初步
KM641001A
文档标题
256Kx 4个高速静态RAM （ 5V工作） ，进化引脚输出。
工作在商业级温度范围。
CMOS SRAM
修订历史
版本号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本与设计目标。
发布初步数据表。
1.1 。替换设计目标初步
发布到最终数据手册。
2.1 。初步删除
更新D.C和A.C参数。
3.1 。更新D.C参数
以前的规范。
项
（15 /17 / 20ns的一部分）
ICC
190/180/170mA
ISB
30mA
Isb1
10mA
3.2 。更新A.C参数
以前的规范。
项
（15 /17 / 20ns的一部分）
t
CW
12/12/13ns
t
AW
12/12/13ns
t
WP1
（OE =高）
12/12/13ns
t
DW
8/9/10ns
数据稿
1995年1月18日
1995年4月22日
备注
设计目标
初步
修订版2.0
1996年2月29日
最终科幻
修订版3.0
1996年7月16日
更新规范。
（15 /17 / 20ns的一部分）
145/145/140mA
25mA
8mA
更新规范。
（15 /17 / 20ns的一部分）
10/11/12ns
10/11/12ns
10/11/12ns
7/8/9ns
1997年6月2日
最终科幻
修订版4.0
更新D.C和A.C参数
4.1 。更新D.C和A.C参数。
以前的规范。
更新规范。
项
（15 /17 / 20ns的一部分）
（15 /17 / 20ns的一部分）
ICC
145/145/140mA
125/125/120mA
t
OW
3/4/5ns
3/3/3ns
4.2 。添加的测试条件为V
OH1
随着V
CC
= 5V ± 5％，在25℃下
4.3 。添加时序图来定义吨
WP
as
“ （定时
电波表
写周期（ CS =控制） “
5.1 。删除部分为17ns
最终科幻
修订版5.0
1998年2月25日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估并在该设备的参数回复您的要求和问题。如果您有任何问题，
请联系三星分支机构靠近你的办公室，电话或联系总部。
-1-
修订版5.0
1998年2月
初步
KM641001A
256K ×4位（与OE ）高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间15 ，为20ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
： 25毫安（最大）
（ CMOS ） ： 8毫安（最大）
经营KM641001A - 15 ： 125毫安（最大）
KM641001A - 20 ： 120毫安（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
标准引脚配置
KM641001AJ ： 28 SOJ -400A
CMOS SRAM
概述
该KM641001A是1,048,576位高速静态随机
存取存储器由4位组织为262,144字。该
KM641001A使用4个通用输入和输出线，并且具有
输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。该器件采用三星制造的
先进的CMOS工艺制造，并设计用于高速电路
技术。它特别适于在高密度的使用
高速系统的应用程序。该KM641001A打包
在一个400万28引脚塑料SOJ 。
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28 VCC
27 A
17
26 A
16
25 A
15
24 A
14
23 A
13
功能框图
A
1
A
2
A
3
A
4
CLK GEN 。
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
A
8
A
9
A
10
预充电电路
A
5
A
6
A
7
A
8
SOJ
22 A
12
21 A
11
20 N.C
19 I / O
4
18 I / O
3
17 I / O
2
16 I / O
1
15我们
行选择
存储阵列
512行
512x4列
A
9
A
10
CS
OE
VSS
I / O
1
- I / O
4
数据
续。
CLK
将军
A
1
A
0
I / O电路&
列选择
引脚功能
A
12
A
11
A
14
A
13
A
16
A
15
A
17
引脚名称
A
0
- A
17
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
CS
WE
OE
WE
CS
OE
I / O
1
- I / O
4
V
CC
V
SS
N.C
-2-
修订版5.0
1998年2月
初步
KM641001A
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
CMOS SRAM
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个值仅为
该设备在这些或以上的本规范的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
*
V
IL
（最小值） = - 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA
**
V
IH
（最大值） = V
CC
+ 2.0V交流转换器（脉冲宽度
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤
0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
15ns
20ns
民
-2
-2
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
125
120
25
8
0.4
-
3.95
mA
mA
V
V
V
单位
A
A
mA
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
*
* V
CC
= 5.0V ，温度= 25°C
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试
.
-3-
修订版5.0
1998年2月
QQ：2880707522 复制
