KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
直接RDRAM
128 / 144Mbit RDRAM
256K X 16/18位×2 ×16依赖银行
直接RDRAM
TM
修订版1.01
1999年10月
网页-2
牧师1.01 1999年10月
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
修订历史
1.0版（ 1999年7月） -
初步
- 基于Rambus的数据1.0版本。
直接RDRAM
1.01版（ 1999年10月）
第1页
- 删除低功耗的部件号。
第32页
- 添加了CNFGA注册数据@图28 。
第33页
- 添加了CNFGB注册数据@图29和纠正CNFGB寄存器的CORG4..0领域。
第44页
- 从TBD添加TJ价值最大。 100℃ @表18 。
第46页
- 添加
Θ
JC
值从TBD至0.2 ℃/瓦@表20 。
第55页
- 添加的当前值356MHz和300MHz的RDRAM设备。
页-1
牧师1.01 1999年10月
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
直接RDRAM
KM 4 XX XX XX X X - X X XX
三星内存
设备
组织
产品
密度
速度
t
RAC
（行存取时间）
电力&刷新
套餐类型
调整
1.三星显存
7.包装类型
- C ：U - BGA （普通CSP ）
- D ：U - BGA （镜像CSP ）
2.设备
- 4 ： DRAM
3.组织
- 16 ： X16位
- 18 ： X18位
8.电源&刷新
- 空白：正常功耗自我Refesh （ 32米/ 8K ， 3.9us ）
-L
：低功耗自Refesh （ 32米/ 8K ， 3.9us ）
-R
：普通功率自Refesh （ 32米/ 16K ， 1.9us ）
-S
：低功耗自Refesh （ 32米/ 16K ， 1.9us ）
4.产品
- RD ：直接Rambus DRAM
5.密度
- 2 : 2M
- 4 : 4M
- 8 : 8M
- 16 : 16M
- 32 : 32M
6.修订
- 空白：第一将军
-A
：第二届创
9. t
RAC
（行存取时间）
- 空白：对于菊花链样本
-G
： 53.3ns
-K
：为45nS
-M
：为40ns
- B D，F ，J ， L，N ：保留
10.速度
- DS ：用于菊花链样本
- 60 ： 600Mbps的（ 300MHz的）
- 70 ： 711Mbps （ 356MHz ）
- 80 ： 800Mbps的（ 400MHz的）
第0页
牧师1.01 1999年10月
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
概观
Rambus公司的RDRAM直接是一种通用的高
适合于在广泛的使用性能存储装置
的应用，包括计算机存储器，图形范围
视频和任何其他应用程序，其中高带宽和
低等待时间是必需的。
该一百四十四分之一百二十八兆位直接Rambus公司的DRAM （ RDRAM
）是
超高速CMOS DRAM的组织为8M
字由16或18位。采用RAMBUS信号电平的
（ RSL ）技术允许600MHz至800MHz的传输
而使用传统的系统和电路板设计速度
技术。直接RDRAM的设备能够
每两个字节1.25 ns的持续数据传输（每10ns的
16个字节）。
对了Direct RDRAM的结构允许的最高
持续的带宽为多，同时随机
寻址的存储器事务。单独的控制和
数据总线具有独立的行和列控产量
95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32
银行支持多达四个同时交易。
体系化的特点为移动，图形和大
存储系统包括电源管理，字节屏蔽，
和X18组织。在×18的2位数据组织
灰是通用的，可用于额外的存储和
带宽或进行纠错。
直接RDRAM
SEC韩国
KM4xxRD8AC
SEC韩国
KM4xxRD8AD
M
一。普通包装
B 。镜像包
图1 ：直接RDRAM CSP封装
该一百四十四分之一百二十八兆位了Direct RDRAM提供的CSP
横向封装，适合台式机和低端
简介附加卡和移动应用。
关键时序参数/部件号
速度
组织
箱子
256Kx16x32s
a
-RG60
-RK70
-RK80
256Kx18x32s
-RG60
-RK70
-RK80
I / O
频率。
兆赫
600
711
800
600
711
800
t
RAC
（行
ACCESS
时间） NS
53.3
45
45
53.3
45
45
产品型号
特点
每个DRAM器件的最高持续带宽
KM416RD8AC(D
b
)-R
c
G60
KM416RD8AC(D)-RK70
KM416RD8AC(D)-RK80
KM418RD8AC(D)-RG60
KM418RD8AC(D)-RK70
KM418RD8AC(D)-RK80
- 1.6GB / s的持续数据传输率
- 独立的控制与数据总线的最大化
效率
- 独立的行和列控制总线的
简单的调度和最高性能
- 32银行：四笔交易可以发生simul-
taneously全带宽的数据传输速率
低延迟特性
答。
“32s"designation
表示此RDRAM芯由32
银行的使用"split"银行架构。
b.The
“C“
指示符指示正常包和
“D“
指示
镜像包。
c.The
“R“
标志表示该RDRAM核心采用普通电源
自刷新。
- 写缓存以减少读取延迟
- 对控制器的灵活性3预充电机制
- 交叉交易
先进的电源管理：
- 直接RDRAM从2.5伏电源供电
- 多种低功耗状态可在电源的灵活性
消费随时间转变到激活状态
- 掉电自刷新
组织： 1K字节页和32的银行中，x 16/18
- X18组织允许ECC配置或
增加了存储/带宽
- x16组织的低成本应用
采用RAMBUS信号级（ RSL）的高达800MHz
手术
第1页
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KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
引脚排列及定义
普通包装
下表显示了正常的RDRAM封装的引脚分配。
表1：一。中心键合设备
（顶视图普通包装）
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
ROW
COL
GND
VDD
VDD
GND
SCK
Vcmos
DQA8
*
DQA6
GND
DQA3
DQA1
VDD
DQA0
VREF
GND
CTMN
RQ7
GND
CTM
RQ1
VDD
RQ4
DQB2
GND
RQ0
DQB6
GND
DQB3
SIO0
Vcmos
DQB8
*
DQA7
GND
CMD
DQA4
VDD
DQA5
CFM
GND
DQA2
CFMN
GNDA
VDDA
RQ5
VDD
RQ6
RQ3
GND
RQ2
DQB0
VDD
DQB1
DQB4
VDD
DQB5
DQB7
GND
SIO1
GND
VDD
VDD
GND
直接RDRAM
b.
顶部标记
例如正常的包
SEC韩国
KM4xxRD8AC
对于普通封装，引脚1 （第1行， COL A）是
位于上侧的A1位置以及
在A1位置被标记由标记
“ “
.
顶视图
A
B
C
D
E
F
G
H
J
镜像包
该表显示了镜像RDRAM封装的引脚分配。
表2 ： a.Center保税设备
（顶视图镜像包）
12
11
10
9
8
7
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5
4
3
2
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ROW
COL
GND
VDD
VDD
GND
CMD
GND
DQA7
DQA5
VDD
DQA4
DQA2
GND
CFM
VDDA
GNDA
CFMN
RQ6
VDD
RQ5
RQ2
GND
RQ3
DQB1
VDD
DQB0
DQB5
VDD
DQB4
SIO1
GND
DQB7
DQA8
*
Vcmos
SCK
DQA3
GND
DQA6
DQA0
VDD
DQA1
CTMN
GND
VREF
CTM
GND
RQ7
RQ4
VDD
RQ1
RQ0
GND
DQB2
DQB3
GND
DQB6
DQB8
*
Vcmos
SIO0
GND
VDD
VDD
GND
芯片
* DQA8 / DQB8只是用于
144MB RDRAM 。这两个引脚
NC （无连接）的128Mb的RDRAM 。
B 。热门标记的例子
镜像包
SEC韩国
KM4xxRD8AD
M
A
B
C
D
E
F
G
H
J
对于镜像封装，引脚1 （第1行， COL A）
位于A 1现在的位置上的顶侧和
在A1位置的标志是字母
“
M
“
.
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直接RDRAM
128 / 144Mbit RDRAM
256K X 16/18位×2 ×16依赖银行
直接RDRAM
TM
修订版1.01
1999年10月
网页-2
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KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
修订历史
1.0版（ 1999年7月） -
初步
- 基于Rambus的数据1.0版本。
直接RDRAM
1.01版（ 1999年10月）
第1页
- 删除低功耗的部件号。
第32页
- 添加了CNFGA注册数据@图28 。
第33页
- 添加了CNFGB注册数据@图29和纠正CNFGB寄存器的CORG4..0领域。
第44页
- 从TBD添加TJ价值最大。 100℃ @表18 。
第46页
- 添加
Θ
JC
值从TBD至0.2 ℃/瓦@表20 。
第55页
- 添加的当前值356MHz和300MHz的RDRAM设备。
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订购信息
1
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5
6
7
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9
10
直接RDRAM
KM 4 XX XX XX X X - X X XX
三星内存
设备
组织
产品
密度
速度
t
RAC
（行存取时间）
电力&刷新
套餐类型
调整
1.三星显存
7.包装类型
- C ：U - BGA （普通CSP ）
- D ：U - BGA （镜像CSP ）
2.设备
- 4 ： DRAM
3.组织
- 16 ： X16位
- 18 ： X18位
8.电源&刷新
- 空白：正常功耗自我Refesh （ 32米/ 8K ， 3.9us ）
-L
：低功耗自Refesh （ 32米/ 8K ， 3.9us ）
-R
：普通功率自Refesh （ 32米/ 16K ， 1.9us ）
-S
：低功耗自Refesh （ 32米/ 16K ， 1.9us ）
4.产品
- RD ：直接Rambus DRAM
5.密度
- 2 : 2M
- 4 : 4M
- 8 : 8M
- 16 : 16M
- 32 : 32M
6.修订
- 空白：第一将军
-A
：第二届创
9. t
RAC
（行存取时间）
- 空白：对于菊花链样本
-G
： 53.3ns
-K
：为45nS
-M
：为40ns
- B D，F ，J ， L，N ：保留
10.速度
- DS ：用于菊花链样本
- 60 ： 600Mbps的（ 300MHz的）
- 70 ： 711Mbps （ 356MHz ）
- 80 ： 800Mbps的（ 400MHz的）
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KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
概观
Rambus公司的RDRAM直接是一种通用的高
适合于在广泛的使用性能存储装置
的应用，包括计算机存储器，图形范围
视频和任何其他应用程序，其中高带宽和
低等待时间是必需的。
该一百四十四分之一百二十八兆位直接Rambus公司的DRAM （ RDRAM
）是
超高速CMOS DRAM的组织为8M
字由16或18位。采用RAMBUS信号电平的
（ RSL ）技术允许600MHz至800MHz的传输
而使用传统的系统和电路板设计速度
技术。直接RDRAM的设备能够
每两个字节1.25 ns的持续数据传输（每10ns的
16个字节）。
对了Direct RDRAM的结构允许的最高
持续的带宽为多，同时随机
寻址的存储器事务。单独的控制和
数据总线具有独立的行和列控产量
95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32
银行支持多达四个同时交易。
体系化的特点为移动，图形和大
存储系统包括电源管理，字节屏蔽，
和X18组织。在×18的2位数据组织
灰是通用的，可用于额外的存储和
带宽或进行纠错。
直接RDRAM
SEC韩国
KM4xxRD8AC
SEC韩国
KM4xxRD8AD
M
一。普通包装
B 。镜像包
图1 ：直接RDRAM CSP封装
该一百四十四分之一百二十八兆位了Direct RDRAM提供的CSP
横向封装，适合台式机和低端
简介附加卡和移动应用。
关键时序参数/部件号
速度
组织
箱子
256Kx16x32s
a
-RG60
-RK70
-RK80
256Kx18x32s
-RG60
-RK70
-RK80
I / O
频率。
兆赫
600
711
800
600
711
800
t
RAC
（行
ACCESS
时间） NS
53.3
45
45
53.3
45
45
产品型号
特点
每个DRAM器件的最高持续带宽
KM416RD8AC(D
b
)-R
c
G60
KM416RD8AC(D)-RK70
KM416RD8AC(D)-RK80
KM418RD8AC(D)-RG60
KM418RD8AC(D)-RK70
KM418RD8AC(D)-RK80
- 1.6GB / s的持续数据传输率
- 独立的控制与数据总线的最大化
效率
- 独立的行和列控制总线的
简单的调度和最高性能
- 32银行：四笔交易可以发生simul-
taneously全带宽的数据传输速率
低延迟特性
答。
“32s"designation
表示此RDRAM芯由32
银行的使用"split"银行架构。
b.The
“C“
指示符指示正常包和
“D“
指示
镜像包。
c.The
“R“
标志表示该RDRAM核心采用普通电源
自刷新。
- 写缓存以减少读取延迟
- 对控制器的灵活性3预充电机制
- 交叉交易
先进的电源管理：
- 直接RDRAM从2.5伏电源供电
- 多种低功耗状态可在电源的灵活性
消费随时间转变到激活状态
- 掉电自刷新
组织： 1K字节页和32的银行中，x 16/18
- X18组织允许ECC配置或
增加了存储/带宽
- x16组织的低成本应用
采用RAMBUS信号级（ RSL）的高达800MHz
手术
第1页
牧师1.01 1999年10月
KM416RD8AC(D)/KM418RD8AC(D)
引脚排列及定义
普通包装
下表显示了正常的RDRAM封装的引脚分配。
表1：一。中心键合设备
（顶视图普通包装）
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5
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ROW
COL
GND
VDD
VDD
GND
SCK
Vcmos
DQA8
*
DQA6
GND
DQA3
DQA1
VDD
DQA0
VREF
GND
CTMN
RQ7
GND
CTM
RQ1
VDD
RQ4
DQB2
GND
RQ0
DQB6
GND
DQB3
SIO0
Vcmos
DQB8
*
DQA7
GND
CMD
DQA4
VDD
DQA5
CFM
GND
DQA2
CFMN
GNDA
VDDA
RQ5
VDD
RQ6
RQ3
GND
RQ2
DQB0
VDD
DQB1
DQB4
VDD
DQB5
DQB7
GND
SIO1
GND
VDD
VDD
GND
直接RDRAM
b.
顶部标记
例如正常的包
SEC韩国
KM4xxRD8AC
对于普通封装，引脚1 （第1行， COL A）是
位于上侧的A1位置以及
在A1位置被标记由标记
“ “
.
顶视图
A
B
C
D
E
F
G
H
J
镜像包
该表显示了镜像RDRAM封装的引脚分配。
表2 ： a.Center保税设备
（顶视图镜像包）
12
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ROW
COL
GND
VDD
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GND
CMD
GND
DQA7
DQA5
VDD
DQA4
DQA2
GND
CFM
VDDA
GNDA
CFMN
RQ6
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RQ5
RQ2
GND
RQ3
DQB1
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DQB0
DQB5
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DQB4
SIO1
GND
DQB7
DQA8
*
Vcmos
SCK
DQA3
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DQA6
DQA0
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DQA1
CTMN
GND
VREF
CTM
GND
RQ7
RQ4
VDD
RQ1
RQ0
GND
DQB2
DQB3
GND
DQB6
DQB8
*
Vcmos
SIO0
GND
VDD
VDD
GND
芯片
* DQA8 / DQB8只是用于
144MB RDRAM 。这两个引脚
NC （无连接）的128Mb的RDRAM 。
B 。热门标记的例子
镜像包
SEC韩国
KM4xxRD8AD
M
A
B
C
D
E
F
G
H
J
对于镜像封装，引脚1 （第1行， COL A）
位于A 1现在的位置上的顶侧和
在A1位置的标志是字母
“
M
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QQ：2881677436 复制
