【KM62256C家庭32Kx8位低功耗CMOS静态RAM特点初步CMOS SRAM概述该KM6225】,IC型号KM62256CLRGE-10L,KM62256CLRGE-10L PDF资料,KM62256CLRGE-10L经销商,ic,电子元器件-51电子网

KM62256C家庭

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

特点

初步

CMOS SRAM

概述

该KM62256C家庭是由三星先进的制造

CMOS工艺技术。该系列可支持各种

工作温度范围，并有多种封装类型

系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低

数据保持电压，用于电池后备低操作

数据保持电流。

工艺技术： 0.7

§-

CMOS

组织： 32Kx8

电源电压： 5V单

10%

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出与TTL兼容

封装类型： JEDEC标准

28 - DIP ， 28 - SOP ， 28 - TSOP I -forward /反转

产品系列

功耗

产品

家庭

KM62256CL

KM62256CL-L

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

*该参数测量30pF的测试负载。

操作

温度。

速度

（纳秒）

PKG型

待机

(I

SB1

，最大值）

100

§

20

§

100

§

50

§

100

§

50

§

操作

（ICC

2

)

商业级（0 70

)

扩展（ -25 85

)

工业级（-40 85

)

45*/55/70ns

70/100ns

28 - DIP ， 28 -SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

70mA

引脚说明

功能框图

A

0

~A

2,

A

9~11

OE

A

11

A

9

A

8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

A

10

CS

I / O

8

I / O

7

y解码器

A

14

A

12

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I / O

1

I / O

2

I / O

3

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

V

CC

WE

A

13

A

8

A

9

A

11

OE

A

10

CS

I / O

8

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

X解码器

A

13

WE

V

CC

A

14

A

12

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

I / O

6

I / O

5

I / O

4

V

SS

I / O

3

I / O

2

I / O

1

A

0

A

1

A

2

28-TSOP

I型 - 前进

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A

3

~A

8,

A

12~14

CELL

ARRAY

控制逻辑

CS

WE ， OE

28-DIP

28-SOP

22

21

20

19

18

17

16

15

I / O

1

~

8

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

12

A

14

V

CC

WE

A

13

A

8

A

9

A

11

OE

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

15

16

17

18

19

20

I / O缓冲器

A

2

A

1

A

0

I / O

1

I / O

2

I / O

3

V

SS

I / O

4

I / O

5

I / O

6

I / O

7

I / O

8

CS

A

10

28-TSOP

I型 - 反向

NameName

A

0

~A

14

WE

CS

OE

I / O

1

-I / O

8

VCC

VSS

功能

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

数据输入/输出

Power(5V)

地

21

22

23

24

25

26

27

28

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

产品列表&订购信息

产品列表

商用产品温度

(0~70

)

部件名称

KM62256CLP-4

KM62256CLP-4L

KM62256CLP-5

KM62256CLP-5L

KM62256CLP-7

KM62256CLP-7L

KM62256CLG-4

KM62256CLG-4L

KM62256CLG-5

KM62256CLG-5L

KM62256CLG-7

KM62256CLG-7L

KM62256CLTG-4

KM62256CLTG-5

KM62256CLTG-7

KM62256CLRG-4

KM62256CLRG-5

KM62256CLRG-7

初步

CMOS SRAM

扩展温度产品

(-25~85

)

部件名称

KM62256CLGE-7

KM62256CLGE-7L

KM62256CLGE-10

KM62256CLGE-10L

KM62256CLTGE-7

KM62256CLTGE-7L

KM62256CLTGE-10

KM62256CLRGE-7

KM62256CLRGE-7L

KM62256CLRGE-10

工业温度产品

(-40~85

)

部件名称

KM62256CLGI-7

KM62256CLGI-7L

KM62256CLGI-10

KM62256CLGI-10L

KM62256CLTGI-7

KM62256CLTGI-7L

KM62256CLTGI-10

KM62256CLRGI-7

KM62256CLRGI-7L

KM62256CLRGI-10

功能

28 - DIP ，为45nS ， L- PWR

28 - DIP ，为45nS ， LL- PWR

28 - DIP ， 55ns ， L- PWR

28 - DIP ， 55ns ， LL- PWR

28 - DIP ，为70ns ， L- PWR

28 - DIP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为45nS ， L- PWR

28 - SOP ，为45nS ， LL- PWR

28 - SOP ，为50ns ， L- PWR

28 - SOP ，为50ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为45nS ， L- PWR

28 - TSOP楼55ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为45nS ， L- PWR

28 - TSOP R， 55ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， L- PWR

功能

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为100ns ， L- PWR

28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为100ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为100ns ， L- PWR

功能

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为100ns ， L- PWR

28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为100ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为100ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR

KM62256CLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR KM62256CLTGI -10L

KM62256CLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR KM62256CLRGI -10L

KM62256CLTG -4L 28 - TSOP楼为45nS ， LL- PWR

KM62256CLTG -5L 28 - TSOP楼55ns ， LL- PWR

KM62256CLTG - 7L 28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

KM62256CLRG -4L 28 - TSOP R，为45nS ， LL- PWR

KM62256CLRG -5L 28 - TSOP R， 55ns ， LL- PWR

KM62256CLRG - 7L 28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

订购信息

KM6 2× 256 X X X - XX X

L- Low低功耗，空白，低功率或高功率

访问时间： 4 =为45nS ， 5 = 55ns ， 7 =为70ns ， 10 = 100ns的

工作温度：空白=商业， I =工业级，E =扩展

封装类型： G = SOP ， P = DIP ， TG = TSOP前进， RG = TSOP反转

L-低功率或低低功耗，空白，大功率

模具版本： C = 4代

密度： 256 = 256K位

空白= 5V ，V = 3.0 3.6V ， U = 2.7 3.3V

组织： 2 = X8

美国证券交易委员会的标准SRAM

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

绝对最大额定值

*

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

工作温度

评级

-0.5到V

CC

+0.5

-0.5 7.0

1.0

-65到150

0到70

-25到85

-40到85

焊接温度和时间

T

SOLDER

260

， 10秒（仅限铅）

单位

V

W

-

初步

CMOS SRAM

备注

-

KM62256CL/L-L

KM62256CLE/LE-L

KM62256CLI/LI-L

-

*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个stres唯一的评价和功能操作

该设备在这些或超出本规范的操作章节中所示的条件是不是实现了一套简易爆炸装置。暴露在绝对最大额定值条件

长时间会影响其可靠性。

建议的直流工作条件

*

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

-0.5***

典型**

5.0

0

-

最大

5.5

0

Vcc+0.5V

0.8

单位

V

* 1 ）商业产品：T已

A

= 0至70

除非另有规定

2 ）扩展产品：T已

A

= -25 85

除非另有规定

3 ）工业产品：T已

A

= -40 85

除非另有规定

** T

A

=25

*** V

IL

（分钟） = - 3.0V的

50ns的脉冲宽度

电容*

（ F = 1MHz的，T

A

=25

)

项

输入电容

输入/输出电容

*电容采样不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

6

8

单位

pF

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

测试条件*

民

-1

-

初步

CMOS SRAM

典型**

-

7

最大

1

15***

单位

V

IN

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或WE = V

IL

V

IO

= VSS到Vcc

CS = V

IL

,

V

IN

=V

IH

或V

IL

, I

IO

=0mA

周期时间= 1

§

100 ％的占空

CS

0.2V,

V

IL

0.2V

V

IN

VCC -0.2V ，我

IO

=0mA

分周期内， 100 ％的占空

CS = V

IL

, I

IO

=0mA

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

L（低功耗）

LL （L低功耗）

§

mA

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

KM62256CL

KM62256CL-L

待机电流

（ CMOS）的

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

I

SB1

V

OL

V

OH

I

SB

-

7****

mA

-

2.4

-

2

1

-

70

0.4

-

1*****

100

20

100

50

100

50

mA

V

mA

§

CS

Vcc-0.2V

V

IN

0.2V或

V

IN

V

CC

-0.2V

L（低功耗）

LL （L低功耗）

L（低功耗）

LL （L低功耗）

* 1 ）商业产品：T已

A

= 0至70

， VCC = 5V

除非另有说明， 10％的

2 ）扩展产品：T已

A

= -25 85

， VCC = 5V

10 ％ nless另有规定

3 ）工业产品：T已

A

= -40 85

， VCC = 5V

除非另有说明， 10％的

** T

A

=25

*** 20毫安的扩展和工业产品

**** 10毫安的扩展和工业产品

***** 2毫安的扩展和工业产品

A.C特性

测试条件

（ 1.测试负载和测试输入/输出参考） *

项

输入脉冲电平

输入&上升下降时间

输入和输出参考电压

输出负载（见右）

*请参阅DC操作条件

**为为45nS商业产品试验载荷

价值

0.8 2.4V

5ns

1.5V

C

L

=100pF+1TTL

**C

L

=30pF+1TTL

备注

-

*包括范围和夹具电容

C

L

*

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

测试条件

（ 2.温度和Vcc的条件）

产品系列

KM62256CL/L-L

KM62256CLE/LE-L

KM62256CLI/LI-L

温度

0~70

-25~85

-40~85

电源（ VCC）

5V

10%

5V

10%

5V

10%

速度斌

45*/55/70ns

70/100ns

初步

CMOS SRAM

EXTENDED

产业

*该参数测量30pF的测试负载

参数列表中为每个SPEED BIN

速箱

参数表

符号

45ns*

民

读

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

*该参数测量30pF的测试负载

55ns

民

55

-

10

5

0

5

55

45

0

45

40

0

25

0

5

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

70ns

民

70

-

10

5

0

5

70

60

0

60

50

0

30

0

5

最大

-

70

35

-

30

-

25

-

100ns

民

100

-

10

5

0

5

100

80

0

80

60

0

50

0

5

最大

-

100

50

-

35

-

35

-

单位

最大

-

45

25

-

20

-

20

-

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

45

-

10

5

0

5

45

0

45

40

0

25

0

5

ns

修订版3.0

1996年4月