初步
KM641001B/BL
文档标题
256Kx4位（与OE ）高速静态RAM （ 5V工作） ，进化出脚。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
Rev.1.0
历史
最初的版本与设计目标。
发布初步数据表。
1.1 。替换设计目标初步。
发布到最终数据手册。
2.1 。初步删除。
2.2 。删除为17ns ， L-版本和工业温度部分。
2.3 。删除V
OH1
=3.95V.
2.4 。删除数据保持特性和波形。
2.5 。的Relex工作电流。
速度
前
NOW
15ns
120mA
120mA
17ns
110mA
-
20ns
100mA
118mA
3.1 。添加低功耗版本。
3.2 。添加数据保留chcracteristics 。
数据稿
1997年2月1日
1997年6月1日
备注
设计目标
初步
修订版2.0
1998年2月6日
最终科幻
Rev.3.0
1998年7月28日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何ques-
系统蒸发散，请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版3.0
1998年7月
初步
KM641001B/BL
256K ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间15 ，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 20毫安（最大）
（ CMOS ） ： 5毫安（最大）
1毫安（最大） L-版本。只
工作KM641001B / BL - 15 ： 120毫安（最大）
KM641001B / BL - 20 ： 118毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
2V最少可以保存数据; L-版本。只
标准引脚配置
KM641001B / BLJ ： 28 SOJ -400A
CMOS SRAM
概述
该KM641001B是1,048,576位高速静态随机
存取存储器由4位组织为262,144字。该
KM641001B / BL上使用4个通用输入和输出线路，并具有
在输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM641001B / BL是封装
年龄在400万28引脚塑料SOJ 。
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
A
1
A
2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 VCC
27 A
17
26 A
16
25 A
15
24 A
14
23 A
13
预充电电路
行选择
A
3
存储阵列
512行
512x4列
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
SOJ
22 A
12
21 A
11
20 N.C
19 I / O
4
18 I / O
3
17 I / O
2
16 I / O
1
15我们
I / O
1
-I / O
4
数据
续。
CLK
将军
I / O电路&
列选择
A
9
A
10
CS
OE
VSS
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
A
16
A
17
CS
WE
OE
引脚功能
引脚名称
A
0
- A
17
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
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修订版3.0
1998年7月
初步
KM641001B/BL
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
*
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA电流。
**
V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤10ns)
对于我
≤
20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
正常
L-版本
15ns
20ns
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
最大
2
2
120
118
20
5
1
0.4
-
mA
mA
mA
V
V
单位
A
A
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
*电容进行采样，而不是100 ％测试。
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
-3-
修订版3.0
1998年7月
QQ：2880707522 复制
