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半导体
技术参数
概述
它主要适用于电池或电源管理手机，
和PDA 。
A
F
KMA4D5P20X
P沟道沟槽MOSFET
特点
V
DSS
= -20V ，我
D
=-4.5A.
漏极 - 源极导通电阻。
: R
DS （ ON）
= 60米（最大） @ V
GS
=-4.5V,.I
D
=-4.5A
: R
DS （ ON）
= 110米（最大） @ V
GS
=-2.5V,.I
D
=-3.3A
超级高密度电池设计极低R
DS （ ON）
G
1
3
6
4
B1
B
C
E
D1 D
D2
暗淡
A
B
B1
C
D
D1
D2
E
F
G
MILLIMETERS
_
2.926 + 0.05
_ 0.15
2.80 +
_
1.626 + 0.05
_ 0.05
0.15 +
1.25 MAX
_
1.10 + 0.05
0~0.10
_
0.45 + 0.08
_
0.95 + 0.05
_ 0.05
0.40 +
最大额定值（ TA = 25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
连续源电流
漏极功耗
最高结温
存储温度范围
DC
)
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
*
I
S
等级
-20
12
4.5
16
-1.3
2.0
1.3
150
-55 150
62.5
/W
单位
V
V
A
A
W
TSOP-6
脉冲
记号
型号名称
Ta=25
Ta=70
P
D
*
T
j
T
英镑
R
thJA
*
兆帕
LOT号
热阻，结到环境
*：表面安装1
1 FR4板，T 5秒。
引脚连接（顶视图）
D DDD
D
D
G
1
6
D
D
S
2
5
3
4
G
S
2006. 8. 22
版本号： 1
1/5
KMA4D5P20X
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
（注3）
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
BV
DSS
I
DSS
V
th
I
GSS
R
DS （ ON）
g
fs
I
D
= -250 A，V
GS
=0V
V
GS
=0V, V
DS
=-20V
V
GS
=0V,V
DS
=-16V,
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250 A
V
GS
=
12V, V
DS
=0V
（注2 ）
（注2 ）
（注2 ）
Tj=70
（注3）
-20
-
-
-0.6
-
-
-
-
-
-
-
-
-
49
85
7
-
-1
-5
-1.3
100
60
110
-
V
A
V
nA
m
S
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4.5A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-3.3A
V
DS
= -5V ，我
D
=-4.5A
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
二极管的正向电压
注2 ）脉冲测试：脉冲宽度300
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
= -10V ，R
D
=2.2
V
GS
=-4.5V
(Fig.1)
V
DS
= -10V ，R
D
=2.2
V
GS
= -4.5V
G
=6
(Fig.2)
-
-
-
-
-
-
-
8.5
1.8
2.9
12
32
64
40
-
-
-
-
-
-
-
ns
nC
I
S
V
SD
，占空比2％
V
GS
＆ LT ; V
th
I
S
= -4.5A ，V
GS
=0V
（注1 ）
（注2 ）
1 FR4板。
-
-
-
-
-1.3
-1.3
A
V
注1）基于散热结点到环境，同时安装在一个1
注3 ）通过设计保证，不受生产测试。
2006. 8. 22
版本号： 1
2/5
KMA4D5P20X
I
D
- V
DS
20
-
3.5V
-
5V
-
20
I
D
- V
GS
V
D
=V
G
漏电流I
D
(A)
16
-
4.5V
-
4V
-
3V
漏电流I
D
(A)
-
15
-55 C
25 C
125
C
12
-
2.5V
-
10
8
4
0
0
-
0.5
-
1
-
1.5
-
2
-
2.5
-
2V
-1.5
V
-
5
0
-
3
0
-
1
-
2
-
3
-
4
-
5
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
VTH - TJ
归一化的阈值电压Vth
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
-0.1
-0.2
-0.3
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
R
DS （ ON）
- I
D
0.4
ON - 电阻r
DS （ ON）
(m)
I
D
=
-
250A
0.32
0.24
0.16
V
GS
= -2.5V
0.08
V
GS
= -4.5V
0
0
-
5
-
10
-15
-
20
结温度T
j
( C)
漏极电流ID （ A）
I
S
- V
SD
-
100
R
DS （ ON）
- TJ
1.6
1.5
V
GS
= -
4.5
V
I
D
=
-
4.2A
反向漏电流I
S
(A)
归一化导通电阻
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
-
10
-
1
TJ = 150℃
TJ = 25℃
-
0.1
-
0
-
0.2
-
0.4
-
0.6
-
0.8
-
1
-
1.2
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射TJ （ C）
2006. 8. 22
版本号： 1
3/5
KMA4D5P20X
- V
DS
1000
800
-
5
频率= 1MHz的
QG - V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
V
D
= -10V
I
D
= -4.5A
-
4
电容（pF）
西塞
600
400
科斯
-
3
-
2
200
0
CRSS
-
1
0
0
2
4
6
8
0
-
5
-
10
-
15
-
20
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
R
th
归一化瞬态热阻
10
1
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
0.02
P
DM
t
1
10
-2
单脉冲
t
2
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
a
- R
thJA
=
P
D
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-4
方波脉冲持续时间（秒）
2006. 8. 22
版本号： 1
4/5
KMA4D5P20X
图。 1栅极电荷
VGS
-4.5 V
肖特基
二极管
ID
0.5
VDSS
1.0毫安
ID
V
DS
VGS
Q
QGS
QGD
Qg
图。 2阻性负载开关
RL
t
D（上）
t
on
tr
t
D（关闭）
t
关闭
t
f
0.5 VDSS
6
VGS
10%
V
DS
-4.5 V
VGS
VDS
90%
2006. 8. 22
版本号： 1
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