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半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速开关
时间，低导通电阻，低栅极电荷和出色的雪崩
的特点。它主要适用于便携式设备和开关电源。
KMB2D0N60SA
N沟道沟槽MOSFET
L
E
B
L
特点
A
H
2
G
1
3
V
DSS
= 60V ，我
D
=2A
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
= 160米（最大） @ V
GS
=10V
R
DS （ ON）
= 220米（最大） @ V
GS
=4.5V
超级通断密集单元设计
P
P
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.40+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
C
N
K
M
SOT-23
最大额定值（ TA = 25
特征
漏源电压
栅源电压
)
符号
V
DSS
V
GSS
N沟道
60
20
2.0
I
D
1.6
I
DP
I
S
P
D
0.8
T
j
T
英镑
R
thJA
0.6mm)
150
-55 150
100
/W
10
1.0
1.25
W
A
A
单位
V
V
DC @ T
A
=25
漏电流
DC @ T
A
=70
脉冲
漏源二极管正向电流
漏极功耗
T
A
=25
T
A
=70
最高结温
存储温度范围
热阻，结到环境
注：包安装在99.5 ％的氧化铝（ 10 8
引脚连接（顶视图）
KND
D
3
3
2
1
2
1
G
S
2007. 4. 17
版本号： 0
J
D
1/5
KMB2D0N60SA
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
2Drain源导通电阻
BV
DSS
I
DSS
V
GS
=0V, V
DS
= 60V ， TJ = 55
I
GSS
V
th
R
DS （ ON）
*
V
GS
= 4.5V ，我
D
=1.7A
通态漏电流
正向跨导
动态
输入Capaclitance
输出继电器容量
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启Delat时间
开启上升时间
开启Deley时间
开启下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
注1> *：脉冲测试：脉冲宽度<300
V
SDF
*
V
GS
= 0V时，我
DR
=1A
-
0.77
1.2
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
r
*
V
DD
=30V, V
GS
=4.5V
I
D
= -1A ，R
G
=6
（注1 ）
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
I
DS
= 250 A，V
GS
=0V,
V
GS
=0V, V
DS
=60V
60
-
-
-
1.5
-
-
6
4
-
-
-
-
-
-
125
155
-
-
4.6
-
0.5
V
A
10
100
-
160
m
220
-
-
-
S
nA
V
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250 A
V
GS
= 10V ，我
D
=2A
I
D（上）
*
g
fs
*
V
GS
V
GS
10V, V
DS
=4.5V
4.5V, V
DS
=4.5V
V
DS
= 4.5V ，我
D
=2.0A
-
V
DS
= 25V ， F = 1MHz时， V
GS
= 0V
-
-
-
V
DS
=30V, V
GS
= 10V ，我
D
=2A
-
-
-
-
-
-
240
50
15
4.8
0.8
1.0
7
10
17
6
-
-
-
10
-
-
15
20
ns
35
15
nC
pF
，占空比< 2 ％
2007. 4. 17
版本号： 0
2/5
KMB2D0N60SA
Fig1 。我
D
- V
DS
漏源极导通阻抗R
DS （ ON）
()
10
10V
5.0V
常见的来源
Tc=25
C
脉冲测试
4.5V
Fig2 。
DS （ ON）
- I
D
500
400
300
200
V
GS
=10V
常见的来源
Tc=25
C
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
6
4
V
GS
=4.5V
4.0V
2
0
0
2
4
6
8
3.5V
V
GS
=3V
100
0
0
4
8
12
16
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 电流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
10
常见的来源
250
图四。
DS （ ON）
- T
j
常见的来源
V
DS
= 10V ，我
D
=2A
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
8
6
4
V
DS
=5V
脉冲测试
归漏源
上阻抗R
DS （ ON）
(m)
200
150
100
50
25
C
2
0
0
1
2
125
C
-55
C
3
4
5
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
门源Volatage V
GS
(V)
结温Tj （ C）
Fig5 。 V
th
- T
j
栅极阈值电压V
th
(V)
5
常见的来源
10
8
6
4
2
0
0
0.4
Fig6 。我
S
-V
SDF
常见的来源
Tc=25
C
脉冲测试
3
2
1
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
漏电流I
D
(A)
V
GS
=V
DS
I
D
=250A
4
脉冲测试
0.8
1.2
1.6
2.0
结温Tj （ C）
源 - 漏正向电压V
SDF
(V)
2007. 4. 17
版本号： 0
3/5
KMB2D0N60SA
Fig7 。瞬态热响应曲线
归一化瞬时
热阻
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单身
P
DM
t
1
t
2
- 税= T / T
0.01
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
10
2
500
时间t（秒）的
2007. 4. 17
版本号： 0
4/5
KMB2D0N60SA
Fig8 。门充电电路和波形
VGS
10 V
肖特基
二极管
ID
0.5
VDSS
ID
1.0毫安
V
DS
VGS
Q
QGS
QGD
Qg
Fig9 。阻性负载开关
RL
V
DS
90%
0.5 VDSS
6
VDS
10 V
V
GS
10%
t
D（上）
t
D（关闭）
VGS
tr
t
on
t
f
t
关闭
2007. 4. 17
版本号： 0
5/5
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