KM68512B家庭
文档标题
64Kx8位低功耗CMOS静态RAM
ADVANCE
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
历史
最初的草案
数据稿
1998年1月10日
备注
ADVANCE
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您已经哈
有任何疑问，请联系三星分支机构靠近你。
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修订版0.0
1998年1月
KM68512B家庭
产品列表
商用产品温度
(0~70°C)
部件名称
KM68512BLT-5L
KM68512BLT-7L
功能
32 TSOP1 -F ， 55ns ， LL- PWR
32 TSOP1 -F ，为70ns ， LL- PWR
ADVANCE
CMOS SRAM
工业温度产品
(-40~85°C)
部件名称
KM68512BLTI-7L
功能
32 TSOP1 -F ，为70ns ， LL- PWR
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O引脚
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
1)
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
KM68512BL
KM68512BLI
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能OPER通报BULLETIN应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响 eliability 。
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修订版0.0
1998年1月
KM68512B家庭
建议的直流工作条件
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
1)
ADVANCE
CMOS SRAM
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5V
2)
0.8
单位
V
V
V
V
记
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，除非另有说明
工业产品：T已
A
= -40至85℃ ，除非另有说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下，脉冲width≤30ns的
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲采样，而不是100 ％测试
电容
1)
（ F = 1MHz的，T
A
=25°C)
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
1.工业产品= 15μA
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
读
周期时间= 1
§
， 100 ％的关税，我
IO
=0mA
CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥V
CC
-0.2V, V
IN
≤0.2V
或V
IN
-vcc
-0.2V
读
写
民
-1
-1
-
-
-
-
-
2.4
-
-
典型最大单位
-
-
7
-
-
-
-
-
-
1
1
1
10
5
30
60
0.4
-
3
10
1)
A
A
mA
mA
mA
mA
V
V
mA
A
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH
, V
IN
=V
IL
或V
IH
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS
2
=V
IL
,
其他输入= V
IL
或V
IH
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V
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1998年1月
KM68512B家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.8 2.4V
输入上升和faling时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
ADVANCE
CMOS SRAM
C
L
1)
1.包括范围和夹具电容
AC特性
(Vcc=4.5~5.5V,
KM68512B系列：T已
A
= 0 70 ° C， KM68512BI系列：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
55ns
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
55
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
-
-
25
25
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
20
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS
1
1)
≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
KM68512BL-L
KM68512BLI-L
民
2.0
-
-
0
5
典型值
-
0.5
-
-
-
最大
5.5
10
15
-
-
单位
V
A
看到数据保存波形
ms
1. CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(
CS
1
控制）或CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）。
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修订版0.0
1998年1月
QQ：2881677436 复制
