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半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速切换时间，低
导通电阻，低栅极电荷和优异的雪崩characteristiscs 。这主要是
适用于负荷开关及背光逆变器。
D
KMB4D5DN60QA
双N沟道沟槽MOSFET
H
T
P
G
L
特点
V
DSS
= 60V ，我
D
=4.5A.
漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
= 56米（最大） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 77米（最大） @ V
GS
=4.5V
8
5
B1 B2
1
4
A
MOSFET的最大额定值（Ta = 25
特征
漏源电压
门源电压
漏电流
DC@Ta=25
脉冲
漏源二极管的正向电流
漏极功耗
@Ta=25
除非另有说明）
SYMBOL PATING
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
I
S
P
D
*
T
j
T
英镑
R
thJA
*
60
20
4.5
20
3
2
150
-55~150
62.5
/W
单位
V
V
A
A
A
W
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
FLP-8
最高结温
存储温度范围
热阻，结到环境
KMB4D5DN
60QA
Note> *表面装在1 “ 1 ” FR4板，T 10秒。
引脚连接（顶视图）
S
1
G
1
S
2
G
2
1
8
D
1
D
1
D
2
D
2
1
2
3
4
8
7
6
5
2
7
3
6
4
5
2008. 5. 27
版本号： 0
1/4
KMB4D5DN60QA
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入Capaclitance
输出继电器容量
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
Note> *脉冲测试：脉冲宽度300
V
SDF
*
V
GS
= 0V时，我
S
=1A
-
0.7
1.0
V
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
C
国际空间站
*
C
OSS
*
C
RSS
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
V
DS
=30V, V
GS
=10V
I
D
=4.5 , R
G
=3
V
DS
=30V, V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
DS
=30V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
490
45
25
10.4
5.1
2.3
2.2
12.4
34.5
30.7
5.0
-
-
-
-
-
nC
-
-
-
-
ns
-
-
pF
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
R
DS （ ON）
*
g
fs
*
V
GS
= 0V时，我
DS
=250 A
V
GS
=0V, V
DS
=48V
V
GS
= 20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250 A
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
V
DS
= 5V ，我
D
=4.5A
60
-
-
1.0
-
-
-
-
-
-
-
46
64
11
-
1
100
3.0
56
77
-
m
S
V
A
nA
V
符号
） ，除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
，占空比2％
2008. 5. 27
版本号： 0
2/4
KMB4D5DN60QA
Fig1 。我
D
- V
DS
20
V
GS
=4.5V
Fig2 。
DS （ ON）
- I
D
100
T
a
=25 C
上阻抗R
DS （ ON）
(m)
V
GS
=10V
90
80
70
60
50
40
30
20
0
5
10
15
20
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
漏电流I
D
(A)
15
V
GS
=5.0V
V
GS
=4.0V
10
5
V
GS
=3.5V
0
0
1
2
3
4
5
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏电流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
汲极SourceOn ，阻抗R
DS （ ON）
(m)
20
V
DS
=5V
图四。
DS （ ON）
- T
j
150
V
GS
= 10V ，我
D
=4.5A
漏电流I
D
(A)
120
90
60
30
0
-75
15
10
5
125 C
25 C
0
0
1
2
3
4
5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
门源电压V
GS
(V)
结温Tj （ C）
Fig5 。 V
th
- T
j
栅极阈值电压V
th
(V)
5
4
3
2
1
0
-75
图6.我
S
- V
SDF
100
V
GS
=V
DS
I
D
=250A
漏电流I
S
(A)
10
1
0.1
0.01
0.001
125 C
25 C
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
结温Tj （ C）
源极 - 漏极正向电压V
SDF
(V)
2008. 5. 27
版本号： 0
3/4
KMB4D5DN60QA
Fig7 。 V
GS
- Q
g
10
Fig8 。 - V
DS
800
f=1MHz
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
DS
=30V
I
D
=4.5A
电容C （PF ）
8
6
4
2
0
0
600
C
国际空间站
400
200
C
OSS
0
2
4
6
8
10
12
0
C
RSS
10
20
30
40
栅极电荷q
g
（ NC ）
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig9 。安全工作区
10
2
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
漏电流I
D
(A)
10
1
200s
10
0
1ms
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
-1
V
GS
= 10V
单脉冲
10
-2
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig9 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
占空比= 0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
单脉冲
t
1
10
-2
0.02
1.占空比D =
t
2
2.每单位基础= R
thJA
= 62.5 C / W
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-4
方波脉冲持续时间TW （秒）
2008. 5. 27
版本号： 0
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