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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第144页 > KM68V1000BLTI-10
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
文档标题
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史号
0.0
1.0
2.0
最初的草案
敲定
修改
- 更改数据表格式
数据稿
备注
1995年8月12日初步
1996年4月12日
1998年3月7日
最终科幻
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
2.0版
1998年3月
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术：聚负荷
组织： 128Kx8
电源电压：
KM68V1000B系列： 3.0 3.6V
KM68U1000B系列： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - SOP ， 32 - TSOP1-0820F / R
CMOS SRAM
概述
该KM68V1000B和KM68U1000B家庭制作
通过三星先进的CMOS工艺技术。该
家庭支持各种操作的温度范围和
有各种封装类型的系统的用户灵活性
设计。该系列还支持低数据保持电压
电池备份操作，低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
KM68V1000BL/L-L
KM68U1000BL/L-L
KM68V1000BLE/LE-L
KM68U1000BLE/LE-L
KM68V1000BLI/LI-L
KM68U1000BLI/LI-L
工作温度
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度快（纳秒）
70
1)
/100
100
70
1)
/100
100
70
1)
/100
100
待机
(I
SB1
，最大值）
50/15A
50/15A
100/20A
50/15A
100/20A
50/15A
40mA
32-SOP
32 TSOP1- R / F
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
Commercial(0~70°C)
Extended(-25~85°C)
Industrial(-40~85°C)
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
引脚说明
A11
A9
A8
A13
WE
VCC CS2
A15
A15 VCC
CS2 NC
A16
WE A14
A12
A13 A7
A6
A8
A5
A9
A4
A11
A4
A10 A5
A6
CS1 A7
A12
I/O8
A14
I / O7 A16
NC
I/O6
A15
I / O5 VCC
CS2
I / O4 A13
WE
A8
A9
A11
OE
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
32-TSOP
1型 - 前进
A4
A5
A6
A7
A12
A13
A14
A15
A16
ROW
SELECT
存储阵列
512行
256 × 8列
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
1型 - 反向
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
A0 A1 A2 A3 A8 A9 A10 A11
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
16
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
N.C
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS1
CS2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2.0版
1998年3月
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
产品列表
商业Temperarure产品
(0~70°C)
部件名称
KM68V1000BLG-7
KM68V1000BLG-10
KM68V1000BLT-7
KM68V1000BLT-10
KM68V1000BLR-7
KM68V1000BLR-10
KM68V1000BLG-7L
KM68V1000BLG-10L
KM68V1000BLT-7L
KM68V1000BLT-10L
KM68V1000BLR-7L
KM68V1000BLR-10L
KM68U1000BLG-10
KM68U1000BLT-10
KM68U1000BLR-10
KM68U1000BLG-10L
KM68U1000BLT-10L
KM68U1000BLR-10L
CMOS SRAM
工业Temperarure产品
(-40~85°C)
部件名称
KM68V1000BLGI-7
KM68V1000BLGI-10
KM68V1000BLTI-7
KM68V1000BLTI-10
KM68V1000BLRI-7
KM68V1000BLRI-10
KM68V1000BLGI-7L
KM68V1000BLGI-10L
KM68V1000BLTI-7L
KM68V1000BLTI-10L
KM68V1000BLRI-7L
KM68V1000BLRI-10L
KM68U1000BLGI-10
KM68U1000BLTI-10
KM68U1000BLRI-10
KM68U1000BLGI-10L
KM68U1000BLTI-10L
KM68U1000BLRI-10L
扩展Temperarure产品
(-25~85°C)
部件名称
KM68V1000BLGE-7
KM68V1000BLGE-10
KM68V1000BLTE-7
KM68V1000BLTE-10
KM68V1000BLRE-7
KM68V1000BLRE-10
KM68V1000BLGE-7L
KM68V1000BLGE-10L
KM68V1000BLTE-7L
KM68V1000BLTE-10L
KM68V1000BLRE-7L
KM68V1000BLRE-10L
KM68U1000BLGE-10
KM68U1000BLTE-10
KM68U1000BLRE-10
KM68U1000BLGE-10L
KM68U1000BLTE-10L
KM68U1000BLRE-10L
功能
32-SOP,70ns,3.3V,L
32-SOP,100ns,3.3V,L
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V ，L
32-SOP,70ns,3.3V,LL
32-SOP,100ns,3.3V,LL
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V ， LL
32-SOP,100ns,3.0V,L
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V ，L
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V ，L
32-SOP,100ns,3.0V,LL
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V ， LL
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V ， LL
功能
32-SOP,70ns,3.3V,L
32-SOP,100ns,3.3V,L
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V ，L
32-SOP,70ns,3.3V,LL
32-SOP,100ns,3.3V,LL
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V ， LL
32-SOP,100ns,3.0V,L
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V ，L
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V ，L
32-SOP,100ns,3.0V,LL
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V ， LL
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V ， LL
功能
32-SOP,70ns,3.3V,L
32-SOP,100ns,3.3V,L
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V ，L
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V ，L
32-SOP,70ns,3.3V,LL
32-SOP,100ns,3.3V,LL
32 - TSOP楼为70ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP楼为100ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP R，为70ns ， 3.3V ， LL
32 - TSOP R，为100ns ， 3.3V ， LL
32-SOP,100ns,3.0V,L
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V ，L
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V ，L
32-SOP,100ns,3.0V,LL
32 - TSOP楼为100ns ， 3.0V ， LL
32 - TSOP R，为100ns ， 3.0V ， LL
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是高或低的状态。 ）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OU
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.3 4.6
0.7
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
KM68V1000BL ， KM68U1000BL
KM68V1000BLE ， KM68U1000BLE
KM68V1000BLI ， KM68U1000BLI
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
2.0版
1998年3月
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
KM68V1000B家庭
KM68U1000B家庭
所有的家庭
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
民
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
3)
典型值
3.3
3.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
2)
0.4
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品： TA = 0至70℃ ，除非另有说明
扩展产品： TA = -25 85°C ，除非另有说明
工业产品： TA = -40 85°C ，除非另有说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下，脉冲width≤30ns的
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
电容
1)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容采样不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
KM68V1000BL/L-L
KM68V1000BLE/LE-L
KM68V1000BLI/LI-L
I
SB1
KM68U1000BL/L-L
KM68U1000BLE/LE-L
KM68U1000BLI/LI-L
V
OL
V
OH
I
SB
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或WE = V
白细胞介素，
VIO = VSS到Vcc
CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
,V
IN
=V
IH
或V
IL
, I
IO
=0mA
周期时间= 1μs的时间
,
100 ％的责任，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
≥V
CC
-0.2V
闵周期， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH ，
CS
2
=V
IL
低功耗
低压低功耗
CS
1
≥Vcc-0.2V
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V
其他输入= 0 Vcc的
低功耗
低压低功耗
低功耗
低压低功耗
低功耗
低压低功耗
测试条件
民
-1
-1
-
-
-
-
2.2
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
-
2
3
30
-
-
-
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
1.0
0.5
最大
1
1
5
5
40
0.4
-
0.3
50
15
100
20
50
15
50
15
单位
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
A
A
A
待机
当前
（ CMOS）的
2.0版
1998年3月
KM68V1000B ， KM68U1000B家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
C
L1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，扩展产品：T已
A
= -25 85°C ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃下
KM68V1000B家庭： VCC = 3.0 3.6V ， KM68U1000B家庭： VCC = 2.7 3.3V ）
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
100
-
-
-
10
5
0
0
15
100
80
0
80
70
0
0
40
0
5
100ns
最大
-
100
100
50
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
30
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
V
DR
KM68V1000BL/L-L
KM68V1000BLE/LE-L
KM68V1000BLI/LI-L
数据保持电流
I
DR
KM68U1000BL/L-L
KM68U1000BLE/LE-L
KM68U1000BLI/LI-L
数据保留的建立时间
恢复时间
t
SDR
t
RDR
Vcc=3.0V
CS
1
≥Vcc-0.2V
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V
符号
测试条件
CS
1
1)
≥Vcc-0.2V
低功耗
低压低功耗
低功耗
低压低功耗
低功耗
低压低功耗
低功耗
低压低功耗
看到数据保存波形
民
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
0
5
典型值
-
1
0.5
-
-
-
-
-
-
-
-
最大
3.6
30
15
50
20
25
10
25
15
-
-
ms
单位
V
A
1. CS≥V
CC
-0.2V ， CS
2
≥V
CC
-0.2V(CS
1
控制）或CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）
2.0版
1998年3月
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推荐型号
K37120X1EN1S
KDZ3.6FV
KA5Q0740RTTU
KB157
KBJ20J
KU310N10P
KV1841K
K9F1G16Q0M-PCB0
K7R160982B
K4H1G0438D-TLA2
KMP47C440BN
KC-79-35
KSH42CTF
KBPC3504N
KA350
KC2802-26-10Z1-08
KTD2092
KF3002-GM50A
KM681000ELP-7L
K4H1G0838M-UCA2
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