KM6161002B ， KM6161002BI
文档标题
CMOS SRAM
64Kx16位高速静态RAM （ 5.0V操作） ，革命销出去。
工作在商用和工业温度范围。
修订历史
REV号
修订版0.0
1.0版
历史
最初的版本与设计目标。
发布初步数据表。
1.更换设计目标初步。
发布到最终数据手册。
2.1 。初步删除
2.2 。删除L-版本。
2.3 。删除数据保持特性和波形。
2.4 。添加测试环境的容性负载在交流测试负载
2.5 。改变D.C特点
以前的规范。
改变了规范。
项
（8 /10 /为12ns部）
（8 /10 /为12ns部）
ICC
200/190/180mA
200/195/190mA
ISB
30mA
50mA
数据稿
1997年4月1日
1997年6月1日
备注
设计目标
初步
修订版2.0
1998年2月25日
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和问题上的参数是第
装置。如果您有任何疑问，请联系您附近的办公室SAMSUNG分支机构，致电或联系总部。
修订版2.0
1998年2月
-1-
KM6161002B ， KM6161002BI
64K ×16位高速CMOS静态RAM
特点
快速存取时间8,10,12ns （最大）
低功耗
待机（ TTL）的
50 MA（最大）
（ CMOS ） ： 10毫安（最大）
经营KM6161002B - 8 ：200 MA（最大）
KM6161002B - 10 ：195 MA（最大）
KM6161002B - 12 ：190 MA（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
I / O与3.3V器件兼容
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
中心电源/接地引脚配置
数据字节控制： LB ： I / O
1
- I / O
8,
UB ： I / O
9
- I / O
16
标准引脚配置
KM6161002BJ ： 44 SOJ -400
KM6161002BT ： 44 TSOP2-400F
CMOS SRAM
概述
该KM6161002B是1,048,576位高速静态随机
访问内存（16位）组织为65,536字。该
KM6161002B使用16个通用输入和输出线，并具有
在输出使能引脚，工作比地址的访问速度更快
时间读周期。此外，它允许该下部和上部字节
通过访问数据字节的控制（ UB ， LB ） 。该装置被制造
采用了三星先进的CMOS工艺和设计
高速电路技术。它特别适于供
在高密度的高速系统应用程序使用。该
KM6161002B封装在一个400mil 44引脚塑料SOJ或
TSOP2前进。
引脚配置
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
CS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
（ TOP VIEW ）
44 A
15
43 A
14
42 A
13
41 OE
40 UB
39 LB
38 I / O
16
37 I / O
15
36 I / O
14
订购信息
KM6161002B -8/10/12
KM6161002BI -8/10/12
商业温度。
工业级温度范围。
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
10
VCC 11
VSS 12
I / O
5
13
I / O
6
14
I / O
7
15
I / O
8
16
WE 17
A
5
18
A
6
19
SOJ /
TSOP2
35 I / O
13
34 Vss的
33的Vcc
32个I / O
12
31 I / O
11
30 I / O
10
29 I / O
9
北卡罗来纳州28
27 A
12
26 A
11
25 A
10
24 A
9
23北卡罗来纳州
功能框图
CLK GEN 。
A
0
A
1
A
2
A
3
A
4
A
5
A
6
A
7
I / O
1
-I / O
8
I / O
9
-I / O
16
预充电电路
行选择
存储阵列
256行
256×16列
A
7
20
A
8
21
北卡罗来纳州22
引脚功能
数据
续。
数据
续。
将军
CLK
A
8
A
9
A
10
A
11
A
12
A
13
A
14
A
15
I / O电路&
列选择
引脚名称
A
0
- A
15
WE
CS
OE
LB
UB
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
OUTPUT ENABLE
低字节控制（I / O
1
-I / O
8
)
上个字节的控制（ I / O
9
-I / O
16
)
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
无连接
WE
OE
UB
LB
CS
I / O
1
- I / O
16
V
CC
V
SS
N.C
-2-
修订版2.0
1998年2月
KM6161002B ， KM6161002BI
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
功耗
储存温度
工作温度
广告
产业
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
T
A
等级
-0.5 7.0
-0.5 7.0
1.0
-65到150
0到70
-40到85
CMOS SRAM
单位
V
V
W
°C
°C
°C
*
应力大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。这是一个压力阿婷只
该设备在这些或以上的本规范ification的经营部门所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 70 ° C）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
*
V
IL
（最小值） = -2.0V交流转换器（脉冲Width≤6ns ）的I≤20mA
**
V
IH
（MAX） = V
CC +
2.0V交流转换器（脉冲Width≤6ns ）的I≤20mA
DC和工作特性
(T
A
= 0至70℃ ， Vcc的= 5.0V ±10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
I
LI
I
LO
I
CC
测试条件
V
IN
=V
SS
到V
CC
CS = V
IH
或OE = V
IH
或WE = V
IL
V
OUT
=V
SS
到V
CC
分钟。周期， 100 ％占空比
CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
OUT
=0mA
8ns
10ns
12ns
待机电流
I
SB
I
SB1
输出低电压电平
输出高电压电平
V
OL
V
OH
V
OH1
*
分钟。周期， CS = V
IH
F = 0MHz处， CS
≥V
CC
-0.2V,
V
IN
≥V
CC
-0.2V或V
IN
≤0.2V
I
OL
=8mA
I
OH
=-4mA
I
OH1
=-0.1mA
民
-2
-2
-
-
-
-
-
-
2.4
-
最大
2
2
200
195
190
50
10
0.4
-
3.95
mA
mA
V
V
V
单位
A
A
mA
注：以上参数也保证在工业级温度范围。
* V
CC
= 5.0V ，温度= 25°C
电容*
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输入/输出电容
输入电容
符号
C
I / O
C
IN
测试条件
V
I / O
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
8
6
单位
pF
pF
*注：电容采样，而不是100 ％测试。
-3-
修订版2.0
1998年2月
QQ：2881677436 复制
