初步
KM68V257C
文档标题
32Kx8位高速静态RAM （ 3.3V工作） ，进化出脚。
CMOS SRAM
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.删除初步
2.1 。加入28 TSOP1包。
3.1 。删除DIP封装。
3.2 。删除20ns的一部分
3.3 。添加测试环境的容性负载在交流测试负载
数据稿
1994年6月1日
1994年10月4日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
修订版3.0
1996年2月22日
1998年2月25日
最终科幻
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版3.0
1998年2月
初步
KM68V257C
32K ×8位高速CMOS静态RAM （ 3.3V工作）
特点
快速存取时间15 ，为17ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 30毫安（最大）
（ CMOS ） ： 0.1毫安（最大）
经营KM68V257C - 15 ： 90毫安（最大）
KM68V257C - 17 ： 80毫安（最大）
单3.3 ± 0.3V电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最少可以保存数据; L-版本。只
标准引脚配置
KM68V257CJ ： 28 SOJ -300
KM68V257CTG ： 28 TSOP1-0813 ， 4F
CMOS SRAM
概述
该KM68V257C是262,144位高速静态随机
存取记忆体由8位， 32,768字。该
KM68V257C使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM68V257C打包
在300MIL 28引脚塑料SOJ或TSOP1前进。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A
11
A
9
A
8
A
13
WE
VCC
A
14
A
12
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A
10
CS
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
VSS
I / O
3
I / O
2
I / O
1
A
0
A
1
A
2
TSOP1
功能框图
A
14
1
28 VCC
27我们
26 A
13
25 A
8
24 A
9
23 A
11
CLK GEN 。
A
3
A
4
A
6
A
7
A
8
A
12
A
13
A
14
A
5
预充电电路内
A
12
2
A
7
3
A
6
4
行选择
A
5
5
存储阵列
512行
64x8列
A
4
6
A
3
7
A
2
8
A
1
9
A
0
10
I / O
1
11
SOJ
22 OE
21 A
10
20 CS
19 I / O
8
18 I / O
7
17 I / O
6
16 I / O
5
15 I / O
4
I / O
1
-I / O
8
数据
续。
CLK
将军
A
0
I / O电路
列选择
I / O
2
12
I / O
3
13
VSS 14
引脚功能
A
1
A
2
A
9
A
10
A
11
引脚名称
CS
WE
OE
A
0
- A
14
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+3.3V)
地
-2-
修订版3.0
1998年2月
初步
KM68V257C
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5到4.6
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.2
-0.3*
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3**
0.8
单位
V
V
V
V
*
V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲宽度
≤
为12ns ），因为我
≤
20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉宽
≤
为12ns ），因为我
≤
20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 3.3 ±0.3V ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
15ns
17ns
民
-2
-2
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
90
80
30
0.1
0.4
-
mA
mA
V
V
单位
A
A
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版3.0
1998年2月
QQ：2881677436 复制
