯一的参照点。如果
t
拉德
大于指定的
t
拉德
（最大值）限值，则
存取时间由控
t
AA
.
11.从DRAM的DIMM的时序偏差造成的
加缓冲器。
QQ：2881677436 复制
