KM6164002 ， KM6164002E ， KM6164002I
包装尺寸
44-SOJ-400
#44
#23
初步
CMOS SRAM
单位：英寸（毫米）
11.18±
0.12
0.440±
0.005
10.16
0.400
9.40±
0.25
0.370±
0.010
0.20
+0.10
-0.05
0.008
+0.004
-0.002
#1
#22
0.69 MIN
0.027
28.98 MAX
1.141
25.58±
0.12
1.125±
0.005
(
1.19
)
0.047
3.76
0.148MAX
0.10
最大
0.004
( 0.95 )
0.0375
0.43
-0.05
0.017
+0.004
-0.002
+0.10
1.27
0.050
0.71
-0.05
0.028
+0.004
-0.002
+0.10
1.27
( 0.050 )
-9-
修订版2.0
六月-1997
KM6164002 ， KM6164002E ， KM6164002I
写周期时序波形（ 4 ）
LB控制）
（ UB ，
t
WC
添加
t
AW
t
CW(3)
CS
t
BW
UB ， LB
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
BLZ
数据输出
高-Z
t
WHZ(6)
数据有效
t
WP(2)
初步
CMOS SRAM
t
WR(5)
t
DH
High-Z(8)
注（ WRITE
循环）
1.所有的写入周期的定时从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
2.低CS ， WE ， LB和UB重叠期间，写操作。写在开始的最新过渡CS变低而我们要低;在写结束
最早转型CS变高或我们要高。吨
WP
从写入的开始写的末端测量。
3. t
CW
从CS的购买要低写入的结束测量。
4. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
5. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
WR
在适用的情况下写入结束的CS ，或者我们要高。
6.如果OE 。 CS和我们在阅读模式，在此期间，该I / O引脚输出低电平-Z状态。输出万亩吨反相输入端不
应用，因为总线争用可能发生。
7.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是在读取必要的，写CYCL如
8.如果同时CS变低，与我们是否还是我们变低后，输出保持高阻态。
9. Dout为新地址的读数据。
10.当CS为低电平： I / O引脚的输出状态。在相反的相位领先于输出的输入信号不应该被应用。
功能说明
CS
H
L
L
L
WE
X
H
X
H
OE
X*
H
X
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
L
L
X
H
L
*注： X表示不关心。
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
模式
I / O
1
-I / O
8
不选择
输出禁用
高-Z
高-Z
D
OUT
读
高-Z
D
OUT
D
IN
写
高-Z
D
IN
I / O引脚
I / O
9
-I / O
16
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
-8-
修订版2.0
六月-1997
KM6164002 ， KM6164002E ， KM6164002I
写周期时序波形（ 2 ）
（ OE =低固定）
t
WC
添加
t
AW
t
CW(3)
CS
t
BW
UB ， LB
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
WHZ(6)
数据有效
t
WP1(2)
初步
CMOS SRAM
t
WR(5)
t
OH
t
DH
t
OW
(10)
(9)
高-Z
数据输出
写周期时序波形（ 3 ）
（ CS =控制）
t
WC
添加
t
AW
t
CW(3)
CS
t
BW
UB ， LB
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
LZ
数据输出
高-Z
t
WHZ(6)
High-Z(8)
数据有效
t
DH
t
WP(2)
t
WR(5)
-7-
修订版2.0
六月-1997
KM6164002 ， KM6164002E ， KM6164002I
读周期时序波形（ 2 ）
（WE = V
IH
)
t
RC
添加
t
AA
t
CO
CS
t
BA
UB ， LB
t
BLZ(4,5)
t
OE
OE
t
OLZ
t
LZ(4,5)
数据输出
数据有效
初步
CMOS SRAM
t
HZ(3,4,5)
t
BHZ(3,4,5)
t
OHZ
t
OH
注（ READ
循环）
1.我们是高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3. t
HZ
和T
OHZ
被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V的时间
OH
或V
OL
的水平。
4.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZ
（最大）小于吨
LZ
（分钟）都对于给定的设备和从设备到设备。
5.转换测量
±200
§
从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
6.设备，不间断地与CS = V选择
IL 。
7.地址有效之前，暗合了CS变为低电平。
8.对于通用I / O的应用，尽量减少或消除了总线争用条件是在读取必要的，写CYCL如
写周期时序波形（ 1 ）
（ OE =时钟）
t
WC
添加
t
AW
OE
t
CW(3)
CS
t
BW
UB ， LB
t
AS(4)
WE
t
DW
DATA IN
高-Z
t
OHZ(6)
High-Z(8)
数据输出
数据有效
t
DH
t
WP(2)
t
WR(5)
-6-
修订版2.0
六月-1997
KM6164002 ， KM6164002E ， KM6164002I
写周期
参数
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度（ OE高）
把脉冲宽度（ OE低）
UB ， LB有效到结束写入的
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WP1
t
BW
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
KM6164002-20
民
20
15
0
15
15
20
15
0
0
10
0
3
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
民
25
17
0
17
17
25
17
0
0
12
0
4
初步
CMOS SRAM
KM6164002-25
最大
-
-
-
-
-
-
-
-
8
-
-
-
单位
§
§
§
§
§
§
ns
§
§
§
§
§
注：以上参数也保证在扩展和工业温度范围。
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（地址控制， CS = OE = UB = LB = V
IL
我们= V
IH
)
t
RC
添加
t
AA
t
OH
数据输出
以前的数据有效
数据有效
-5-
修订版2.0
六月-1997
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