KMM366S1623DTL
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版本0.0 （ 1999年7月7日）
PC66无缓冲DIMM
更改TRDL从1CLK经营AC参数2CLK 。
跳过在数据表DC特性CL = 2的ICC4价值。
定义tDAL了一个新的参数（ 2CLK +为20ns ） ，最终数据以主动延时营业AC参数。
消除频率vs.PARAMETER关系表。
符号变更通知
I
IL
I
IL
I
OL
前
输入漏电流（输入）
输入漏电流（ I / O管脚）
输出开路@ DC特性表
I
LI
Io
后
输入漏电流
输出开路@ DC特性表
在测试条件
DC特性变更通知
符号
I
CC2P ，
I
CC3P
I
CC2N ，
I
CC3N
I
CC4
前
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 15ns的
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 15ns的
输入信号时为30ns一次改变
2银行激活
后
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CC
= 10ns的
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CC
= 10ns的
输入信号时为20ns一次改变
4银行启动
添加注释@OPERATING AC参数
注： 5. -0 ， TRDL = 1CLK和tDAL = 1CLK + 20ns的也支持。
三星建议TRDL = 2CLK和tDAL = 2CLK + 20ns的。
REV 。 0.0 1999年7月
KMM366S1623DTL
KMM366S1623DTL SDRAM DIMM
PC66无缓冲DIMM
基于8Mx8 ， 4Banks ， 4K刷新， 3.3V同步DRAM与SPD 16Mx64 SDRAM DIMM
概述
三星KMM366S1623DTL是16M位x 64同步的
知性动态RAM的高密度内存模块。三星
KMM366S1623DTL包括16个CMOS 8M ×8位与
4banks的TSOP- II封装400mil和同步DRAM
2K在168针的玻璃环氧树脂EEPROM采用8引脚TSSOP封装
基材。两个0.33uF去耦电容器被安装在
印刷电路板平行的每个SDRAM中。该
KMM366S1623DTL是双列直插式内存模块，并
用于安装到168针边缘连接器插座。
同步设计允许使用精确的周期控制
系统时钟。 I / O事务处理可在每个时钟周期。
工作频率范围，可编程延迟允许
相同的设备，以针对各种不同的高带宽，高有用
高性能内存系统的应用程序。
特征
性能范围
产品型号
KMM366S1623DTL-G0
最大频率。 （速度）
为100MHz （ 10ns的@ CL = 3 ）
突发模式工作
自动&自我刷新能力（ 4096周期/ 64ms的）
LVTTL兼容的输入和输出
3.3V单电源
±
0.3V电源
MRS周期与解决关键程序
潜伏期（从地址栏访问）
突发长度（1， 2，4， 8 &全页）
数据加扰（顺序&交错）
所有输入进行采样的正边沿
系统时钟
??串行存在检测与EEPROM
PCB ：
高度（ 1,250mil ）
双面组件
引脚配置（正面/背面）
针前
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
DD
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
DD
DQ14
DQ15
*CB0
*CB1
V
SS
NC
NC
V
DD
WE
DQM0
针
前
针前
DQ18
DQ19
V
DD
DQ20
NC
*V
REF
CKE1
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
DD
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
SS
CLK2
NC
NC
** SDA
** SCL
V
DD
针
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
后
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
*CB4
*CB5
V
SS
NC
NC
V
DD
CAS
DQM4
针
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
后
DQM5
CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
CLK1
*A12
V
SS
CKE0
CS3
DQM6
DQM7
*A13
V
DD
NC
NC
*CB6
*CB7
V
SS
DQ48
DQ49
针
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
后
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
NC
*V
REF
NC
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
NC
**SA0
**SA1
**SA2
V
DD
29 DQM1 57
58
CS0
30
31
DU
59
60
32
V
SS
61
33
A0
62
34
A2
35
A4
63
64
36
A6
65
37
A8
38 A10 / AP 66
39
BA1
67
68
40
V
DD
69
41
V
DD
42 CLK0 70
43
V
SS
71
72
44
DU
73
45
CS2
46 DQM2 74
47 DQM3 75
76
48
DU
77
49
V
DD
78
50
NC
51
79
NC
52
* CB2 80
53
* CB3 81
82
54
V
SS
55 DQ16 83
56 DQ17 84
引脚名称
引脚名称
A0 ~ A11
BA0 BA1
DQ0 DQ63
CLK0 CLK3
CS0 CS3
RAS
CAS
WE
DQM0 7
V
DD
V
SS
*V
REF
SDA
SCL
SA0 2
DU
NC
功能
地址输入（复用）
选择银行
数据输入/输出
时钟输入
片选输入
行地址选通
列地址选通
写使能
DQM
电源（ 3.3V ）
地
电源为参考
串行数据I / O
串行时钟
地址在EEPROM
不使用
无连接
CKE0 CKE1时钟使能输入
*这些引脚没有这个模块中使用。
**
这些引脚应数控系统
不支持SPD 。
三星电子有限公司保留变更产品规格，恕不另行通知。
REV 。 0.0 1999年7月
KMM366S1623DTL
引脚配置说明
针
CLK
CS
名字
系统时钟
芯片选择
PC66无缓冲DIMM
输入功能
活跃在正边沿采样所有输入。
禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入
CLK ， CKE和DQM 。
面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。
CKE应该启用的至少一个周期之前的新命令。
禁止输入缓冲器的电源关闭待机。
CKE应该启用1CLK + T
SS
前有效的命令。
行/列地址被复用在相同的针。
行地址： RA0 RA11 ，列地址： CA0 CA8
选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。
在列地址锁存器时选择的读/写的银行。
锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。
让行存取&预充电。
闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。
启用列的访问。
允许写操作和行预充电。
锁存来自中科院，我们开始积极的数据。
使得数据输出高阻，T
SHZ
后的时钟和掩模的输出。
块中的数据输入时， DQM活跃。 （字节屏蔽）
数据输入/输出复用在相同的针。
电源和地的输入缓冲器和核心逻辑。
CKE
时钟使能
A0 ~ A11
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
DQM0 7
DQ0 63
V
DD
/V
SS
地址
银行选择地址
行地址选通
列地址选通
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
REV 。 0.0 1999年7月
KMM366S1623DTL
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在V电压
DD
供应相对于VSS
储存温度
功耗
短路电流
符号
V
IN
, V
OUT
V
DD
, V
DDQ
T
英镑
P
D
I
OS
PC66无缓冲DIMM
价值
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
-55 ~ +150
16
50
单位
V
V
°C
W
mA
注意：
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应仅限于推荐工作条件。
暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。
DC操作条件和特点
推荐工作条件（电压参考V
SS
= 0V ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
符号
V
DD
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
LI
民
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
-10
典型值
3.3
3.0
0
-
-
-
最大
3.6
V
DDQ
+0.3
0.8
-
0.4
10
单位
V
V
V
V
V
uA
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
记
注意事项：
1. V
IH
（最大）= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
≤
3ns.
2. V
IL
（分钟） = -2.0V交流。下冲电压持续时间
≤
3ns.
3.任何输入0V
≤
V
IN
≤
V
DDQ 。
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器，三态输出。
电容
(V
DD
= 3.3V ，T
A
= 23 ° C，F = 1MHz时， V
REF
= 1.4V
±
200毫伏）
参数
输入电容（ A0 A11 ， BA0 BA1 ）
输入电容（ RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CKE0 CKE1 ）
输入电容（ CLK0 CLK3 ）
输入电容（ CS0 CS3 ）
输入电容（ DQM0 DQM7 ）
数据输入/输出电容（ DQ0 DQ63 ）
符号
C
IN1
C
IN2
C
IN3
C
IN4
C
IN5
C
IN6
C
OUT
民
45
45
25
15
15
10
13
最大
85
85
45
21
25
15
18
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
最大走线长度
信号
A0 ~ A11
BA0 BA1
RAS
CAS
WE
最大长度
8.0
8.0
8.0
8.0
8.0
单位
英寸
英寸
英寸
英寸
英寸
信号
CKE0 CKE1
CS0 CS3
DQM0 DQM7
DQ0 DQ63
最大长度
5.5
4.0
3.0
2.0
单位
英寸
英寸
英寸
英寸
REV 。 0.0 1999年7月
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