飞利浦半导体
产品speci fi cation
转速传感器
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CC
T
英镑
T
AMB
T
SLD
参数
直流电源电压
储存温度
工作环境温度
焊接温度
输出短路持续时间为GND
t
≤
10 s
条件
T
AMB
=
40
+85
°C;
R
L
= 115
分钟。
0.5
40
40
KMI15/4
马克斯。
+16
+150
+85
260
V
单位
°C
°C
°C
连续
特征
T
AMB
= 25
°C;
V
CC
= 12 V ; = 1.5毫米; F
t
= 2千赫;测试电路：见图7 ;
L
= 115
;
传感器定位：见图15 ;
齿轮：模块2毫米;材料1.0715 ;除非另有规定ED 。
符号
I
CC （低）
I
CC （高）
t
r
t
f
t
d
f
t
d
δ
记
车轮1.高转速降低检测距离，由于涡流的影响（见图17 ） 。
参数
电流输出信号的低
电流输出信号的高
输出信号的上升时间
输出信号的下降时间
开关延迟时间
条件
参见图6和图8
参见图6和图8
C
L
= 100 pF的;见图9 ;
1090％的值
C
L
= 100 pF的;见图9 ;
1090％的值
分钟。
5.6
11.2
7
14
0.5
0.7
1
50
典型值。
马克斯。
8.4
16.8
25000
80
单位
mA
mA
s
s
s
Hz
mm
%
刺激脉冲之间（通过生成
一个线圈）和输出信号
0
20
见图15和1注
见图6
操作齿频率为两个旋转方向
感应距离
占空比
0 2.0 0 2.3
2000 9月5日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
转速传感器
功能说明
该KMI15 / 4的传感器是黑色的运动敏感
齿轮或基准标记。功能原理
在图3中示出。由于磁通的弯曲的影响，在
在磁场线的方向不同
磁阻传感器元件会导致电
信号。因为所选择的传感器定位和中
铁素体磁化方向的KMI15 / 4是敏感
在传感器前面的'y'的方向运动只
（见图2） 。
磁阻传感器元件的信号被放大，
温度补偿，并传递到一个施密特触发器
在调理集成电路（图4和图5）。
数字输出信号电平（见图6）是在一个固定的电平
独立的感测距离。 A（ 2线）输出
目前能够安全传感器信号传输到
检测电路（见图7） 。集成电路外壳
从传感器元件壳体分开来优化
传感器性能在高温下。
磁场所引起的强度
Ferroxdure 100磁铁在不同的传感器的方向，
在磁致电阻电桥的中心测量，是
一般：H
x
= 7千安/米（辅助场）和H
z
= 17千安/米
（垂直于传感器表面）。
y
是零，由于
修整过程。
手册， halfpage
KMI15/4
x
磁铁
方向
磁化
x
z
y
传感器
IC
MBH779
在KMI15 / 4的图2组件的细节。
齿轮
手册，全页宽
轮
z
磁铁
磁
电场线
方向
of
运动
传感器
y
MRA957
(a)
(b)
(c)
(d)
图3功能原理。
2000 9月5日
4
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