KM68V257E / EL ， KM68V257EI / ELI
文档标题
32Kx8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
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2.删除数据保留
3.的Relex待机电流
项
前
I
sb1
0.3mA
数据稿
8月1日1998年
九月7， 1998
备注
初步
最终科幻
当前
0.5mA
2mA
备注
L-版本。
正常
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版0.0
1998年8月
KM68V257E / EL ， KM68V257EI / ELI
特点
快速存取时间12,15,20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 2.0毫安（最大）
0.5毫安（最大） L-版本。只
经营KM68V257E - 12 ： 70毫安（最大）
KM68V257E - 15 ： 70毫安（最大）
KM68V257E - 20 ： 70毫安（最大）
单3.3
±0.3V
电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
标准引脚配置
KM68V257EJ ： 28 SOJ -300
KM68V257ETG ： 28 TSOP1-0813 ， 4F
CMOS SRAM
概述
该KM68V257E是262,144位高速静态随机
存取记忆体由8位， 32,768字。该
KM68V257E使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM68V257E打包
在300MIL 28引脚塑料SOJ或TSOP1前进。
32K ×8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
VCC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
VSS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
订购信息
KM68V257E -12/15/20
KM68V257EI -12/15/20
商业温度。
工业级温度范围。
TSOP1
功能框图
A
14
1
28 VCC
27我们
26 A
13
25 A
8
24 A
9
23 A
11
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路内
A
12
2
A
7
3
A
6
4
行选择
A
5
5
存储阵列
512行
64x8列
A
4
6
A
3
7
A
2
8
A
1
9
A
0
10
SOJ
22 OE
21 A
10
20 CS
19 I / O
8
18 I / O
7
17 I / O
6
16 I / O
5
15 I / O
4
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
A
9
I / O电路
列选择
I / O
1
11
I / O
2
12
I / O
3
13
VSS 14
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
引脚功能
引脚名称
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
A
0
- A
14
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
CS
WE
OE
-2-
修订版0.0
1998年8月
KM68V257E / EL ， KM68V257EI / ELI
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
-40到85
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3*
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3**
0.8
单位
V
V
V
V
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
*
V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲宽度
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉宽
≤
为8ns ），因为我
≤
20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
12ns
15ns
20ns
待机电流
I
SB
I
SB1
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
正常
L-版本
-
-
-
-
2.4
民
-2
-2
-
-
最大
2
2
70
70
70
20
2
0.5
0.4
-
V
V
mA
mA
单位
A
A
mA
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版0.0
1998年8月
KM68V257E / EL ， KM68V257EI / ELI
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 3.3 ±0.3V ，除非另有说明。 ）
测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
注意：上面的试验条件也适用于工业温度范围。
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
+3.3V
R
L
= 50
D
OUT
V
L
= 1.5V
Z
O
= 50
30pF*
319
D
OUT
353
5pF*
*容性负载包含的所有组件
测试环境。
*包括范围和夹具电容
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
KM68V257E-12
民
12
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
12
12
6
-
-
6
6
-
-
12
KM68V257E-15
民
15
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
15
15
7
-
-
7
7
-
-
15
KM68V257E-20
民
20
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
20
20
8
-
-
8
8
-
-
20
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：以上参数也保证在工业级温度范围
.
-4-
修订版0.0
1998年8月
KM68V257E / EL ， KM68V257EI / ELI
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
KM68V257E-12
民
12
8
0
8
8
12
0
0
6
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
6
-
-
-
KM68V257E-15
民
15
9
0
9
9
15
0
0
7
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
7
-
-
-
CMOS SRAM
KM68V257E-20
民
20
10
0
10
10
20
0
0
8
0
0
最大
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注：以上参数也保证在工业级温度范围
.
TIMMING DIAGRAMS
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制
,
CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
地址
t
OH
数据输出
上一页有效数据
t
AA
有效数据
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
地址
t
AA
t
CO
t
OE
OE
t
OLZ
数据输出
V
CC
当前
I
CC
I
SB
t
LZ(4,5)
有效数据
t
PU
50%
t
PD
50%
t
OH
t
OHZ
t
HZ(3,4,5)
CS
-5-
修订版0.0
1998年8月
QQ：2880707522 复制
