KM681000E家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
设计目标
敲定
- 改进吨
WP
形成55ns至50ns的为70ns的产品。
- 删除55ns速度斌的工业产品。
勘误校正
数据稿
1998年10月12日
1999年8月30日
备注
初步
最终科幻
1.01
1999年12月1日
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 128Kx8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525 ，
32-TSOP1-0820F
CMOS SRAM
概述
该KM681000E家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
KM681000EL
KM681000EL-L
KM681000ELI
KM681000ELI-L
1.参数与50pF的测试负载测试
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
50A
10A
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
Commercial(0~70°C)
4.5~5.5V
Industrial(-40~85°C)
55
1)
/70ns
32 - DIP ， 32 -SOP
32-TSOP1-0820F
50mA
32 -SOP -525
32-TSOP1-0820F
70ns
50A
15A
引脚说明
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
VCC
A15
CS2
A11
A9
A8
A13
A8
WE
A9 CS2
A15
A11 VCC
OE NC
A16
A10 A14
A12
CS1 A7
I / O8 A6
A5
I / O7 A4
WE
A13
I/O6
I/O5
I/O4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
32-DIP
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
Type1-Forward
生
地址
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
128 × 8列
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
I / O
1
-I / O
8
A
0
~A
16
VCC
VSS
北卡罗来纳州
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
地址输入
动力
地
无连接
CS
1
CS
2
WE
OE
列地址
数据
CONT
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
KM681000ELP-5
KM681000ELP-7
KM681000ELP-5L
KM681000ELP-7L
KM681000ELG-5
KM681000ELG-7
KM681000ELG-5L
KM681000ELG-7L
KM681000ELT-5L
KM681000ELT-7L
功能
32 - DIP ， 55ns ，低功耗
32 - DIP ，为70ns ，低功耗
32 - DIP ， 55ns ，低功耗低
32 - DIP ，为70ns ，低功耗低
32 - SOP ， 55ns ，低功耗
32 - SOP ，为70ns ，低功耗
32 - SOP ， 55ns ，低功耗低
32 - SOP ，为70ns ，低功耗低
32 - TSOP楼55ns ，低功耗低
32 - TSOP楼为70ns ，低功耗低
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
KM681000ELGI-7
KM681000ELGI-7L
KM681000ELTI-7L
功能
32 - SOP ，为70ns ，低功耗
32 - SOP ，为70ns ，低功耗低
32 - TSOP楼为70ns ，低功耗低
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
KM681000EL
KM681000ELI
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
KM681000E家庭
所有的家庭
KM681000E家庭
KM681000E家庭
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
CMOS SRAM
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，和工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
测试条件
最小典型最大单位
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
10
7
50
0.4
-
3
50
1)
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS2 = V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
1. 50μA的低功耗产品，以防低低功耗产品COMERCIAL = 10μA ，工业= 15μA 。
4
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
文档标题
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
设计目标
敲定
- 改进吨
WP
形成55ns至50ns的为70ns的产品。
- 删除55ns速度斌的工业产品。
勘误校正
数据稿
1998年10月12日
1999年8月30日
备注
初步
最终科幻
1.01
1999年12月1日
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
128Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 128Kx8
电源电压： 4.5 5.5V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - DIP -600 ， 32 - SOP- 525 ，
32-TSOP1-0820F
CMOS SRAM
概述
该KM681000E家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种封装
年龄类型的系统设计的用户灵活性。家庭
还支持低数据保持电压为电池后备
操作以低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
KM681000EL
KM681000EL-L
KM681000ELI
KM681000ELI-L
1.参数与50pF的测试负载测试
工作温度
VCC范围
速度
待机
(I
SB1
，最大值）
50A
10A
操作
(I
CC2,
MAX ）
PKG型
Commercial(0~70°C)
4.5~5.5V
Industrial(-40~85°C)
55
1)
/70ns
32 - DIP ， 32 -SOP
32-TSOP1-0820F
50mA
32 -SOP -525
32-TSOP1-0820F
70ns
50A
15A
引脚说明
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
VCC
A15
CS2
A11
A9
A8
A13
A8
WE
A9 CS2
A15
A11 VCC
OE NC
A16
A10 A14
A12
CS1 A7
I / O8 A6
A5
I / O7 A4
WE
A13
I/O6
I/O5
I/O4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
32-DIP
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
32-TSOP
Type1-Forward
生
地址
ROW
SELECT
存储阵列
1024行
128 × 8列
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
I / O
1
-I / O
8
A
0
~A
16
VCC
VSS
北卡罗来纳州
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
数据输入/输出
地址输入
动力
地
无连接
CS
1
CS
2
WE
OE
列地址
数据
CONT
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
产品列表
商用产品温度（ 0 70 ° C）
部件名称
KM681000ELP-5
KM681000ELP-7
KM681000ELP-5L
KM681000ELP-7L
KM681000ELG-5
KM681000ELG-7
KM681000ELG-5L
KM681000ELG-7L
KM681000ELT-5L
KM681000ELT-7L
功能
32 - DIP ， 55ns ，低功耗
32 - DIP ，为70ns ，低功耗
32 - DIP ， 55ns ，低功耗低
32 - DIP ，为70ns ，低功耗低
32 - SOP ， 55ns ，低功耗
32 - SOP ，为70ns ，低功耗
32 - SOP ， 55ns ，低功耗低
32 - SOP ，为70ns ，低功耗低
32 - TSOP楼55ns ，低功耗低
32 - TSOP楼为70ns ，低功耗低
CMOS SRAM
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
KM681000ELGI-7
KM681000ELGI-7L
KM681000ELTI-7L
功能
32 - SOP ，为70ns ，低功耗
32 - SOP ，为70ns ，低功耗低
32 - TSOP楼为70ns ，低功耗低
功能说明
CS
1
H
X
1)
L
L
L
CS
2
X
1)
L
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
备注
-
-
-
-
KM681000EL
KM681000ELI
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.01
1999年12月
KM681000E家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
KM681000E家庭
所有的家庭
KM681000E家庭
KM681000E家庭
民
4.5
0
2.2
-0.5
3)
CMOS SRAM
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0至70℃ ，和工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 3.0V
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。
电容
1
)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
6
8
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS
1
=V
IH
或CS
2
=V
IL
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
= VSS到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS
1
≤0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V,
V
IN
≤0.2V
循环时间=分钟，100％占空比，我
IO
= 0毫安， CS
1
=V
IL
， CS
2
=V
IH ，
V
IN
=V
IH
或V
IL
测试条件
最小典型最大单位
-1
-1
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1
1
10
7
50
0.4
-
3
50
1)
A
A
mA
mA
mA
V
V
mA
A
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS
1
=V
IH
， CS2 = V
IL
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V
或CS
2
≤0.2V,
其他输入= 0 Vcc的
1. 50μA的低功耗产品，以防低低功耗产品COMERCIAL = 10μA ，工业= 15μA 。
4
修订版1.01
1999年12月
QQ：2880707522 复制
