【半导体技术参数概述此刨床条纹MOSFET具有更好的特性，如快速开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和出色】,IC型号KMB6D0DN30QA,KMB6D0DN30QA PDF资料,KMB6D0DN30QA经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

概述

此刨床条纹MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和出色的雪崩

的特点。它主要适用于便携式设备和开关电源。

D

KMB6D0DN30QA

双N沟道沟槽MOSFET

H

T

P

G

L

特点

V

DSS

= 30V ，我

D

=6A.

漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

=28m

R

DS （ ON）

=42m

（最大） @V

GS

=10V

（最大） @V

GS

=4.5V

B1 B2

1

4

8

5

A

超级高密度电池设计

高功率和电流移交能力

暗淡

A

B1

B2

D

G

H

L

P

T

MILLIMETERS

_

4.85

+

0.2

_

3.94

+

0.2

_

0.3

6.02

+

_

0.4

+

0.1

0.15+0.1/-0.05

_

1.63

+

0.2

_

0.65

+

0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

最大额定值（ TA = 25

特征

漏源电压

门源电压

DC

漏电流

除非另有说明）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DP

I

S

P

D

*

1.6

T

j

T

英镑

R

thJA

*

-50~150

-50~150

78

/W

W

PATING

30

20

6

20

1.3

2

单位

V

V

A

A

A

W

FLP-8

脉冲

(note1)

漏源二极管的正向电流

25

漏极功耗

100

最高结温

存储温度范围

热阻，结到环境

* ：表面安装在FR4板，T 10秒。

引脚连接（顶视图）

S1

G1

S2

G2

1

8

D1

D1

D2

D2

1

8

7

6

5

2

7

2

3

3

6

4

5

4

2007. 4. 3

版本号： 0

1/5

KMB6D0DN30QA

电气特性（ TA = 25

特征

STATIC

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态

（注3）

输入Capaclitance

输出继电器容量

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启Delat时间

开启上升时间

开启Deley时间

开启下降时间

源极 - 漏极二极管评级

源极 - 漏极的正向电压

记

1.脉冲测试：脉冲宽度10 ，占空比

1%

*上电特性是可以改变的，因为这些都是试探性的规范。

*图中省略，因为这些是暂定的规格。

V

SDF

I

DR

= 1.7A ，V

GS

=0V

-

0.75

1.2

V

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

r

V

DD

=15V, V

GS

=10V

I

D

= 1A ，R

G

=6

（注1 ）

V

DS

=10V, V

GS

= 5V ，我

D

=6A

V

DS

= 15V ， F = 1MHz时， V

GS

= 0V

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

740

170

75

7

3.8

2.5

8

13

18

8

-

-

-

10

-

-

16

24

ns

29

6

nC

pF

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

th

R

DS （ ON）

V

GS

= 4.5V ，我

D

=4.9A

I

D（上）

G

fs

V

DS

=5V, V

GS

=10A

V

DS

= 10V ，我

D

=6A

-

20

-

35

-

20

42

-

-

A

S

I

D

= 250 A，V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=

25V, V

DS

=0V

30

-

-

1

-

-

-

-

2

24

-

1

100

3

28

m

V

A

A

V

符号

），除非另有说明

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

=V

GS ，

I

D

=250 A

V

GS

= 10.0V ，我

D

=6A

2007. 4. 3

版本号： 0

2/5

KMB6D0DN30QA

Fig1 。我

D

- V

DS

漏源极导通阻抗R

DS （ ON）

()

20

V

GS

=10

V

GS

=4.5

常见的来源

TC = 25℃

脉冲测试

Fig2 。

DS （ ON）

- I

D

0.16

常见的来源

0.14

TC = 25℃

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

16

V

GS

=5

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0

0

5

10

15

V

GS

=10.0

V

GS

=4.5

12

V

GS

=4.0

8

4

0

0

2

4

6

8

10

V

GS

=3.5

V

GS

=3.0

20

漏 - 源极电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Fig3 。我

D

- V

GS

20

常见的来源

V

DS

=5V

脉冲测试

图四。

DS （ ON）

- T

j

50

常见的来源

V

DS

=10V

脉冲测试

归漏源导

电阻R

DS （ ON）

(m)

5

漏电流I

D

(A)

15

40

30

20

10

0

10

125 C

25 C

-55 C

5

0

1

2

3

4

-80

-40

0

40

80

120

160

栅 - 源电压V

GS

(V)

结温Tj （ C）

Fig5 。 V

th

- T

j

栅极阈值电压V

th

(V)

反向漏电流I

DR

(A)

5

常见的来源

V

GS

=V

DS

I

D

=250A

4

脉冲测试

Fig6 。我

DR

- V

SDF

10

8

6

4

2

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

常见的来源

TC = 25℃

脉冲测试

3

2

1

0

-80

-40

0

40

80

120

160

结温Tj （ C）

源 - 漏正向电压V

SDF

(V)

2007. 4. 3

版本号： 0

3/5

KMB6D0DN30QA

Fig7 。瞬态热响应曲线

标准化的有效瞬态

热阻

1

0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

R

θJA

（吨） = R （t）的

R

θJA

R

θJA

= 135℃ / W

T

J

-T

A

？ P

θJA

(t)

占空比D =吨

1

/t

2

10

-2

单一时脉

10

-3

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

1

10

2

10

3

方波脉冲持续时间（秒）

Fig8 。安全工作区

10

2

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

100s

1ms

10ms

100ms

漏电流I

D

(A)

10

1

10

0

1s

DC 10S

10

-1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θJA

= 135℃ / W

T

A

= 25 C

10

-2 -1

10

10

0

10

1

10

2

漏 - 源极电压V

DS

(V)

2007. 4. 3

版本号： 0

4/5

KMB6D0DN30QA

图。 9栅极电荷

VGS

10 V

肖特基

二极管

ID

0.5

VDSS

ID

1.0毫安

V

DS

VGS

Q

QGS

QGD

Qg

图。 10阻性负载开关

RL

VDS

90%

0.5 VDSS

6

VDS

10 V

VGS

10%

t

D（上）

t

D（关闭）

VGS

tr

t

on

t

f

t

关闭

2007. 4. 3

版本号： 0

5/5

半导体

技术参数

概述

此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速开关

时间，低导通电阻，低栅极电荷和出色的雪崩

的特点。它主要适用于便携式设备和DC-DC

转换器应用。

特点

V

DSS

= 30V ，我

D

=6A.

漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

=28m

R

DS （ ON）

=42m

（最大） @V

GS

=10V

（最大） @V

GS

=4.5V

8

KMB6D0DN30QA

双N沟道沟槽MOSFET

H

T

D

P

G

L

A

5

B1 B2

超级高密度电池设计

高功率和电流移交能力

1

4

暗淡

A

B1

B2

D

G

H

L

P

T

MILLIMETERS

_

4.85

+

0.2

_

3.94

+

0.2

_

0.3

6.02

+

_

0.4

+

0.1

0.15+0.1/-0.05

_

1.63

+

0.2

_

0.65

+

0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

最大额定值（ TA = 25

特征

漏源电压

门源电压

DC

漏电流

脉冲

漏源二极管的正向电流

漏极功耗

25

除非另有说明）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DP

I

S

P

D

*

T

j

T

英镑

R

thJA

*

PATING

30

20

6

30

1.7

2

150

-50~150

62.5

/W

单位

V

V

A

A

A

W

FLP-8

最高结温

存储温度范围

热阻，结到环境

Note> *表面装在FR4板，T 10秒。

KMB6D0DN

30QA

引脚连接（顶视图）

S1

G1

S2

G2

1

8

D1

D1

D2

D2

1

2

3

8

7

6

5

2

7

3

6

4

5

4

2008. 3. 21

版本号： 1

1/5

KMB6D0DN30QA

电气特性（ TA = 25

特征

STATIC

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

漏源导通电阻

通态漏电流

正向跨导

动态

输入电容

输出继电器容量

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

源极 - 漏极二极管评级

源极 - 漏极的正向电压

Note> *脉冲测试：脉冲宽度

300

V

SDF

*

，占空比

I

DR

= 1.7A ，V

GS

=0V

2%

-

0.75

1.2

V

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

*

Q

gs

*

Q

gd

*

t

D（上）

*

t

r

*

t

D（关闭）

*

t

f

*

V

DD

=15V, V

GS

=10V

I

D

= 1A ，R

G

=6

V

DS

=15V, V

GS

= 10V ，我

D

=2A

V

DS

= 15V ， F = 1MHz时， V

GS

=0V

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

576

111

75

12.5

2.0

2.8

7.8

11.6

15.3

16

-

-

-

-

-

-

-

-

ns

-

-

nC

pF

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

th

R

DS （ ON）

*

V

GS

= 4.5V ，我

D

=5A

I

D（上）

*

g

fs

*

V

DS

=5V, V

GS

=10V

V

DS

= 5V ，我

D

=6A

-

20

-

35

-

20

42

-

-

A

S

I

D

= 250 A，V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

V

GS

=

20V, V

DS

=0V

30

-

-

1.0

-

-

-

-

1.7

24

-

1

100

2.5

28

m

V

A

nA

V

符号

），除非另有说明

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

=V

GS ，

I

D

=250 A

V

GS

= 10V ，我

D

=6A

2008. 3. 21

版本号： 1

2/5

KMB6D0DN30QA

Fig1 。我

D

- V

DS

10

Fig2 。

DS （ ON）

- I

D

漏源极导通阻抗R

DS （ ON）

()

0.16

常见的来源

0.14

TA = 25℃

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

8

V

GS

=10, 9, 8, 7, 6, 5, 4V

0.12

0.1

0.08

0.06

0.04

0.02

0

0

5

10

15

V

GS

=10.0

V

GS

=4.5

6

4

2

V

GS

=2.5V

V

GS

=1.5V

0

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

20

漏 - 源极电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

Fig3 。我

D

- V

GS

归在阻抗R

DS （ ON）

25

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0

V

GS

= 10V

I

D

= 6A

图四。

DS （ ON）

- T

j

漏电流I

D

(A)

20

15

10

5

0

125 C

25 C

-55 C

0

1.0

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

-75

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

栅 - 源电压V

GS

(V)

结温Tj （ C）

Fig5 。 V

th

- TJ

归一化的阈值电压V

th

反向漏电流I

DR

(A)

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

-75

V

DS

= V

GS

I

D

= 250A

Fig6 。我

S

- V

SDF

40

10

1

-50

-25

0

25

50

75

100 125 150

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

结温Tj （ C）

源 - 漏极电压V

SDF

(V)

2008. 3. 21

版本号： 1

3/5

KMB6D0DN30QA

Fig7 。 - V

DS

1200

1000

10

Fig8 。 QG - V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

V

DS

= 15

V

I

D

= 2A

8

电容（pF）

800

600

400

200

0

科斯

6

西塞

4

2

CRSS

0

0

3

6

9

12

15

0

5

10

15

20

25

30

漏 - 源极电压V

DS

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

10

2

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

100s

1ms

10ms

100ms

漏电流I

D

(A)

10

1

10

0

1s

DC 10S

10

-1

V

GS

= 10V

单脉冲

R

θJA

= 62.5 C / W

10

-2 -1

10

10

0

10

1

10

2

漏 - 源极电压V

DS

(V)

Fig10 。瞬态热响应曲线

标准化的有效瞬态

热阻

1

0.5

0.2

10

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

P

DM

t

1

t

2

单一时脉

R

θJA

= 62.5 C / W

10

-2

10

-3

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

1

10

2

10

3

方波脉冲持续时间（秒）

2008. 3. 21

版本号： 1

4/5

KMB6D0DN30QA

Fig11 。栅极电荷

VGS

10 V

肖特基

二极管

ID

0.5

VDSS

ID

1.0毫安

V

DS

VGS

Q

QGS

QGD

Qg

Fig12 。阻性负载开关

RL

VDS

90%

0.5 VDSS

6

VDS

VGS

10%

t

D（上）

tr

t

on

t

D（关闭）

10 V

VGS

t

f

t

关闭

2008. 3. 21

版本号： 1

5/5

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