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SMD型
NPN晶体管
KMBT3904
(MMBT3904)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
晶体管
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
外延平面片建设
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
60
40
6
0.2
0.2
150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
Collecto-基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
BO
Ic
EO
I
EBO
h
FE
IC = 100 IA
IC = 1毫安
I
E
= 10 A
Testconditons
I
E
=0
I
B
=0
I
C
=0
民
60
40
6
0.1
50
0.1
100
60
0.3
0.95
35
35
200
50
250
兆赫
ns
V
V
ns
400
典型值
最大
单位
V
V
V
A
nA
A
V
CB
= 60 V，I
E
=0
V
CE
= 30 V , V
BE （OFF）的
=3V
V
EB
= 5V ，我
C
=0
V
CE
= 1V ，我
C
= 10毫安
V
CE
= 1V ，我
C
= 50毫安
V
CE （ SAT ）
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
V
BE （ SAT ）
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
t
d
t
r
t
s
t
f
f
T
V
CC
=3.0V,V
BE
=-0.5V
I
C
=10mA,I
B1
=-I
B2
=1.0mA
V
CC
=3.0V,I
C
=10mA
I
B1
=-I
B2
=1.0mA
V
CE
= 20V ，我
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
记号
记号
1AM
0-0.1
www.kexin.com.cn
1
SMD型
KMBT3904
(MMBT3904)
典型特征
晶体管
图1最大功率耗散VS
环境温度
图2输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
图3典型的直流电流增益VS
集电极电流
图4典型的集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
图5典型的基射极饱和电压与
集电极电流
2
www.kexin.com.cn
产品speci fi cation
KMBT3904
(MMBT3904)
SOT-23
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
单位：mm
特点
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
外延平面片建设
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
2.Emitter
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
J
T
英镑
等级
60
40
6
0.2
0.2
150
-55到150
单位
V
V
V
A
W
电气特性TA = 25
参数
Collecto-基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基地 - 发射极饱和电压
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
跃迁频率
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
BO
Ic
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=0
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=0
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60
40
6
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0.1
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60
0.3
0.95
35
35
200
50
250
兆赫
ns
V
V
ns
400
典型值
最大
单位
V
V
V
A
nA
A
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CB
= 60 V，I
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=0
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= 30 V , V
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=0
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= 1V ，我
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= 1V ，我
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= 50 mA时，我
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d
t
r
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f
f
T
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=3.0V,V
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=-0.5V
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=10mA,I
B1
=-I
B2
=1.0mA
V
CC
=3.0V,I
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=1.0mA
V
CE
= 20V ，我
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= 10毫安中，f = 100MHz的
记号
记号
1AM
0-0.1
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
1 2
产品speci fi cation
KMBT3904
(MMBT3904)
典型特征
图1最大功率耗散VS
环境温度
图2输入和输出电容与
集电极 - 基极电压
图3典型的直流电流增益VS
集电极电流
图4典型的集电极 - 发射极饱和电压与
集电极电流
图5典型的基射极饱和电压与
集电极电流
http://www.twtysemi.com
sales@twtysemi.com
4008-318-123
2 2
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K7N323601M-FC16
K4H640438M-TCB0
K4H640438D-TLB0
KBPC3501N
K8D6316UTM-LC07
KTC3770
K4F641612C-TC
KFG2G16D2M-DED5
K4S64323LF-SS1L
KTD-LM64
KBJ606G
K4S641632H
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    KMBT3904
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    -
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