KM68257C/CL
文档标题
初步
CMOS SRAM
32Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，进化出脚。
工作在商业级温度范围。
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本有初步。
发布到最终数据手册。
1.删除初步
更新A.C参数
2.1 。更新A.C参数
以前的规范。
更新规范。
项
（12 /15 / 20ns的部分）
（12 /15 / 20ns的部分）
t
OE
- / 8 / 10ns的
- / 7/9 NS
t
CW
- / 12 / - NS
- / 11 / - NS
t
HZ
8/10/10ns
6/7/8ns
t
OHZ
- / 8 / - NS
- / 7 / - NS
t
DW
- / 9 / - NS
- / 8 / - NS
2.2 。添加的Voh
1
= 3.95V的测试条件为Vcc的= 5V±5％ ，在25 ℃下
3.1 。加入28 TSOP1包。
3.2 。加入L-版本。
3.3 。添加数据Rentention特点。
数据稿
1994年4月1日
1994年5月14日
备注
初步
最终科幻
修订版2.0
1994年10月4日
最终科幻
修订版3.0
1996年2月22日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估并在此参数回复您的要求和问题
装置。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
-1-
修订版3.0
February-1996
KM68257C/CL
32K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
初步
CMOS SRAM
概述
该KM68257C是262,144位高速静态随机
存取记忆体由8位， 32,768字。该
KM68257C使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM68257C封装在
300万28引脚塑料DIP ， SOJ或TSOP1前进。
快速访问时间12，15， 20
§
（ MAX 。 ）
低功耗
待机（ TTL）的
: 40
§
（ MAX 。 ）
（CMOS） ： 2
§
（ MAX 。 ）
0.1
§
（最大） - L-版本。只
工作KM68257C / CL - 12 ： 165
§
（ MAX 。 ）
KM68257C / CL - 15 ： 150
§
（ MAX 。 ）
KM68257C / CL - 20 ： 140
§
（ MAX 。 ）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O兼容3.3V器件
全静态操作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
低数据保持电压： 2V - L-版本（最小） 。只
标准引脚配置
KM68257C / CLP ： 28 - DIP -300
KM68257C / CLJ ： 28 SOJ -300
KM68257C / CLTG ： 28 TSOP1-0813 ， 4F
引脚配置
（ TOP VIEW ）
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
TSOP1
功能框图
CLK GEN 。
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
12
A
13
A
14
I / O
1
- I / O
8
预充电电路内
A14 1
A12 2
28 VCC
27我们
26 A13
25 A8
24 A9
23 A11
行选择
A7 3
存储阵列
512行
64x8列
A6 4
A5 5
A4 6
A3 7
A2 8
A1 9
SOJ / DIP
22 OE
21 A10
20 CS
19 I / O8
18 I / O7
17 I / O6
16个I / O5
15 I / O4
数据
续。
I / O电路
列选择
A0 10
I / O1 11
I / O2 12
CLK
将军
A
0
CS
WE
OE
A
1
A
2
A
9
A
10
A
11
I / O 3 13
VSS 14
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
14
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
-2-
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
修订版3.0
February-1996
引脚功能
地址输入
KM68257C/CL
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
初步
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°
C
*
应力大于下"Absolute最大Rating"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个压力RA婷只和功能
该器件在tional操作在这些或以上的THI的经营部门所标明的任何其他条件的规格是不
暗示。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入低电压
输入低电压
* V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲宽度
≤10ns)
对于I≤20
§
**
V
IH
（MAX） = V
CC+
2.0V （脉冲宽度
≤10ns)
对于I≤20
§
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
= 5.0V ± 10 ％，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
符号
I
LI
I
LO
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=0.1mA
正常
L-版本
12ns
15ns
20ns
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
165
150
140
40
2
0.1
0.4
-
3.95
单位
A
A
工作电流
I
CC
I
SB
§
§
§
V
V
V
待机电流
输出低电压电平
输出高电压电平
* V
CC
= 5.0V ± 5 ％，温度= 25°C
I
SB
1
V
OL
V
OH
V
OH1*
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
7
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版3.0
February-1996
