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半导体

技术参数

概述

它特别适合用于切换诸如DC / DC转换器。

它被驱动低至4.5V和快速开关，效率高。

KMB3D5PS30QA

SBD和P沟道沟槽MOSFET

H

特点

V

DSS

= -30V ，我

D

=-3.5A.

漏极 - 源极导通电阻。

R

DS （ ON）

= 85米（最大） @ V

GS

=-10V

R

DS （ ON）

= 180米（最大） @ V

GS

=-4.5V

8

T

D

P

G

L

A

5

B1 B2

1

4

MOSFET的最大额定值（Ta = 25

特征

漏源电压

门源电压

DC

漏电流

脉冲

25

漏极功耗

100

最高结温

存储温度范围

热阻，结到环境

注： * Sorface安装在FR4板

除非另有说明）

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

I

DP

P

D

*

1

T

j

T

英镑

R

thJA

*

150

-55~150

90

/W

W

PATING

-30

20

-3.5

-20

1.4

单位

V

V

A

A

W

暗淡

A

B1

B2

D

G

H

L

P

T

MILLIMETERS

_

4.85

+

0.2

_

3.94

+

0.2

_

0.3

6.02

+

_

0.4

+

0.1

0.15+0.1/-0.05

_

1.63

+

0.2

_

0.65

+

0.2

1.27

0.20+0.1/-0.05

FLP-8

记号

型号名称

KMB3D5PS

30QA

702

LOT号

肖特基二极管最大额定值（Ta = 25

特征

反向重复峰值电压

平均正向电流

除非另有说明）

PATING

30

1.4

单位

V

A

符号

V

RRM

I

F

引脚连接（顶视图）

A

A

S

G

1

8

C

C

D

D

1

2

3

8

7

6

5

2

7

3

6

4

5

4

2007. 8. 13

版本号： 2

1/5

KMB3D5PS30QA

电气特性（ TA = 25

特征

STATIC

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向跨导

动态

（注3）

输入Capaclitance

输出继电器容量

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

开启Delat时间

开启上升时间

开启Deley时间

开启下降时间

源极 - 漏极二极管评级

源极 - 漏极的正向电压

记

1.脉冲测试：脉冲宽度

10

，占空比

1%

V

SDF

I

DR

= -1.7A ，V

GS

=0V

-

-

-1.2

V

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

r

V

DD

=-10V, V

GS

=-10V

I

D

=10 , R

G

=50

（注1 ）

V

DS

=-10V, V

GS

= -10V ，我

D

=-2.5A

V

DS

= -10V ， F = 1MHz的

-

-

-

-

-

-

-

-

-

-

550

210

50

8.7

1.9

1.3

7

9

14

8

-

-

-

-

-

-

-

-

ns

-

-

nC

pF

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

th

R

DS （ ON）

V

GS

= -4.5V ，我

D

=-1.8A

G

fs

V

DS

= -10V ，我

D

=-2.5A

-

-

125

5.0

180.0

-

S

I

D

= -250 A，V

GS

=0V

V

DS

=-30V, V

GS

=0V

V

GS

=

20V, V

DS

=0V

-30

-

-

-1.0

-

-

-

-

-

66

-

-1

100

-3.0

85.0

m

V

A

nA

V

符号

），除非另有说明

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

V

DS

=V

GS ，

I

D

=-250 A

V

GS

= -10.0V ，我

D

=-2.5A

肖特基二极管电气特性

特征

正向电压降

反向漏电流

结Capactitance

符号

V

F

I

R

C

T

I

F

=1.0A

V

R

=30V

V

R

=10V

测试条件

分钟。

-

-

-

典型值。

0.45

0.004

62

马克斯。

0.5

0.1

-

单位

V

mA

PF

2007. 8. 13

版本号： 2

2/5

KMB3D5PS30QA

Fig1 。我

D

- V

GS

20

10.0V

5.0V 4.5V

4.0V

Fig2 。

DS （ ON）

- I

D

漏源极导通阻抗R

DS （ ON）

()

常见的来源

Tc=25

C

脉冲测试

3.5V

0.4

0.32

0.24

0.16

漏电流I

D

(A)

16

12

8

常见的来源

Tc=25

C

脉冲测试

V

GS

=3.0V

V

GS

=4.5V

4

0

0

2

4

6

8

10

0.08

V

GS

=10V

0

0

3

6

9

12

漏 - 源极电压V

GS

(V)

漏 - 电流I

D

(A)

Fig3 。我

D

- V

GS

20

常见的来源

V

DS

=10V

脉冲测试

25

C

125

C

图四。

DS （ ON）

- T

j

200

常见的来源

V

DS

=10V

脉冲测试

I

D

=2.5A

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

(m)

漏电流I

D

(A)

16

12

8

4

0

1

160

120

80

40

0

Tc=-55

C

2

3

4

5

-80

-40

0

40

80

120

160

门源Volatage VGS （ V）

结温Tj （ C）

Fig5 。 V

th

- T

j

相反的源极 - 漏极电流I

DR

(A)

栅极阈值电压V

th

(V)

5

常见的来源

V

GS

=V

DS

I

D

=250A

4

脉冲测试

Fig6 。我

DR

- V

SDF

10

8

6

4

2

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

常见的来源

TC = 25℃

脉冲测试

3

2

1

0

-80

-40

0

40

80

120

160

结温Tj （ C）

源 - 漏正向电压V

SDF

(V)

2007. 8. 13

版本号： 2

3/5

KMB3D5PS30QA

Fig7 。正向电压降

10

10

2

Fig8 。安全工作区

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

正向电流I

F

(A)

漏电流I

D

(A)

8

6

4

2

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

10

1

1ms

10

0

10ms

100ms

10

-1

V

GS

= 10V

单脉冲

10

-2

Tj=25

C

1s

10s

DC

Tj=-50

C

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

正向压降V

F

(V)

漏 - 源极电压V

DS

(V)

Fig9 。瞬态热响应曲线

标准化的有效瞬态

热阻

10

0

占空比= 0.5

0.2

10

-1

P

DM

t

1

t

2

占空比D =吨

1

/t

2

单一时脉

0.1

0.05

0.02

10

-2

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

10

1

10

2

10

3

方波脉冲持续时间（秒）

2007. 8. 13

版本号： 2

4/5

KMB3D5PS30QA

Fig10 。门充电电路和波形

VGS

10 V

肖特基

二极管

ID

0.5

VDSS

ID

1.0毫安

V

DS

VGS

Q

QGS

QGD

Qg

Fig11 。阻性负载开关

RL

VDS

90%

0.5 VDSS

50

VDS

10 V

VGS

10%

t

D（上）

t

D（关闭）

VGS

tr

t

on

t

f

t

关闭

2007. 8. 13

版本号： 2

5/5

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