KM48C2000B ， KM48C2100B
KM48V2000B ， KM48V2100B
2米x 8位CMOS动态RAM具有快速页面模式
描述
CMOS DRAM
这是一个家庭的2,097,152 ×8位的快速页面模式的CMOS DRAM的。快速页模式提供了存储单元的高速随机存取
在同一行中。电源电压（ + 5.0V或+ 3.3V ） ，刷新周期（ 2K参考或4K参考） ，访问时间（ -5，-6或-7 ） ，功率变
消费（正常或低功率）和封装类型（ SOJ或TSOP -II ）是这个家族的可选功能。所有这些家庭都有CAS-
前-RAS刷新， RAS只刷新和隐藏刷新功能。此外，自刷新操作是在L型版本。
这2Mx8快速页模式DRAM系列采用了三星先进的CMOS工艺实现高带宽宽无中生有，低功耗
耗和高可靠性。
它也可以用作用于微型计算机图形存储器单元，个人计算机和便携式计算机。
特点
快速页模式操作
字节/字的读/写操作
CAS先于RAS的刷新功能
RAS-只和隐藏刷新功能
自刷新功能（L -版本只）
快速的并行测试模式功能
TTL （ 5V ） / LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
早期写或输出使能控制的写
JEDEC标准引脚
可在塑料SOJ和TSOP （ II ）包
+ 5V单
10 ％的电源（ 5V产品）
+ 3.3V单
0.3V电源（ 3.3V产品）
部分鉴定
- KM48C2000B / B -L （ 5V ， 4K REF）
- KM48C2100B / B -L （ 5V ， 2K参考）
- KM48V2000B / B -L （ 3.3V ， 4K REF）
- KM48V2100B / B -L （ 3.3V ， 2K参考）
有源功率耗散
单位：毫瓦
速度
4K
-5
-6
-7
324
288
252
3.3V
2K
396
360
324
4K
495
440
385
5V
2K
605
550
495
功能框图
刷新周期
部分
号
C2000B
V2000B
C2100B
V2100B
V
CC
5V
3.3V
5V
3.3V
2K
32ms
刷新
周期
4K
刷新周期
正常
64ms
128ms
刷新计时器
刷新控制
刷新计数器
存储阵列
2,097,152 x 8
细胞
行解码器
读出放大器& I / O
RAS
CAS
W
控制
钟
VBB发生器
VCC
VSS
L-版本
DATA IN
卜FF器
DQ0
to
DQ7
性能范围
速度
-5
-6
-7
t
RAC
50ns
60ns
70ns
t
CAC
13ns
15ns
20ns
t
RC
90ns
110ns
130ns
t
PC
35ns
40ns
45ns
备注
5V/3.3V
5V/3.3V
5V/3.3V
A0-A11
(A0 - A10)
*1
A0 - A8
(A0 - A9)
*1
行地址缓冲器
上校地址缓冲器
列解码器
数据输出
卜FF器
OE
注）
*1
： 2K刷新
三星电子有限公司
保留的权利
改变产品规格，恕不另行通知。
KM48C2000B ， KM48C2100B
KM48V2000B ， KM48V2100B
CMOS DRAM
引脚配置
（俯视图）
KM48C/V20(1)00BK
KM48C/V20(1)00BS
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
W
RAS
*A11(N.C)
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
W
RAS
*A11(N.C)
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
V
SS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
* A11是NC的KM48C / V2100B （ 5V / 3.3V ， 2K参考品）
K： 300MIL 28 SOJ
S： 300MIL 28 TSOP II
引脚名称
A0 - A11
A0 - A10
DQ0 - 7
V
SS
RAS
CAS
W
OE
V
CC
N.C
引脚功能
地址输入（ 4K产品）
地址输入（ 2K产品）
IN / OUT数据
地
行地址选通
列地址选通
读/写输入
数据输出使能
Power(+5V)
Power(+3.3V)
无连接（ 2K参考品）
KM48C2000B ， KM48C2100B
KM48V2000B ， KM48V2100B
绝对最大额定值
参数
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
供应相对于V
SS
储存温度
功耗
短路输出电流
符号
3.3V
V
IN，
V
OUT
V
CC
TSTG
P
D
I
OS
-0.5到+4.6
-0.5到+4.6
-55到+150
1
50
等级
CMOS DRAM
单位
5V
-1.0到+7.0
-1.0到+7.0
-55到+150
1
50
V
V
W
mA
如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能出现*永久性设备损坏。功能操作应限制
在条件详见本数据表的业务部门。暴露在绝对最大额定值条件下，
长时间可能会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（参考电压到Vss ，T
A
= 0至70
)
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
符号
民
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
0
2.0
-0.3
*2
3.3V
典型值
3.3
0
-
-
最大
3.6
0
V
CC
+0.3
*1
0.8
民
4.5
0
2.4
-1.0
*2
5V
典型值
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
V
CC
+1.0
*1
0.8
V
V
V
V
单位
*1 : V
CC
+ 1.3V /为15ns （ 3.3V ） ，V
CC
+ 2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
CC
* 2 ： -1.3V /为15ns （ 3.3V ） ， -2.0V /为20ns （ 5V ） ，脉冲宽度测量V
SS
DC和工作特性
（推荐工作条件，除非另有说明。 ）
最大
参数
输入漏电流（任何输入0
V
IN
V
IN
+0.3V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
3.3V
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V
V
OUT
V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-2mA)
输出低电压电平（I
OL
=2mA)
输入漏电流（任何输入0
V
IN
V
IN
+0.5V,
其他所有输入引脚不能被测= 0伏）
5V
输出漏电流
（数据输出被禁用， 0V
V
OUT
V
CC
)
输出高电压电平（I
OH
=-5mA)
输出低电压电平（I
OL
=4.2mA)
符号
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
OH
V
OL
民
-5
-5
2.4
-
-5
-5
2.4
-
最大
5
5
-
0.4
5
5
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
uA
uA
V
V
KM48C2000B ， KM48C2100B
KM48V2000B ， KM48V2100B
DC和工作特性
（续）
符号
动力
速度
KM48V2000B
I
CC1
不关心
正常
L
不关心
-5
-6
-7
不关心
-5
-6
-7
-5
-6
-7
不关心
-5
-6
-7
不关心
不关心
90
80
70
1
1
90
80
70
80
70
60
0.5
0.3
90
80
70
450
250
KM48V2100B
110
100
90
1
1
110
100
90
90
80
70
0.5
0.3
110
100
90
400
250
最大
KM48C2000B
90
80
70
2
1
90
80
70
80
70
60
1
0.3
90
80
70
450
300
CMOS DRAM
单位
KM48C2100B
110
100
90
2
1
110
100
90
90
80
70
1
0.3
110
100
90
400
300
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
I
CC2
I
CC3
I
CC4
不关心
正常
L
不关心
L
L
I
CC5
I
CC6
I
CC7
I
CCS
I
CC1
*：工作电流（ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC2
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
IH
)
I
CC3
*： RAS只刷新电流（ CAS = V
IH
， RAS循环@
t
RC
=分钟）
I
CC4
*：快速页模式电流（ RAS = V
IL
中国科学院，地址自行车@
t
PC
=分钟）
I
CC5
：待机电流（ RAS = CAS = W = V
CC
-0.2V)
I
CC6
*： CAS先于RAS的刷新电流（ RAS和CAS @骑自行车
t
RC
=分钟）
I
CC7
：电池后备电流，平均电源电流，电池备份模式
输入高电压（V
IH
)=V
CC
-0.2V ，低输入电压（V
IL
） = 0.2V ， CAS = 0.2V ，
DIN =不关心，T
RC
= 31.25us （ 4K / L型版本） ， 62.5us （2K / L型版本） ，
T
RAS
=T
RAS
min~300ns
I
CCS
：自刷新电流
RAS CAS = = V
IL
， W = OE = A0 A11 = V
CC
-0.2V和0.2V ，
DQ0 DQ7 = V
CC
-0.2V ， 0.2V或打开
*注意：
I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
依赖于输出负载和循环率。指定的值与输出开路获得。
I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
我
CC6
地址可以被改变最多一次，而RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以改变最大一次1快速页面模式的周期时间内，
t
PC
.
KM48C2000B ， KM48C2100B
KM48V2000B ， KM48V2100B
电容
(T
A
=25
, V
CC
= 5V或3.3V ， F = 1MHz的）
参数
输入电容[ A0 A11 ]
输入电容[ RAS，CAS ，W ， OE ]
输出电容[ DQ0 - DQ7 ]
符号
C
IN1
C
IN2
C
DQ
民
-
-
-
CMOS DRAM
最大
5
7
7
单位
pF
pF
pF
AC特性
(0
T
A
70
，见注1,2 ）
测试条件（ 5V器件） ： V
CC
=5.0V
10 ％ ， VIH /德维尔= 2.4 / 0.8V ，的Voh /卷= 2.4 / 0.4V
测试条件（ 3.3V器件） ： V
CC
=3.3V
0.3V ， VIH /德维尔= 2.0 / 0.8V ，的Voh /卷= 2.0 / 0.8V
参数
随机读或写周期时间
读 - 修改 - 写周期时间
从RAS访问时间
从CAS访问时间
从列地址访问时间
CAS到输出中低Z
输出缓冲关断延迟
转换时间（上升和下降）
RAS预充电时间
RAS脉冲宽度
RAS保持时间
CAS保持时间
CAS脉冲宽度
RAS到CAS的延迟时间
RAS到列地址的延迟时间
CAS到RAS预充电时间
行地址建立时间
行地址保持时间
列地址建立时间
列地址保持时间
列地址到RAS交货时间
读命令设置时间
阅读参考CAS命令保持时间
阅读参考RAS命令保持时间
写命令保持时间
WRITE命令的脉冲宽度
写命令到RAS交货期
写命令到CAS交货期
符号
民
-5
最大
民
110
155
50
13
25
0
0
3
30
50
13
50
13
20
15
5
0
10
0
10
25
0
0
0
10
10
13
13
10K
37
25
10K
13
50
0
0
3
40
60
15
60
15
20
15
5
0
10
0
10
30
0
0
0
10
10
15
15
10K
45
30
10K
15
50
60
15
30
0
0
3
50
70
20
70
20
20
15
5
0
10
0
15
35
0
0
0
15
15
20
20
10K
50
35
10K
20
50
-6
最大
民
130
185
70
20
35
-7
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
7
7
4
9
3,4,9
3,4
3,9
3
5
2
单位
笔记
t
RC
t
RWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CLZ
t
关闭
t
T
t
RP
t
RAS
t
RSH
t
CSH
t
CAS
t
RCD
t
拉德
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
拉尔
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
90
133
QQ：2881677436 复制
