KM62V256D ， KM62U256D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
CMOS SRAM
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最初的草案
敲定
- 添加70ns的一部分KM62U256D家庭
- 显示我
CC
只读，并且增加值
I
CC
= 2毫安
→I
CC
阅读= 5毫安
- 独立的我
CC1
读取和写入
I
CC1
= 5毫安→我
CC1
阅读= 5毫安，我
CC1
写= 10毫安
- 改进的待机电流（I
SB1
)
商业部分： 10μA → 5μA
扩展和工业部分： 20μA → 5μA
- 改进的V
IL
（最小值） ： 0.4V → 0.6V
- 改进功耗： 0.7W → 1W
数据稿
1997年4月1日
1997年11月12日
备注
初步
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。，LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
1997年11月
KM62V256D ， KM62U256D家庭
32Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术： TFT
组织： 32Kx8
=电源电压
KM62V256D系列： 2.7 3.3V
KM62U256D系列： 3.0 3.6V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 28 - SOP- 450
28-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该KM62V256D和KM62U256D家庭制作
通过三星先进的CMOS工艺技术。该
家庭支持各种操作的温度范围和
有各种封装类型的系统的用户灵活性
设计。该系列还支持低数据保持电压
对备用电池的低数据保持当前的操作。
产品系列
产品
家庭
KM62V256DL-L
KM62U256DL-L
KM62V256DLE-L
KM62U256DLE-L
KM62V256DLI-L
KM62U256DLI-L
Industrial(-40~85°C)
Extended(-25~85°C)
操作
温度
V
CC
范围
速度
（纳秒）
70
1)
/100
70
1)
/85/100
70
1)
/100
70
1)
/85/100
70
1)
/100
70
1)
/85/100
5A
35mA
28-SOP
2)
28-TSOP1-F/R
功耗
待机
(I
SB1
，最大值）
操作
（ICC
2
)
PKG型
Commercial(0~70°C)
3.0V ~3.6V
2.7V ~ 3.3V
3.0V ~3.6V
2.7V ~ 3.3V
3.0V ~3.6V
2.7V ~ 3.3V
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2. KM62V256D家庭的支持SOP封装，而不100ns的速度斌。
引脚说明
OE
A11
A9
A8
VCC A13
WE
WE
VCC
A13 A14
A12
A8
A7
A6
A9
A5
A4
A11
A3
OE
A3
A4
CS
A5
A6
I/O8
A7
I / O7 A12
A14
I / O6 VCC
WE
I/O5
A13
A8
I/O4
A9
A11
A10
OE
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
功能框图
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
CLK GEN 。
A13
A8
A12
A14
A4
A5
A6
A7
预充电电路。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
28-TSOP
类型1 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ROW
SELECT
存储阵列
256行
128 × 8列
28-SOP
21
20
19
18
17
16
15
28-TSOP
类型1 - 反向
21
22
23
24
25
26
27
28
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS
A10
CS
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
数据
CONT
A10 A3
A0
A1 A2 A9
A11
引脚名称
CS
OE
WE
A
0
~A
14
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
引脚名称
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
WE
控制
逻辑
数据输入/输出
OE
动力
地
无连接
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
修订版1.0
1997年11月
KM62V256D ， KM62U256D家庭
产品列表
商业温度产品
(0~70°C)
部件名称
KM62V256DLG-7L
KM62V256DLTG-7L
KM62V256DLRG-7L
CMOS SRAM
工业温度产品
(-40~85°C)
部件名称
KM62V256DLGI-7L
KM62V256DLTGI-7L
扩展温度产品
(-25~85°C)
部件名称
KM62V256DLGE-7L
KM62V256DLTGE-7L
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
功能
28 - SOP ，为70ns ， 3.3V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V
KM62V256DLTG -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V KM62V256DLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V KM62V256DLTGI -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.3V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V KM62V256DLRGE -7L
28 - TSOP R，为70ns ， 3.3V KM62V256DLRGI -7L
KM62V256DLRG -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V KM62V256DLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V KM62V256DLRGI -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.3V
KM62U256DLG-7L
KM62U256DLG-8L
KM62U256DLG-10L
KM62U256DLTG-7L
KM62U256DLTG-8L
28 - SOP ，为70ns ， 3.0V
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
KM62U256DLGE-7L
KM62U256DLGE-8L
KM62U256DLGE-10L
KM62U256DLTGE-7L
KM62U256DLTGE-8L
KM62U256DLRGE-7L
28 - SOP ，为70ns ， 3.0V
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
KM62U256DLGI-7L
KM62U256DLGI-8L
KM62U256DLGI-10L
KM62U256DLTGI-7L
KM62U256DLTGI-8L
KM62U256DLRGI-7L
KM62U256DLRGI-8L
28 - SOP ，为70ns ， 3.0V
28 - SOP ， 85ns ， 3.0V
28 -SOP ，为100ns ， 3.0V
28 - TSOP楼为70ns ， 3.0V
28 - TSOP楼85ns ， 3.0V
28 - TSOP R，为70ns ， 3.0V
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V
KM62U256DLTG -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V KM62U256DLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V KM62U256DLTGI -10L 28 - TSOP楼为100ns ， 3.0V
KM62U256DLRG - 7L 28 - TSOP R，为70ns ， 3.0V
KM62U256DLRG-8L
28 - TSOP R， 85ns ， 3.0V KM62U256DLRGE -8L
KM62U256DLRG -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V KM62U256DLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V KM62U256DLRGI -10L 28 - TSOP R，为100ns ， 3.0V
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
输出禁用
读
写
动力
待机
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+0.5
-0.5到4.6
1.0
-65到150
0到70
-25到85
-40到85
焊接温度和时间
T
SOLDER
260 ° C， 10秒（仅限铅）
单位
V
V
W
°C
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
KM62V256DL ， KM62U256DL
KM62V256DLE ， KM62U256DLE
KM62V256DLI ， KM62U256DLI
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
3
修订版1.0
1997年11月
KM62V256D ， KM62U256D家庭
建议的直流工作条件
1)
项
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
产品
KM62V256D家庭
KM62U256D家庭
所有
KM62V256D ， KM62U256D家庭
KM62V256D ， KM62U256D家庭
民
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
3)
典型值
3.3
3.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
0.6
V
V
V
单位
V
注意：
1.商业产品：T已
A
= 0 70℃ ，特别说明
工业产品：T已
A
= -40 85 ℃，特别说明
2.过冲： V
CC
+ 3.0V的情况下，脉冲width≤30ns的
3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试
电容
1)
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
1.电容进行采样，而不是100 ％测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
民
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
项
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
=V
SS
到Vcc
I
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
读
周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我
IO
=0mA
CS≤0.2V ，V
IN
≤0.2V,
V
IN
-vcc
-0.2V
读
写
-
-
2.4
-
-
测试条件
民
-1
-1
-
-
典型值
-
-
2
1.5
6
23
-
-
-
0.1
最大
1
1
5
5
10
35
0.4
-
0.3
5
mA
V
V
mA
A
单位
A
A
mA
mA
周期时间=最小， 100 ％的关税，我
IO
= 0毫安， CS = V
白细胞介素，
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
，其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V ，其他输入= 0 Vcc的
4
修订版1.0
1997年11月
KM62V256D ， KM62U256D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和测试输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.4V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
1)
=30pF+1TTL
1.参考交流特性
CMOS SRAM
C
L
1)
1.包括范围和夹具电容
AC特性
（ KM62V256D家庭： VCC = 3.0 3.6V ， KM62U256D家庭： VCC = 2.7 3.3V
商业产品：T已
A
= 0 70 ° C，扩展产品：T已
A
= -25 85°C ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
70
1)
ns
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
读
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数的测量条件为30pF的测试负载
85ns
民
85
-
-
-
10
5
0
0
10
85
70
0
70
60
0
0
35
0
10
最大
-
85
85
40
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
民
100
-
-
-
10
5
0
0
15
100
80
0
80
70
0
0
40
0
10
100ns
最大
-
100
100
50
-
-
35
35
-
-
-
-
-
-
-
35
-
-
-
单位
最大
-
70
70
35
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
70
-
-
-
10
5
0
0
5
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V ， CS≥Vcc - 0.2V
看到数据保存波形
民
2.0
-
0
5
-
-
典型值
-
最大
3.6
5
-
-
单位
V
A
ms
5
修订版1.0
1997年11月
QQ：2880707522 复制
