初步
KM681001B
文档标题
128Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，进化出脚。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
转。号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本与设计目标。
发布初步数据表。
1.更换设计目标初步。
发布到最终数据手册。
1.删除初步。
2.删除为17ns ， L-版本和工业温度部分。
3.删除VOH1 = 3.95V 。
4.删除数据保持特性和波形。
5.称为Relex工作电流
速度
前
NOW
15ns
130mA
125mA
17ns
120mA
-
20ns
110mA
123mA
数据稿
1997年2月1日
1997年6月1日
备注
设计目标
初步
修订版2.0
2月6日。 1998年
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复的参数要求和问题
此设备的。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
修订版2.0
1998年2月
-1-
初步
KM681001B
128K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间15 ，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
经营KM681001B - 15 ： 125毫安（最大）
KM681001B - 20 ： 123毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
标准引脚配置
KM681001BJ ： 32 SOJ -400
KM681001BSJ ： 32 SOJ -300
CMOS SRAM
概述
该KM681001B是1,048,576位高速静态随机
存取记忆体由8位， 131,072字。该
KM681001B使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM681001B打包
在400/300万32引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
N.C
A
0
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
32 VCC
31 A
16
30 CS
2
29我们
28 A
15
27 A
14
26 A
13
功能框图
A
2
A
3
A
4
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
A
5
A
6
A
7
A
8
SOJ
25 A
12
24
OE
23 A
11
22 CS
1
21 I / O
8
20 I / O
7
19 I / O
6
18 I / O
5
17 I / O
4
行选择
存储阵列
512行
256x8列
A
9
A
10
I / O
1
13
I / O
2
14
I / O
3
15
VSS
16
I / O
1
- I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
CS
1
WE
OE
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
16
WE
CS
1
， CS
2
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
-2-
修订版2.0
1998年2月
初步
KM681001B
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
CMOS SRAM
W
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
*
V
IL
（最小值） = -2.0V交流（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比CS
1
=V
白细胞介素，
CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
F = 0MHz处， CS
1
≥V
CC
-0.2V或CS
2
≤0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
15ns
20ns
民
-2
-2
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
125
123
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版2.0
1998年2月
初步
KM681001B
文档标题
128Kx8位高速静态RAM （ 5V工作） ，进化出脚。
工作在商用和工业温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
转。号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本与设计目标。
发布初步数据表。
1.更换设计目标初步。
发布到最终数据手册。
1.删除初步。
2.删除为17ns ， L-版本和工业温度部分。
3.删除VOH1 = 3.95V 。
4.删除数据保持特性和波形。
5.称为Relex工作电流
速度
前
NOW
15ns
130mA
125mA
17ns
120mA
-
20ns
110mA
123mA
数据稿
1997年2月1日
1997年6月1日
备注
设计目标
初步
修订版2.0
2月6日。 1998年
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留
右来改变规格。三星电子将评估和回复的参数要求和问题
此设备的。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
修订版2.0
1998年2月
-1-
初步
KM681001B
128K ×8位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间15 ，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
经营KM681001B - 15 ： 125毫安（最大）
KM681001B - 20 ： 123毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
标准引脚配置
KM681001BJ ： 32 SOJ -400
KM681001BSJ ： 32 SOJ -300
CMOS SRAM
概述
该KM681001B是1,048,576位高速静态随机
存取记忆体由8位， 131,072字。该
KM681001B使用8个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM681001B打包
在400/300万32引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
N.C
A
0
A
1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
32 VCC
31 A
16
30 CS
2
29我们
28 A
15
27 A
14
26 A
13
功能框图
A
2
A
3
A
4
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
预充电电路
A
5
A
6
A
7
A
8
SOJ
25 A
12
24
OE
23 A
11
22 CS
1
21 I / O
8
20 I / O
7
19 I / O
6
18 I / O
5
17 I / O
4
行选择
存储阵列
512行
256x8列
A
9
A
10
I / O
1
13
I / O
2
14
I / O
3
15
VSS
16
I / O
1
- I / O
8
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
CS
2
CS
1
WE
OE
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
16
WE
CS
1
， CS
2
OE
I / O
1
- I / O
8
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
-2-
修订版2.0
1998年2月
初步
KM681001B
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
CMOS SRAM
W
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
*
V
IL
（最小值） = -2.0V交流（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲Width≤10ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
白细胞介素，
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比CS
1
=V
白细胞介素，
CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
F = 0MHz处， CS
1
≥V
CC
-0.2V或CS
2
≤0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
15ns
20ns
民
-2
-2
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
125
123
20
5
0.4
-
V
V
mA
单位
A
A
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版2.0
1998年2月
QQ：2880707522 复制
