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KM62256D家庭
文档标题
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
CMOS SRAM
修订历史
修订历史不
0.0
0.1
最初的草案
第一次修订
-
K
M62256DL / DLI我
SB1
= 100
50A
KM62256DL - L I
SB1
= 20
10A
KM62256DLI - L I
SB1
= 50
15A
- C
IN
= 6
为8pF ,C
IO
= 8
10pF
- KM62256D -4 /5/7系列
TOH = 5
10ns
- KM62256DL / DLI我
DR
= 50→30A
KM62256DL -L / DLI - L I
DR
= 30
15A
敲定
- 删除我
CC
写入值
- 改进工作电流
I
CC2
= 70
60mA
- 改进的待机电流
KM62256DL / DLI我
SB1
= 50
30A
KM62256DL - L I
SB1
= 10
5A
KM62256DLI - L I
SB1
= 15
5A
- 改进的数据保持电流
KM62256DL / DLI我
DR
= 30
5A
KM62256DL -L / DLI - L I
DR
= 15
3A
- 从商业产品和100ns的部分删除部分为45nS
从工业产品。
更换试验载荷为100pF电容50pF的为55ns的一部分
数据稿
1997年5月18日
1997年4月1日
备注
设计目标
Preliminily
1.0
1997年11月11日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 , LTD 。保留更改规格的权利和
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问,请联系三星分公司。
修订版1.0
1997年11月
KM62256D家庭
32Kx8位低功耗CMOS静态RAM
特点
工艺技术: TFT
组织: 32Kx8
电源电压: 4.5 5.5V
低数据保持电压: 2V (最小值)
三态输出与TTL兼容
封装类型: 28 - DIP- 600B , 28 - SOP- 450
28 TSOP1-0813.4 F / R
CMOS SRAM
概述
该KM62256D家庭是由三星公司制造
先进的CMOS工艺技术。家庭支持
不同的工作温度范围和具有各种
系统设计的用户灵活性的封装类型。该fami-
谎言也支持低数据保持电压,用于电池后台
操作起来具有低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
KM62256DL
KM62256DL-L
KM62256DLI
KM62256DLI-L
1.参数与50pF的测试负载测试。
工作温度
V
CC
范围
速度
待机
(I
SB1
,最大值)
30A
5A
30A
5A
操作
(ICC
2,
MAX )
PKG型
商业级(0 70 ° C)
4.5 5.5V
工业( -40 85°C )
55
1)
/70ns
28-DIP,28-SOP
28-TSOP1-F/R
60mA
28-SOP
28-TSOP1-F/R
70ns
引脚说明
OE
A11
A9
A8
VCC A13
WE
WE
VCC
A13 A14
A12
A8
A7
A6
A9
A5
A4
A11
A3
OE
A10
CS
A3
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
15
16
17
18
19
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
功能框图
A10
CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A13
A8
A12
A14
A4
A5
A6
A7
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS
A10
CLK GEN 。
预充电电路。
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
28-TSOP
类型1 - 前进
23
22
21
20
19
18
17
16
15
ROW
SELECT
存储阵列
256行
128 × 8列
28-DIP
28-SOP
22
21
20
19
18
17
16
15
A4
A5
A6
I/O8
A7
I / O7 A12
A14
I / O6 VCC
I/O5
I/O4
WE
A13
A8
A9
A11
OE
I / O
1
I / O
8
数据
CONT
I / O电路
列选择
28-TSOP
类型1 - 反向
21
22
23
24
25
26
27
28
数据
CONT
A10 A3
A0
A1 A2 A9
A11
引脚名称
CS
OE
WE
A
0
~A
14
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
引脚名称
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
NC
功能
数据输入/输出
动力
无连接
CS
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格,恕不另行通知。
修订版1.0
1997年11月
KM62256D家庭
产品列表
商用产品温度( 0 70 ° C)
部件名称
KM62256DLP-5
KM62256DLP-5L
KM62256DLP-7
KM62256DLP-7L
KM62256DLG-5
KM62256DLG-5L
KM62256DLG-7
KM62256DLG-7L
KM62256DLTG-5
KM62256DLTG-5L
KM62256DLTG-7
KM62256DLTG-7L
KM62256DLRG-5
KM62256DLRG-5L
KM62256DLRG-7
KM62256DLRG-7L
功能
28 - DIP , 55ns , L- PWR
28 - DIP , 55ns , LL- PWR
28 - DIP ,为70ns , L- PWR
28 - DIP ,为70ns , LL- PWR
28 - SOP ,为50ns , L- PWR
28 - SOP ,为50ns , LL- PWR
28 - SOP ,为70ns , L- PWR
28 - SOP ,为70ns , LL- PWR
28 TSOP1楼55ns , L- PWR
28 TSOP1楼55ns , LL- PWR
28 TSOP1楼为70ns , L- PWR
28 TSOP1楼为70ns , LL- PWR
28 TSOP1 R, 55ns , L- PWR
28 TSOP1 R, 55ns , LL- PWR
28 TSOP1 R,为70ns , L- PWR
28 TSOP1 R,为70ns , LL- PWR
CMOS SRAM
工业产品温度( -40 85°C )
部件名称
KM62256DLGI-7
KM62256DLGI-7L
KM62256DLTGI-7
KM62256DLTGI-7L
KM62256DLRGI-7
KM62256DLRGI-7L
功能
28 - SOP ,为70ns , L- PWR
28 - SOP ,为70ns , LL- PWR
28 TSOP1楼为70ns , L- PWR
28 TSOP1楼为70ns , LL- PWR
28 TSOP1 R,为70ns , L- PWR
28 TSOP1 R,为70ns , LL- PWR
功能说明
CS
H
L
L
L
OE
X
1)
H
L
X
1)
WE
X
1)
H
H
L
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
模式
取消
输出禁用
动力
待机
活跃
活跃
活跃
1, X表示不关心(必须是在高温或低温状态)
绝对最大额定值
1)
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
焊接温度和时间
符号
V
IN
,V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
SOLDER
评级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
260 ° C, 10秒(仅限铅)
单位
V
V
W
°C
°C
°C
-
备注
-
-
-
-
KM62256DL
KM62256DLI
-
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
修订版1.0
1997年11月
KM62256D家庭
建议的直流工作条件
1)
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
4.5
0
2.2
-0.5
3)
典型值
5.0
0
-
-
CMOS SRAM
最大
5.5
0
Vcc+0.5V
2)
0.8
单位
V
V
V
V
注意:
1.商业产品:T已
A
= 0 70℃ ,特别说明
工业产品:T已
A
= -40 85 ℃,特别说明
2.过冲: V
CC
+ 3.0V的情况下,脉冲width≤30ns的
3.冲: -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的
4.过冲和下冲进行采样,而不是100 %测试
电容
1)
( F = 1MHz的,T
A
=25°C)
输入电容
输入/输出电容
1.电容采样不是100 %测试
符号
C
IN
C
IO
测试条件
V
IN
=0V
V
IO
=0V
-
-
最大
8
10
单位
pF
pF
DC和工作特性
输入漏电流
输出漏电流
工作电源电流
平均工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
输出低电压
输出高电压
待机电流( TTL )
待机电流( CMOS )
V
OL
V
OH
I
SB
I
SB1
V
IN
= VSS到Vcc
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
, V
IO
=V
SS
到Vcc
I
IO
= 0毫安, CS = V
白细胞介素,
V
IN
=V
IH
或V
IL
周期时间= 1μs的时间, 100 %的关税,我
IO
=0mA
CS≤0.2V ,V
IN
≤0.2V,
V
IN
-vcc
-0.2V
-
-
2.4
-
低功耗
低压低功耗
-
-
测试条件
-1
-1
-
-
典型值
-
-
5
2
-
45
-
-
-
1
0.2
最大
1
1
10
5
20
60
0.4
-
1
30
5
mA
V
V
mA
A
A
单位
A
A
mA
mA
周期时间=最小, 100 %的关税,我
IO
= 0毫安, CS = V
白细胞介素,
V
IN
=V
IH
或V
IL
I
OL
=2.1mA
I
OH
=-1.0mA
CS = V
IH
,其它输入= V
IH
或V
IL
CS≥Vcc - 0.2V ,其他输入= 0 Vcc的
修订版1.0
1997年11月
KM62256D家庭
交流工作条件
测试条件
(测试负载和测试输入/输出参考)
输入脉冲电平: 0.8 2.4V
输入上升和下降时间: 5ns的
输入和输出参考电压: 1.5V
输出负载(见右图) :C
L
=100pF+1TTL
C
L
=50pF+1TTL
C
L
1)
CMOS SRAM
1.包括范围和夹具电容
AC特性
( VCC = 4.5 5.5V , KM62256D系列:T已
A
= 0 70 ° C, KM62256DI系列:T已
A
= -40 85 ℃)下
速箱
参数表
符号
55
1)
ns
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
芯片选择低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
1.参数与50pF的测试负载测试。
70ns
70
-
-
-
10
5
0
0
10
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
最大
-
70
70
35
-
-
30
30
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
最大
-
55
55
25
-
-
20
20
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
LZ
t
OLZ
t
HZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
10
5
0
0
10
55
45
0
45
40
0
0
25
0
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据保持特性
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS≥Vcc-0.2V
VCC = 3.0V , CS≥Vcc - 0.2V
L-版本
LL -VER
看到数据保存波形
2.0
-
-
0
5
典型值
-
1
0.2
-
-
最大
5.5
15
3
-
-
ms
单位
V
A
修订版1.0
1997年11月
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数量
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单价/备注
操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KM62256DLG-7L
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KM62256DLG-7L
SAMSUNG
21+
15000
BGA
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ:792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ:841523240 复制

电话:021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人:李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址:上海公司:上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司:海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司:城阳区正阳路205号海都国际A座805
KM62256DLG-7L
SAMSUNG代理
25+热销
15000新到
SOP-28
全新原装现货特价长期供应
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1294342618 复制 点击这里给我发消息 QQ:2765319833 复制 点击这里给我发消息 QQ:1363272801 复制

电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
KM62256DLG-7L
SEC
22+
9600
SO-7.2
全新原装现货热卖可长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
KM62256DLG-7L
SAMSUNG/三星
24+
16950
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
KM62256DLG-7L
SEC
20+
6000
SOP
原装现货实单支持
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
KM62256DLG-7L
SEG
24+
4000
DIP14
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004005668 复制 点击这里给我发消息 QQ:962143175 复制

电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
KM62256DLG-7L
SEC
24+
32883
SOP28
公司现货,全新原厂原装正品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
KM62256DLG-7L
SAMSUNG/三星
2443+
23000
NA
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881501653 复制

电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
KM62256DLG-7L
SEC
24+
12300
SOP28
全新原装现货,原厂代理。
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
KM62256DLG-7L
SEC
25+23+
13050
SOP28
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