KM48V8004B ， KM48V8104B
CMOS DRAM
8M X 8位CMOS动态随机存储器与扩充数据输出
描述
这是一个家庭的8,388,608 ×8位扩展数据输出模式CMOS DRAM的。扩展数据输出模式提供了高速随机
存储单元的同一行内的访问。刷新周期（ 4K参考文献或8K参考） ，访问时间（-45 ，-5或-6） ，功耗（普通
或低功率）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新和隐藏刷新
的能力。此外，自刷新操作是在L型版本。这8Mx8 EDO DRAM模式的家庭正在使用采样为制造
盛先进的CMOS工艺来实现高带宽，低功耗和高可靠性。
特点
零件识别
- KM48V8004B / B -L （ 3.3V ， 8K REF）
- KM48V8104B / B -L （ 3.3V ， 4K REF）
有源功率耗散
单位：毫瓦
速度
-45
-5
-6
刷新周期
部分
号
KM48V8004B*
KM48V8104B
刷新
周期
8K
4K
刷新时间
正常
64ms
L-版本
128ms
RAS
CAS
W
扩展数据输出模式操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
自刷新功能（L -版本只）
快速并行测试模式功能
LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
?? JEDEC标准引脚
提供塑料SOJ和TSOP （ II ）包
+ 3.3V ± 0.3V电源
4K
468
432
396
8K
360
324
288
功能框图
控制
钟
VCC
VSS
VBB发生器
刷新控制
刷新计数器
存储阵列
8,388,608 x 8
细胞
读出放大器& I / O
*访问模式& RAS只刷新模式
： 8K周期/ 64ms的（普通） ， 8K循环/ 128毫秒（L -VER ）。
CAS先于RAS &隐藏刷新模式
： 4K周期/ 64ms的（普通） ， 4K周期/ 128毫秒（L -VER ）。
刷新计时器
行解码器
DATA IN
卜FF器
DQ0
to
DQ7
数据输出
卜FF器
OE
性能范围：
速度
-45
-5
-6
t
RAC
45ns
50ns
60ns
t
CAC
12ns
13ns
15ns
t
RC
74ns
84ns
104ns
t
HPC
17ns
20ns
25ns
A0~A12
(A0~A11)*1
A0~A9
(A0~A10)*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
注） * 1： 4K刷新
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保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
KM48V8004B ， KM48V8104B
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
V
IN，
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
等级
-0.5到+6.5
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
CMOS DRAM
单位
V
V
°C
W
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应仅限于
条件详见本数据表中的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
3.0
0
2.0
-0.3
*2
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
+5.5
*1
0.8
单位
V
V
V
V
* 1 ：这是测量V 6.5V的脉冲width≤15ns
CC
* 2： -1.3在脉冲width≤15ns其测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
参数
输入漏电流（任何输入0≤V
IN
≤V
CC
+0.3V,
所有其它引脚不能被测= 0伏）
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V≤V
OUT
≤V
CC
)
输出高电压（ IOH = -2mA ）
输出低电压（ IOL = 2毫安）
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
KM48V8004B ， KM48V8104B
DC和工作特性
（续）
符号
动力
速度
KM48V8004B
I
CC1
不在乎
正常
L
不在乎
-45
-5
-6
不在乎
-45
-5
-6
-45
-5
-6
不在乎
-45
-5
-6
不在乎
不在乎
100
90
80
2
2
100
90
80
110
100
90
500
300
100
90
80
400
400
最大
KM48V8104B
130
120
110
2
2
130
120
110
120
110
100
500
300
130
120
110
400
400
CMOS DRAM
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
CC2
I
CC3
I
CC4
不在乎
正常
L
不在乎
L
L
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
I
CC1
*：工作电流（ RAS和CAS ，地址自行车@
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：扩展数据输出模式电流（ RAS = V
IL
中国科学院，地址自行车@
t
HPC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC7
：电池后备电流，平均电源电流，电池备份模式
输入高电压（V
IH
)=V
CC
-0.2V ，低输入电压（V
IL
） = 0.2V ， CAS = CAS先于RAS骑自行车或0.2V
W， OE = V
IH
，地址=无关， DQ =打开，T
RC
=31.25us
I
CCS
：自刷新电流
RAS CAS = = 0.2V ， W = OE = A0 A12 （ A11 ） = V
CC
-0.2V和0.2V ， DQ0 DQ7 = V
CC
-0.2V ， 0.2V或打开
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
我
CC6,
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以改变最大一次1 EDO模式的周期时间内，
t
HPC
.
KM48V8004B ， KM48V8104B
电容
(T
A
= 25 ° C，V
CC
= 3.3V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A12 ]
输入电容[ RAS，CAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ7 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
(0°C≤T
A
≤70°C,
见注1,2 ）
测试条件： V
CC
= 3.3V ± 0.3V ， VIH /德维尔= 2.2 / 0.7V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
中国科学院输出缓冲关断延迟
OE为输出低Z
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
数据建立时间
符号
民
-45
最大
民
84
113
45
12
23
3
3
3
1
25
45
8
35
7
11
9
5
0
7
0
7
23
0
0
0
7
6
8
7
0
5K
33
22
10K
50
13
3
3
3
1
30
50
8
38
8
11
9
5
0
7
0
7
25
0
0
0
7
7
8
7
0
10K
37
25
10K
50
13
50
13
25
3
3
3
1
40
60
10
40
10
14
12
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
10
10
0
10K
45
30
10K
50
13
-5
最大
民
104
138
60
15
30
-6
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
9
8
8
4
10
3,4,10
3,4,5
3,10
3
6,14
3
2
单位
记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
CEZ
t
OLZ
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
74
101
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