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半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速开关
时间，低导通电阻，低栅极电荷和出色的雪崩
的特点。它主要适用于便携式设备和开关电源。
KMB3D0P30SA
P沟道沟槽MOSFET
L
E
B
L
特点
A
H
2
G
1
3
V
DSS
= -30V ，我
D
=-3A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= 80米（最大） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 140米（最大） @ V
GS
=-4.5V
超级通断密集单元设计
P
P
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
C
N
K
M
SOT-23
最大额定值（ TA = 25
特征
漏源电压
栅源电压
DC @ T
A
=25
漏电流
DC @ T
A
=70
脉冲
漏源二极管正向电流
漏极功耗
T
A
=25
T
A
=70
最高结温
存储温度范围
热阻，结到环境
注： * Sorface安装在FR4板
引脚连接（顶视图）
T
j
T
英镑
R
thJA
*
I
DP
I
S
P
D
*
0.8
150
-55 150
100
/W
)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
-2.5
-12
-1.25
1.25
W
A
A
N沟道
-30
20
-3
单位
V
V
D
3
3
2
1
2
1
G
S
2007. 6. 28
版本号： 1
J
D
1/5
KMB3D0P30SA
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入Capaclitance
输出继电器容量
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启Delat时间
开启上升时间
开启Deley时间
开启下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
注1> *：脉冲测试：脉冲宽度<300
V
SDF
*
V
GS
= 0V时，我
DR
=-1.25A
-
-
-1.2
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
r
*
V
DD
=-15V, V
GS
=-10V
I
D
= -1A ，R
G
=6
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz时，
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
565
126
75
10
1.9
2
10
9
27
7
-
-
-
15
-
-
20
20
ns
50
16
nC
pF
BV
DSS
I
DSS
V
GS
=0V, V
DS
= -24V ，T
j
=55
I
GSS
V
th
R
DS （ ON）
*
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2.5A
g
fs
*
V
DS
= -10V ，我
D
=-3A
-
-
103
4.5
140
-
S
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
-
-
-1.0
-
-
-
-
64
-10
100
-
80
m
nA
V
I
DS
= -250 A，V
GS
=0V,
V
GS
=0V, V
DS
=-24V
-30
-
-
-
-
-1
A
V
符号
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250 A
V
GS
= -10V ，我
D
=-3A
，占空比< 2 ％
2007. 6. 28
版本号： 1
2/5
KMB3D0P30SA
Fig1 。我
D
- V
DS
漏源极导通阻抗R
DS （ ON）
()
12
10.0V
Fig2 。
DS
-I
D
200
常见的来源
Tc=25
C
脉冲测试
5.0V
3.5V
4.5V
漏电流I
D
(A)
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
4.0V
V
GS
=4.5V
100
V
GS
=10V
V
GS
=3.0V
0
0
4
8
12
16
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 电流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
12
常见的来源
V
DS
=5V
脉冲测试
图四。
DS （ ON）
- T
j
120
常见的来源
V
DS
= 10V ，我
D
=3A
脉冲测试
归漏源
上阻抗R
DS （ ON）
(m)
漏电流I
D
(A)
100
80
60
40
20
0
8
4
25
C
125
C
-55
C
0
0
1
2
3
4
5
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
门源Volatage V
GS
(V)
结温Tj （ C）
Fig5 。 V
th
- T
j
相反的源极 - 漏极电流I
DR
(A)
栅极阈值电压V
th
(V)
5
常见的来源
V
GS
=V
DS
I
D
=250A
4
脉冲测试
Fig6 。我
DR
- V
SDF
10
8
6
4
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
常见的来源
TC = 25℃
脉冲测试
3
2
1
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
结温度T
j
( C)
源 - 漏正向电压V
SDF
(V)
2007. 6. 28
版本号： 1
3/5
KMB3D0P30SA
Fig7 。安全工作区
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
漏电流I
D
(A)
10
1
1毫秒
10
0
10毫秒
100毫秒
1s
10s
DC
V
GS
= 10V
单脉冲
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
30
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig8 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
t
2
单身
10
-1
10
-2
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
- 税= T / T
10
2
500
方波脉冲持续时间（秒）
2007. 6. 28
版本号： 1
4/5
KMB3D0P30SA
Fig9 。门充电电路和波形
VGS
-4.5V
ID
肖特基
二极管
0.5 VDSS
1.0毫安
ID
V
DS
QGS
VGS
QGD
Qg
Q
Fig10 。阻性负载开关
RL
t
D（上）
V
GS
t
on
tr
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
0.5 V
DSS
50
V
DS
-10 V
10%
VGS
V
DS
90%
2007. 6. 28
版本号： 1
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