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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第128页 > KMB8D2N60QA
半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速切换时间，低
导通电阻，低栅极电荷和优异的雪崩characteristiscs 。这主要是
适用于便携式的便携式设备和开关电源。
D
KMB8D2N60QA
N沟道沟槽MOSFET
H
T
P
G
L
特点
V
DSS
= 60V ，我
D
=8.2A.
漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
= 22米（最大） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 27米（最大） @ V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计
1
4
B1 B2
8
5
A
MOSFET的最大额定值（Ta = 25
特征
漏源电压
门源电压
DC @ T
A
=25
漏电流
DC @ T
A
=70
脉冲
漏源二极管的正向电流
漏极功耗
T
A
=25
T
A
=70
最高结温
存储温度范围
热阻，结到环境
注： *表面装在1 FR4板
除非另有说明）
SYMBOL PATING
V
DSS
V
GSS
I
D
*
6.6
I
DP
I
S
P
D
*
2.0
T
j
T
英镑
R
thJA
*
150
-55~150
41
/W
W
40
3.0
3.0
A
A
A
W
60
25
8.2
单位
V
V
A
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
FLP-8
KMB8D2N
60QA
引脚连接（顶视图）
S
S
S
G
1
8
D
D
D
D
1
2
3
8
7
6
5
2
7
3
6
4
4
5
2007. 9. 3
版本号： 1
1/4
KMB8D2N60QA
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入Capaclitance
输出继电器容量
反向传输电容
总栅极电荷（V
GS
=10V)
Q
g*
总栅极电荷（V
GS
=4.5V)
V
DS
=30V, V
GS
= 10V ，我
D
=8.2A
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
导通延迟时间
开启下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
记
1.脉冲测试：脉冲宽度
10
，占空比
1%
V
SDF *
V
GS
= 0V时，我
DR
=1.7A,
-
0.74
1.0
V
Q
GS *
Q
GD *
t
D（上） *
t
r*
t
D（关闭） *
t
f*
V
DD
=30V, V
GS
=10V
R
L
=3.6 , R
G
=3
-
-
-
-
-
-
6.0
14.4
8.2
5.5
29.7
5.2
-
-
-
-
ns
-
-
-
24.2
30
nC
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=30V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
-
1920
155
116
47.6
2300
-
-
58
pF
BV
DSS
I
DSS
V
DS
=48V, V
GS
= 0V ，T
j
=70
I
GSS
V
th
R
DS （ ON） *
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7.6A
G
FS *
V
DS
= 5V ，我
D
=8.2A
-
-
20
2.4
27
-
S
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
-
-
1.0
-
-
-
-
16
5
100
3.0
22
m
nA
V
V
GS
= 0V时，我
DS
=250 A
V
DS
=48V, V
GS
=0V
60
-
-
-
-
1
A
V
符号
） ，除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250 A
V
GS
= 10V ，我
D
=8.2A
2007. 9. 3
版本号： 1
2/4
KMB8D2N60QA
Fig1 。我
D
- V
DS
40
50
V
GS
=6V
常见的来源
TA = 25℃
脉冲测试
Fig2 。
DS （ ON）
- I
D
常见的来源
TA = 25℃
脉冲测试
上阻抗R
DS （ ON）
(m)
V
GS
=8V, 10V
漏电流I
D
(A)
30
40
30
20
V
GS
=5.5V
V
GS
=4.0V
V
GS
=4.5V
20
10
V
GS
=3.5V
V
GS
=10V
10
0
0
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
40
60
常见的来源
V
DS
=5V
脉冲测试
图四。
DS （ ON）
- T
j
上阻抗R
DS （ ON）
(m)
漏电流I
D
(A)
50
40
30
20
10
30
常见的来源
V
GS
=10V
脉冲测试
20
10
150 C
25 C
-55 C
0
0
1
2
3
4
5
0
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150 175
门源电压V
GS
(V)
结温Tj （ C）
Fig5 。 V
th
- T
j
栅极阈值电压V
th
(V)
5
4
3
2
1
0
-75 -50 -25
常见的来源
V
GS
=V
DS
I
D
=250A
脉冲测试
图6.我
S
- V
SDF
40
常见的来源
TA = 25℃
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
30
20
10
0
0
25
50
75 100 125 150 175
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
结温度T
j
( C)
源极 - 漏极正向电压V
SDF
(V)
2007. 9. 3
版本号： 1
3/4
KMB8D2N60QA
Fig7 。 V
GS
- Q
g
10
3500
V
DS
=30V
Fig8 。 - V
DS
f=1MHz
栅极至源极电压V
GS
(V)
电容C （PF ）
8
6
4
2
I
D
=8.2A
3000
2500
西塞
2000
1500
1000
500
科斯
CRSS
0
0
10
20
30
40
50
0
0
5
10
15
20
25
30
栅极电荷q
g
（ NC ）
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig9 。安全工作区
10
2
100s
漏电流I
D
(A)
10
1
1ms
10ms
10
0
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
100ms
1s
10s
10
-1
10
-2
10
-2
V
GS
=10V
单脉冲
T
A
= 25 C
DC
10
-1
10
0
10
1
10
2
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig10 。瞬态热响应曲线
标准化的有效瞬态热阻
RTH （ C / W ）
10
0
0.5
0.2
0.1
10
-1
0.05
0.02
10
-2
0.01
P
DM
t
1
t
2
单身
- 占空比D =吨
1
/t
2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
10
2
10
3
10
-3
10
-4
方波脉冲持续时间（秒）
2007. 9. 3
版本号： 1
4/4
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