【半导体技术参数概述它主要适用于低电压应用，如汽车，直流/直流转换器和电池供电应用的负载开关EAKMB】,IC型号KMB080N75PA,KMB080N75PA PDF资料,KMB080N75PA经销商,ic,电子元器件-51电子网

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半导体

技术参数

概述

它主要适用于低电压应用，如汽车，

直流/直流转换器和电池供电应用的负载开关

E

A

KMB080N75PA

N沟道MOS场

场效应晶体管

O

C

F

G

B

Q

DIM毫米

_

9.9 + 0.2

A

B

C

D

E

特点

V

DSS

= 75V ，我

D

= 80A

漏极 - 源极导通电阻：

R

DS （ ON）

= 12米（最大） @V

GS

= 10V

D

I

K

M

L

P

F

G

H

J

H

I

J

K

L

M

N

O

15.95 MAX

1.3+0.1/-0.05

_

0.8 + 0.1

_

3.6 + 0.2

_

2.8 + 0.1

3.7

0.5+0.1/-0.05

1.5

_

13.08 + 0.3

1.46

_

1.4 + 0.1

_

1.27 + 0.1

_

2.54 + 0.2

_

4.5 + 0.2

_

2.4 + 0.2

_

9.2 + 0.2

MOSFET的最大额定值（ TA = 25

特征

漏源电压

栅源电压

DC

漏电流

脉冲（注1 ）

漏源二极管的正向电流

漏极功耗

最高结温

存储温度范围

注1）脉冲测试：脉冲宽度

I

DP

I

S

除非另有说明）

等级

75

25

80

320

80

300

-55 175

-55 175

1%

单位

V

V

A

A

A

W

1

N

N

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

*

2

3

1.门

2.漏

3.源

P

Q

TO-220AB

P

D

* 25

T

j

T

英镑

[10] S占空比

热特性

特征

热阻，结到环境

热阻，结到外壳

符号

R

thJA

R

thJC

等级

62.5

0.5

单位

/W

/W

等效电路

D

G

S

2007. 10. 31

版本号： 2

1/6

KMB080N75PA

MOSFET电气特性（Ta = 25

特征

除非另有说明）

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

STATIC

漏源击穿电压

排水截止电流

栅极漏电流

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向跨导

BV

DSS

I

DSS

I

GSS

V

th

R

DS （ ON）

g

FS

I

D

= 250 A，V

GS

=0V

V

DS

=75V, V

GS

=0V,

V

GS

= 20V, V

DS

=0V

V

DS

=V

GS

, I

D

=250 A

V

GS

= 10V ，我

D

=40A

V

DS

= 15V ，我

D

=40A

75

-

-

2

-

-

-

-

-

-

10

20

-

10

100

4

12

-

V

A

nA

V

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

注1 ）脉冲测试：脉冲宽度

10秒，占空比

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

1%.

V

DD

= 30.5V

I

D

=40A

R

G

=25

(Note1,2)

-

-

66

30

-

-

ns

V

DS

= 60V,

V

GS

= 10V,

I

D

=40A

(Note1,2)

V

DS

=25V, V

GS

= 0V ， F = 1.0MHz的

-

-

-

-

-

-

-

-

3700

730

240

117

27

47

25

25

-

-

-

-

-

nC

-

-

-

pF

注2 ）基本上是独立的工作温度。

二极管的电气特性（Ta = 25

特征

二极管的正向电压

反向恢复时间

除非另有说明）

符号

V

SD

T

rr

测试条件

I

SD

= 80A ，V

GS

=0V

V

GS

= 0V时，我

S

= 80A ， DIF / DT = 100A / S

分钟。

-

-

典型值。

-

132

马克斯。

1.5

-

单位

V

记号

1

九巴

080N75P

A

701

2

1

产品名称

2

批号

2007. 10. 31

版本号： 2

2/6

KMB080N75PA

图1.我

D

- V

DS

300

10V

常见的来源

T

C

=25 C

脉冲测试

7V

图2。R

DS （ ON）

- I

D

10

常见的来源

T

C

=25 C

脉冲测试

漏电流I

D

(A)

240

180

120

60

9V

ON - 电阻r

DS （ ON）

(m)

9.6

9.2

V

GS

= 10V

6V

8.8

8.4

8.0

V

GS

=5V

0

0

4

8

12

16

20

0

20

40

60

80

100

漏 - 源极电压V

DS

(V)

漏电流I

D

(A)

图3.我

D

- V

GS

300

2.2

V

GS

= 10V

I

DS

= 40A

图4.

DS （ ON）

- TJ

归一化导通电阻

10

漏电流I

D

(A)

240

180

120

60

0

T

C

=25 C

1.8

1.4

1.0

0.6

0.2

0

2

4

6

8

-50

0

50

100

150

栅 - 源电压V

GS

(V)

结温Tj （ C）

图5. VTH - TJ

1.1

1.0

0.9

0.8

0.7

V

DS

= V

GS

I

D

= 250A

图6.我

DR

- V

DSF

V

GS

= 0

250μs的脉冲测试

反向漏电流I

S

(A)

归一化导通电阻

10

1

150 C

10

0

25 C

0.6

-50

0

50

100

150

10

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

结温Tj （ C）

源 - 漏极电压V

SD

(V)

2007. 10. 31

版本号： 2

3/6

KMB080N75PA

图7的Qg - V

GS

栅 - 源电压V

GS

(V)

15

12

9

6

3

0

0

30

60

90

120

150

10000

图8. - V

DS

f=1MHz

V

GS

=0V

8000

电容（pF）

6000

4000

2000

0

0

10

20

30

40

50

西塞

科斯

CRSS

门 - 电荷Qg （ NC）

漏 - 源极电压V

DS

(V)

图9.安全工作区

10

3

漏极电流ID （ A）

10

2

R

DS

N

(O

LIM

)

ITS

100s

1ms

10ms

DC

10

1

10

0

10

-1 -1

10

10

0

10

1

10

2

10

3

漏 - 源极电压V

DS

(V)

图10.

th

归一化瞬态热阻

1

Duty=0.5

0.2

0.1

P

DM

t

1

t

2

0.1

0.05

0.02

0.01

- 占空比，D = T

1

/t

2

单脉冲

- R

thJC

=

0.01

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

T

J（下最大）

- T

c

P

D

10

0

10

1

方波脉冲持续时间（秒）

2007. 10. 31

版本号： 2

4/6

KMB080N75PA

- 栅极电荷

VGS

-4.5V

I

D

肖特基

二极管

0.8× V

DSS

I

D

1.0毫安

Q

V

DS

V

GS

QGS

QGD

Qg

- 阻性负载开关

RL

t

on

0.5× VDSS

V

DS

6

V

DS

10V

V

GS

V

GS

90%

10%

t

D（上）

tr

t

关闭

t

D（关闭）

tf

- 单脉冲雪崩能量

1

EAS =

LI

AS2

2

BV

DSS

BV

DSS

- V

DD

BV

DSS

L

I

AS

0.5× VDSS

25

V

DS

10 V

I

D

(t)

VGS

V

DD

V

DS

(t)

时间

tp

2007. 10. 31

版本号： 2

5/6

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