【KM62256C家庭文档标题32Kx8位低功耗CMOS静态RAMCMOS SRAM修订历史版本号0.】,IC型号KM62256CLRG-7L,KM62256CLRG-7L PDF资料,KM62256CLRG-7L经销商,ic,电子元器件-51电子网

KM62256C家庭

文档标题

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

0.1

1.0

2.0

历史

超前信息

最初的草案

敲定

修改

- 添加为45nS部分与30pF的负载测试

修改

- 更改规范格式和合并：

商业，扩展，在同一个数据表工业产品。

修改

- 更改速度斌

擦除为45nS部分来自商业产品和100ns的

扩展和工业产品。

- 生产变革

从TSOP封装擦除低功耗产品

数据稿

1993年2月12日

1993年11月2日

1994年9月24日

1995年8月12日

备注

设计目标

初步

最终科幻

3.0

1996年4月15日

最终科幻

4.0

1997年12月19日

最终科幻

所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留权利

改变规格和产品。三星电子将评估和回复您的要求和有关问题

装置。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。

1

修订版4.0

1997年12月

KM62256C家庭

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

特点

工艺技术： 0.7微米CMOS

组织： 32Kx8

电源电压：单5V ±10 ％

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出与TTL兼容

封装类型： 28 - DIP -600 ， 28 -SOP -450 ，

28 TSOP1 -0813.4F / R

CMOS SRAM

概述

该KM62256C家庭是由三星先进的制造

CMOS工艺技术。该系列支持各种operat-

荷兰国际集团温度范围和对用户的各种封装类型

系统设计的灵活性。该系列产品还支持低数据

保持电压的电池备份低数据操作

保持电流。

产品系列

功耗

产品系列

KM62256CL

KM62256CL-L

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

工业（ -40 85°C ）

70ns

扩展（ -25 85°C ）

70ns

工作温度。

速度快（纳秒）

PKG型

待机

(I

SB1

，最大值）

100A

20A

100A

50A

100A

50A

70mA

操作

（ICC

2

)

商业级（0 70 ° C）

55/70ns

28 - DIP ， 28 -SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

引脚说明

OE

A11

A9

A8

A13

WE

VCC

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A4

A5

A6

A7

A12

A14

VCC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

A0

A1

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

I/O8

CS

A10

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

VCC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

28-TSOP

I型 - 前进

A3

A4

A5

A6

A7

A8

A12

A13

A14

ROW

SELECT

28-DIP

22

28-SOP

21

20

19

18

17

16

15

存储阵列

512行

64 × 8列

28-TSOP

I型 - 反向

I / O

1

I / O

8

数据

CONT

I / O电路

列选择

数据

CONT

NameName

A

0

~A

14

WE

CS

OE

I / O

1

-I / O

8

VCC

VSS

功能

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

数据输入/输出

Power(5V)

地

CS

WE

OE

A0

A1

A2

A9

A10

A11

控制

逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

2

修订版4.0

1997年12月

KM62256C家庭

产品列表

商用产品温度

(0~70°C)

部件名称

KM62256CLP-5

KM62256CLP-5L

KM62256CLP-7

KM62256CLP-7L

KM62256CLG-5

KM62256CLG-5L

KM62256CLG-7

KM62256CLG-7L

KM62256CLTG-5L

KM62256CLTG-7L

KM62256CLRG-5L

KM62256CLRG-7L

CMOS SRAM

扩展温度产品

(-25~85°C)

部件名称

功能

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

工业温度产品

(-40~85°C)

部件名称

KM62256CLGI-7

KM62256CLGI-7L

KM62256CLTGI-7L

KM62256CLRGI-7L

功能

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

KM62256CLGE-7

28 - DIP ， 55ns ， L- PWR

KM62256CLGE-7L

28 - DIP ， 55ns ， LL- PWR

KM62256CLTGE-7L

28 - DIP ，为70ns ， L- PWR

KM62256CLRGE-7L

28 - DIP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ， 55ns ， L- PWR

28 - SOP ， 55ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼55ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R， 55ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

注： LL意味着低待机电流低。

功能说明

CS

H

L

1， X表示不关心

OE

X

H

L

X

WE

X

H

L

I / O引脚

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

绝对最大额定值

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

1)

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

评级

-0.5到V

CC

+0.5

-0.5 7.0

1.0

-65到150

0到70

单位

V

W

°C

-

备注

-

KM62256CL

KM62256CLE

KM62256CLI

-

工作温度

T

A

-25到85

-40到85

焊接温度和时间

T

SOLDER

260 ° C， 10秒（仅限铅）

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能OPER

ATION应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响副可靠性。

e

3

修订版4.0

1997年12月

KM62256C家庭

建议的直流工作条件

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

-0.5

3)

1)

CMOS SRAM

典型值

5.0

0

-

最大

5.5

0

Vcc+0.5V

2)

0.8

单位

V

记

1.商业产品：T已

A

= 0至70℃ ，除非另有说明

扩展产品：T已

A

= -25至85℃ ，除非另有说明

工业产品：T已

A

= -40至85℃ ，除非另有说明

2.过冲： V

CC

+ 3.0V的情况下，脉冲width≤30ns的

3.冲： -3.0V的情况下脉冲width≤30ns的

4.过冲和下冲采样，而不是100 ％测试

电容

1)

（ F = 1MHz的，T

A

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

6

8

单位

pF

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

平均工作电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

I

CC1

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

KM62256CL

KM62256CL-L

待机电流

（ CMOS）的

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

1. 20毫安的扩展和工业产品

2. 10毫安的扩展和工业产品

3. 2毫安的扩展和工业产品

测试条件

V

IN

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或WE = V

IL

, V

IO

= VSS到Vcc

I

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

IO

=0mA

CS≤0.2V ，V

IN

≤0.2V,

V

IN

-vcc

-0.2V

周期时间=最小， 100 ％的关税，我

IO

= 0毫安， CS = V

白细胞介素，

V

IN

=V

IH

或V

IL

民

-1

-

2.4

-

L（低功耗）

LL （L低功耗）

-

典型值

-

7

-

2

1

-

最大

1

15

1)

7

2)

70

0.4

-

1

3)

100

20

100

50

100

50

单位

A

mA

V

mA

A

V

OL

V

OH

I

SB

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

，其它输入= V

IH

或V

IL

I

SB1

CS≥Vcc-0.2V,

其他输入= 0 Vcc的

L（低功耗）

LL （L低功耗）

L（低功耗）

LL （L低功耗）

4

修订版4.0

1997年12月

KM62256C家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和测试输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.8 2.4V

输入上升和falingl时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

L

=100pF+1TTL

CMOS SRAM

C

L

1)

1.包括范围和夹具电容

A

特点

（ VCC = 4.5 5.5V ， KM62256C系列：T已

A

= 0 70 ° C， KM62256CE系列：T已

A

= -25 85°C ，

KM62256CI系列：T已

A

= -40 85 ℃）下

速箱

参数表

符号

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

55

-

10

5

0

5

55

45

0

45

40

0

25

0

5

55ns

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

民

70

-

10

5

0

5

70

60

0

60

50

0

30

0

5

70ns

最大

-

70

35

-

30

-

25

-

ns

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

V

DR

KM62256CL

KM62256CL-L

数据保持电流

I

DR

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

数据保留的建立时间

恢复时间

t

SDR

t

RDR

Vcc=3.0V

CS≥Vcc-0.2V

符号

测试条件

CS≥Vcc-0.2V

L-版本

LL -VER

L-版本

LL -VER

L-版本

LL -VER

看到数据保存波形

民

2.0

-

0

5

典型值

-

1

0.5

-

最大

5.5

50

10

50

25

50

25

-

ms

A

单位

V

5

修订版4.0

1997年12月

KM62256C家庭

32Kx8位低功耗CMOS静态RAM

特点

初步

CMOS SRAM

概述

该KM62256C家庭是由三星先进的制造

CMOS工艺技术。该系列可支持各种

工作温度范围，并有多种封装类型

系统设计的用户灵活性。该系列产品还支持低

数据保持电压，用于电池后备低操作

数据保持电流。

工艺技术： 0.7

§-

CMOS

组织： 32Kx8

电源电压： 5V单

10%

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出与TTL兼容

封装类型： JEDEC标准

28 - DIP ， 28 - SOP ， 28 - TSOP I -forward /反转

产品系列

功耗

产品

家庭

KM62256CL

KM62256CL-L

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

*该参数测量30pF的测试负载。

操作

温度。

速度

（纳秒）

PKG型

待机

(I

SB1

，最大值）

100

§

20

§

100

§

50

§

100

§

50

§

操作

（ICC

2

)

商业级（0 70

)

扩展（ -25 85

)

工业级（-40 85

)

45*/55/70ns

70/100ns

28 - DIP ， 28 -SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

28-SOP

28 - TSOP I R / F

70mA

引脚说明

功能框图

A

0

~A

2,

A

9~11

OE

A

11

A

9

A

8

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

A

10

CS

I / O

8

I / O

7

y解码器

A

14

A

12

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

A

2

A

1

A

0

I / O

1

I / O

2

I / O

3

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

V

CC

WE

A

13

A

8

A

9

A

11

OE

A

10

CS

I / O

8

I / O

7

I / O

6

I / O

5

I / O

4

X解码器

A

13

WE

V

CC

A

14

A

12

A

7

A

6

A

5

A

4

A

3

I / O

6

I / O

5

I / O

4

V

SS

I / O

3

I / O

2

I / O

1

A

0

A

1

A

2

28-TSOP

I型 - 前进

23

22

21

20

19

18

17

16

15

A

3

~A

8,

A

12~14

CELL

ARRAY

控制逻辑

CS

WE ， OE

28-DIP

28-SOP

22

21

20

19

18

17

16

15

I / O

1

~

8

A

3

A

4

A

5

A

6

A

7

A

12

A

14

V

CC

WE

A

13

A

8

A

9

A

11

OE

14

13

12

11

10

9

8

7

6

5

4

3

2

1

15

16

17

18

19

20

I / O缓冲器

A

2

A

1

A

0

I / O

1

I / O

2

I / O

3

V

SS

I / O

4

I / O

5

I / O

6

I / O

7

I / O

8

CS

A

10

28-TSOP

I型 - 反向

NameName

A

0

~A

14

WE

CS

OE

I / O

1

-I / O

8

VCC

VSS

功能

地址输入

写使能输入

片选输入

输出使能输入

数据输入/输出

Power(5V)

地

21

22

23

24

25

26

27

28

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

产品列表&订购信息

产品列表

商用产品温度

(0~70

)

部件名称

KM62256CLP-4

KM62256CLP-4L

KM62256CLP-5

KM62256CLP-5L

KM62256CLP-7

KM62256CLP-7L

KM62256CLG-4

KM62256CLG-4L

KM62256CLG-5

KM62256CLG-5L

KM62256CLG-7

KM62256CLG-7L

KM62256CLTG-4

KM62256CLTG-5

KM62256CLTG-7

KM62256CLRG-4

KM62256CLRG-5

KM62256CLRG-7

初步

CMOS SRAM

扩展温度产品

(-25~85

)

部件名称

KM62256CLGE-7

KM62256CLGE-7L

KM62256CLGE-10

KM62256CLGE-10L

KM62256CLTGE-7

KM62256CLTGE-7L

KM62256CLTGE-10

KM62256CLRGE-7

KM62256CLRGE-7L

KM62256CLRGE-10

工业温度产品

(-40~85

)

部件名称

KM62256CLGI-7

KM62256CLGI-7L

KM62256CLGI-10

KM62256CLGI-10L

KM62256CLTGI-7

KM62256CLTGI-7L

KM62256CLTGI-10

KM62256CLRGI-7

KM62256CLRGI-7L

KM62256CLRGI-10

功能

28 - DIP ，为45nS ， L- PWR

28 - DIP ，为45nS ， LL- PWR

28 - DIP ， 55ns ， L- PWR

28 - DIP ， 55ns ， LL- PWR

28 - DIP ，为70ns ， L- PWR

28 - DIP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为45nS ， L- PWR

28 - SOP ，为45nS ， LL- PWR

28 - SOP ，为50ns ， L- PWR

28 - SOP ，为50ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为45nS ， L- PWR

28 - TSOP楼55ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为45nS ， L- PWR

28 - TSOP R， 55ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， L- PWR

功能

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为100ns ， L- PWR

28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为100ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为100ns ， L- PWR

功能

28 - SOP ，为70ns ， L- PWR

28 - SOP ，为70ns ， LL- PWR

28 - SOP ，为100ns ， L- PWR

28 - SOP ，为100ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP楼为100ns ， L- PWR

28 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

28 - TSOP R，为100ns ， L- PWR

28 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR

KM62256CLTGE -10L 28 - TSOP楼为100ns ， LL- PWR KM62256CLTGI -10L

KM62256CLRGE -10L 28 - TSOP R，为100ns ， LL- PWR KM62256CLRGI -10L

KM62256CLTG -4L 28 - TSOP楼为45nS ， LL- PWR

KM62256CLTG -5L 28 - TSOP楼55ns ， LL- PWR

KM62256CLTG - 7L 28 - TSOP楼为70ns ， LL- PWR

KM62256CLRG -4L 28 - TSOP R，为45nS ， LL- PWR

KM62256CLRG -5L 28 - TSOP R， 55ns ， LL- PWR

KM62256CLRG - 7L 28 - TSOP R，为70ns ， LL- PWR

订购信息

KM6 2× 256 X X X - XX X

L- Low低功耗，空白，低功率或高功率

访问时间： 4 =为45nS ， 5 = 55ns ， 7 =为70ns ， 10 = 100ns的

工作温度：空白=商业， I =工业级，E =扩展

封装类型： G = SOP ， P = DIP ， TG = TSOP前进， RG = TSOP反转

L-低功率或低低功耗，空白，大功率

模具版本： C = 4代

密度： 256 = 256K位

空白= 5V ，V = 3.0 3.6V ， U = 2.7 3.3V

组织： 2 = X8

美国证券交易委员会的标准SRAM

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

绝对最大额定值

*

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

符号

V

IN

,V

OUT

V

CC

P

D

T

英镑

T

A

工作温度

评级

-0.5到V

CC

+0.5

-0.5 7.0

1.0

-65到150

0到70

-25到85

-40到85

焊接温度和时间

T

SOLDER

260

， 10秒（仅限铅）

单位

V

W

-

初步

CMOS SRAM

备注

-

KM62256CL/L-L

KM62256CLE/LE-L

KM62256CLI/LI-L

-

*应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个stres唯一的评价和功能操作

该设备在这些或超出本规范的操作章节中所示的条件是不是实现了一套简易爆炸装置。暴露在绝对最大额定值条件

长时间会影响其可靠性。

建议的直流工作条件

*

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

-0.5***

典型**

5.0

0

-

最大

5.5

0

Vcc+0.5V

0.8

单位

V

* 1 ）商业产品：T已

A

= 0至70

除非另有规定

2 ）扩展产品：T已

A

= -25 85

除非另有规定

3 ）工业产品：T已

A

= -40 85

除非另有规定

** T

A

=25

*** V

IL

（分钟） = - 3.0V的

50ns的脉冲宽度

电容*

（ F = 1MHz的，T

A

=25

)

项

输入电容

输入/输出电容

*电容采样不是100 ％测试

符号

C

IN

C

IO

测试条件

V

IN

=0V

V

IO

=0V

民

-

最大

6

8

单位

pF

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

符号

I

LI

I

LO

I

CC

测试条件*

民

-1

-

初步

CMOS SRAM

典型**

-

7

最大

1

15***

单位

V

IN

= VSS到Vcc

CS = V

IH

或WE = V

IL

V

IO

= VSS到Vcc

CS = V

IL

,

V

IN

=V

IH

或V

IL

, I

IO

=0mA

周期时间= 1

§

100 ％的占空

CS

0.2V,

V

IL

0.2V

V

IN

VCC -0.2V ，我

IO

=0mA

分周期内， 100 ％的占空

CS = V

IL

, I

IO

=0mA

I

OL

=2.1mA

I

OH

=-1.0mA

CS = V

IH

L（低功耗）

LL （L低功耗）

§

mA

I

CC1

平均工作电流

I

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

KM62256CL

KM62256CL-L

待机电流

（ CMOS）的

KM62256CLE

KM62256CLE-L

KM62256CLI

KM62256CLI-L

I

SB1

V

OL

V

OH

I

SB

-

7****

mA

-

2.4

-

2

1

-

70

0.4

-

1*****

100

20

100

50

100

50

mA

V

mA

§

CS

Vcc-0.2V

V

IN

0.2V或

V

IN

V

CC

-0.2V

L（低功耗）

LL （L低功耗）

L（低功耗）

LL （L低功耗）

* 1 ）商业产品：T已

A

= 0至70

， VCC = 5V

除非另有说明， 10％的

2 ）扩展产品：T已

A

= -25 85

， VCC = 5V

10 ％ nless另有规定

3 ）工业产品：T已

A

= -40 85

， VCC = 5V

除非另有说明， 10％的

** T

A

=25

*** 20毫安的扩展和工业产品

**** 10毫安的扩展和工业产品

***** 2毫安的扩展和工业产品

A.C特性

测试条件

（ 1.测试负载和测试输入/输出参考） *

项

输入脉冲电平

输入&上升下降时间

输入和输出参考电压

输出负载（见右）

*请参阅DC操作条件

**为为45nS商业产品试验载荷

价值

0.8 2.4V

5ns

1.5V

C

L

=100pF+1TTL

**C

L

=30pF+1TTL

备注

-

*包括范围和夹具电容

C

L

*

修订版3.0

1996年4月

KM62256C家庭

测试条件

（ 2.温度和Vcc的条件）

产品系列

KM62256CL/L-L

KM62256CLE/LE-L

KM62256CLI/LI-L

温度

0~70

-25~85

-40~85

电源（ VCC）

5V

10%

5V

10%

5V

10%

速度斌

45*/55/70ns

70/100ns

初步

CMOS SRAM

EXTENDED

产业

*该参数测量30pF的测试负载

参数列表中为每个SPEED BIN

速箱

参数表

符号

45ns*

民

读

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

*该参数测量30pF的测试负载

55ns

民

55

-

10

5

0

5

55

45

0

45

40

0

25

0

5

最大

-

55

25

-

20

-

20

-

70ns

民

70

-

10

5

0

5

70

60

0

60

50

0

30

0

5

最大

-

70

35

-

30

-

25

-

100ns

民

100

-

10

5

0

5

100

80

0

80

60

0

50

0

5

最大

-

100

50

-

35

-

35

-

单位

最大

-

45

25

-

20

-

20

-

t

RC

t

AA

t

CO

t

OE

t

LZ

t

OLZ

t

HZ

t

OHZ

t

OH

t

WC

t

CW

t

AS

t

AW

t

WP

t

WR

t

WHZ

t

DW

t

DH

t

OW

45

-

10

5

0

5

45

0

45

40

0

25

0

5

ns

修订版3.0

1996年4月