KM684002 ， KM684002E ， KM684002I
文档标题
初步
CMOS SRAM
512Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，革命销出去。
工作在商用，扩展和工业温度范围。
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历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.1 。初步删除
2.1 。删除15ns的一部分
2.2 。添加为17ns的一部分。
2.3.Add测试条件的Voh
1
与VCC = 5V ± 5 25° C％
3.1.Delete低功耗产品，数据保留模式。
3.1.1 。删除数据保持特性
3.2.Add工业级和扩展级温度范围的部分用
相同的参数作为商业级温度范围的部分。
3.2.1添加KM684002I为工业级温度范围。
3.2.2.Add KM684002E的扩展级温度范围。
3.2.3.Add订购信息。
3.2.4 。添加条件，在工业操作和扩展
温度范围。
3.3.Add时序图来定义吨
WP
as
“ （定时
电波表
写周期（ CS =控制） “
数据稿
1991年6月1日
1993年10月4日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
1994年4月2日
最终科幻
修订版3.0
1997年6月17日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估并在此参数回复您的要求和问题
装置。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
-1-
修订版3.0
六月-1997
KM684002 ， KM684002E ， KM684002I
512K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该KM684002是4,194,304位高速静态随机
存取记忆体由8位， 524,288字。该
KM684002使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM684002封装在
400万36引脚塑料SOJ 。
快速访问时间17,20,25
§
（ MAX 。 ）
低功耗
待机（ TTL）的
: 60
§
（ MAX 。 ）
（CMOS） ： 10
§
（ MAX 。 ）
经营KM684002 - 17 ： 180
§
（ MAX 。 ）
KM684002 - 20 ： 170
§
（ MAX 。 ）
KM684002 - 25 ： 160
§
（ MAX 。 ）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O兼容3.3V器件
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
标准引脚配置
KM684002J ： 36 SOJ -400
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
36 N.C
35 A
18
34 A
17
33 A
16
32 A
15
31 OE
30 I / O
8
订购信息
KM684002 -17/20/25
KM684002E -17/20/25
KM684002I -17/20/25
商业温度。
扩展温度。
工业级温度范围。
A
2
A
3
A
4
CS
I / O
1
I / O
2
VCC
SOJ
29 I / O
7
28 VSS
27 VCC
26 I / O
6
25 I / O
5
24 A
14
23 A
13
22 A
12
21 A
11
20 A
10
19 N.C
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
7
A
8
A
9
A
13
A
14
I / O
1
- I / O
8
预充电电路
VSS
I / O
3
11
I / O
4
12
WE
A
5
A
6
13
14
15
16
17
18
行选择
A
7
存储阵列
1024行
512x8列
A
8
A
9
引脚功能
数据
续。
I / O电路
列选择
引脚名称
A
0
- A
18
CLK
将军
A
6
A
5
A
11
A
15
A
17
A
10
A
12
A
16
A
18
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
CS
WE
OE
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
-2-
修订版3.0
六月-1997
KM684002 ， KM684002E ， KM684002I
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
广告
工作温度
EXTENDED
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Rating"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个压力RA婷只和功能
该设备在这些在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的tional操作不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入低电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注：以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
* V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤10ns)
对于I≤20
§
** V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤10ns)
对于I≤20
§
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
17ns
20ns
25ns
I
SB
待机电流
输出低电压电平
输出高电压电平
I
SB1
V
OL
V
OH
V
OH1*
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
180
170
160
60
10
0.4
-
3.95
单位
A
A
工作电流
I
CC
§
§
§
V
V
V
注：以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
* V
CC
= 5.0V ± 5％的温度。 = 25°C
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试
.
-3-
修订版3.0
六月-1997
KM684002 ， KM684002E ， KM684002I
AC特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10％ ，除非另有说明。 ）
测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
注意：上面的测试条件也适用于工业温度范围。
初步
CMOS SRAM
价值
0V至3V
3
§
1.5V
见下文
输出负载（ A）
+5.0V
480
DOUT
255
30pF*
输出负载（ B）
对于T
HZ
, t
LZ
, t
WHZ
, t
OW
, t
OLZ
＆放大器;牛逼
OHZ
+5.0V
480
DOUT
255
5pF*
*包括范围和夹具电容
读周期
参数
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片使能为低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
芯片的选择上电时间
芯片选择到功率停机
符号
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
PU
t
PD
KM684002-17
民
17
-
-
-
3
0
0
0
3
0
-
最大
-
17
17
8
-
-
7
7
-
-
17
KM684002-20
民
20
-
-
-
3
0
0
0
4
0
-
最大
-
20
20
10
-
-
8
8
-
-
20
KM684002-25
民
25
-
-
-
3
0
0
0
5
0
-
最大
-
25
25
12
-
-
10
10
-
-
25
单位
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
注：以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
-4-
修订版3.0
六月-1997
KM684002 ， KM684002E ， KM684002I
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
KM684002-17
民
17
12
0
12
12
17
0
0
8
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
KM684002-20
民
20
13
0
13
13
20
0
0
9
0
4
最大
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
初步
CMOS SRAM
KM684002-25
民
25
15
0
15
15
25
0
0
10
0
5
最大
-
-
-
-
-
-
-
10
-
-
-
单位
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
§
注：以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制， CS = OE = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
添加
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
-5-
修订版3.0
六月-1997
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