DRAM模块
绝对最大额定值*
项
在任何相对引脚V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
T
英镑
P
D
I
OS
KMM372V213CK/CS
等级
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+125
9
50
单位
V
V
°C
W
mA
*如果绝对最大额定值超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，预期
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
*1 : V
CC
+ 1.3V /为15ns ，脉冲宽度测量V
CC
.
* 2 ： -1.3V /为15ns ，脉冲宽度测量V
SS
.
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明）
符号
I
CC1
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
I
CC6
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
速度
-5
-6
不在乎
-5
-6
-5
-6
不在乎
-5
-6
不在乎
不在乎
KMM372V213CK/CS
民
-
-
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3
*2
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
单位
V
V
V
V
最大
990
900
100
990
900
810
720
30
990
900
25
5
-
0.4
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
-
-
-
-
-
-
-
-
-25
-5
2.4
-
I
CC1
*：工作电流* （ RAS ， CAS ，地址@骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新当前* （ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：快速页模式电流* （ RAS = V
IL
中科院循环：
t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = VCC- 0.2V ）
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流* （ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
I（L）
：输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤Vcc+0.3V,
所有其它引脚不能被测= 0 V）
I
O（ L）
：输出漏电流（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤VCC ）
V
OH
：输出高电压电平（I
OH
= -2mA ）
V
OL
：输出低电压电平（I
OL
= 2毫安）
*注
: I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
我
CC3
，地址可以在RAS = V来改变最大的一次，
IL
。在我
CC4
,
地址可以被改变最多在一个页面模式循环一次，
t
PC
.
DRAM模块
电容
(T
A
= 25 ℃， VCC = 3.3V ， F = 1MHz的）
项
输入电容[ A0 - A10 ， B0 ]
输入电容[ W0 ， W2 ， OE0 ， OE2 ]
输入电容[ RAS0 ， RAS2 ]
输入电容[ CAS0 ， CAS4 ]
输入/输出电容[ DQ0 - 71 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
DQ1
民
-
-
-
-
-
KMM372V213CK/CS
最大
20
20
45
20
20
单位
pF
pF
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 3.3V ± 0.3V 。见注释1,2 ）。
测试条件： V
ih
/V
il
=2.0/0.8V, V
oh
/V
ol
= 2.0 / 0.8V ，输出负载CL = 100pF的
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
读取命令搁置参考CAS
读取命令搁置参考RAS
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据建立时间
数据保持时间
刷新周期（ 2K刷新）
写命令设置时间
CAS为W延迟时间
列地址为W延迟时间
CAS预充电至W延迟时间
符号
民
-5
最大
民
110
155
50
18
30
5
5
2
30
50
18
48
13
18
13
10
5
8
0
10
30
0
0
-2
10
10
18
13
-2
15
32
0
36
48
53
0
40
55
60
10K
32
20
10K
18
50
5
5
3
40
60
20
58
15
18
13
10
5
8
0
10
35
0
0
-2
10
10
20
15
-2
20
32
10K
40
25
10K
20
50
60
20
35
90
133
-6
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ns
ns
ns
ns
7
7
7
7
9,11
9,11
11
8
8,11
11
4,11
10,11
11
11
11
11
11
3,4
3,4,5,11
3,10,11
3,11
6,11
2
单位
记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
t
REF
t
WCS
t
CWD
t
AWD
t
CPWD
DRAM模块
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
V
CC
= 3.3V ± 0.3V 。见注释1,2 ）。
测试条件： V
ih
/V
il
=2.0/0.8V, V
oh
/V
ol
= 2.0 / 0.8V ，输出负载CL = 100pF的
参数
RAS为W延迟时间
CAS建立时间（ CAS先于RAS的刷新）
CAS保持时间（ CAS先于RAS的刷新）
RAS预充电到CAS保持时间
从CAS预充电时间访问
快速页模式周期时间
快速页面模式读取 - 修改 - 写入周期时间
CAS预充电时间（快速页面周期）
RAS脉冲宽度（快速页面周期）
RAS保持时间从CAS预充电
W至RAS预充电时间（C -B -R刷新）
W至RAS保持时间（C -B -R刷新）
OE访问时间
OE数据延迟
输出缓冲器关闭从OE延迟时间
OE命令保持时间
目前检测读周期
PDE为有效PD位
PDE为PD位无效
符号
民
-5
最大
民
83
10
8
3
35
35
75
10
50
35
15
8
18
18
5
13
18
20
5
15
200K
40
80
10
60
40
15
8
71
10
8
3
KMM372V213CK/CS
-6
最大
单位
ns
ns
ns
ns
40
ns
ns
ns
ns
200K
ns
ns
ns
ns
20
20
ns
ns
ns
ns
记
7,11
11
11
11
3,11
t
RWD
t
企业社会责任
t
CHR
t
RPC
t
注册会计师
t
PC
t
PRWC
t
CP
t
RASP
t
RHCP
t
WRP
t
WRH
t
OEA
t
OED
t
OEZ
t
OEH
11
11
11
11
11
11
t
PD
t
PDOFF
10
2
7
2
10
7
ns
ns
QQ：2880707522 复制
