KM416RD8AS
订购信息
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目标
直接RDRAM
KM 4 XX XX XX X X - X X XX
三星内存
设备
组织
产品
密度
速度
t
RAC
（行存取时间）
电力&刷新
套餐类型
调整
1.三星显存
2.设备
- 4 ： DRAM
7.包装类型
- C ：U - BGA （ CSP转发）
- D ：U - BGA （ CSP -反向）
- W： WL - CSP
- S： U- BGA对于消费套餐
3.组织
- 16 ： X16位
- 18 ： X18位
8.电源&刷新
- 空白：正常功耗自我Refesh （ 32米/ 8K ， 3.9us ）
-L
：低功耗自Refesh （ 32米/ 8K ， 3.9us ）
-R
：普通功率自Refesh （ 32米/ 16K ， 1.9us ）
-S
：低功耗自Refesh （ 32米/ 16K ， 1.9us ）
4.产品
- RD ：直接Rambus DRAM
5.密度
- 2 : 2M
- 4 : 4M
- 8 : 8M
- 16 : 16M
9. t
RAC
（行存取时间）
- 空白：对于菊花链样本
-M
：为40ns
-K
：为45nS
-G
： 53.3ns
- B D，F ，J ， L，N ：保留
6.修订
- 空白：第一将军
-A
：第二届创
10.速度
- DS ：用于菊花链样本
- 80 ： 800Mbps的（ 400MHz的）
- 70 ： 711Mbps （ 356MHz ）
- 60 ： 600Mbps的（ 300MHz的）
0.9修订版1999年7月
KM416RD8AS
概观
Rambus公司的RDRAM直接是一种通用的高
适合于在广泛的使用性能存储装置
的应用，包括计算机存储器，图形范围
视频和任何其他应用程序，其中高带宽和
低等待时间是必需的。
在128Mbit的直接Rambus公司的DRAM （ RDRAM
） AR
超高速CMOS DRAM的组织为8M
字由16位。采用RAMBUS信号水平（ RSL ）
技术允许同时使用800MHz的传输速率
传统的系统和电路板设计技术。直接
RDRAM器件能够以持续的数据传输
每两个字节1.25纳秒（每16个字节为10ns ） 。
对了Direct RDRAM的结构允许的最高
持续的带宽为多，同时随机
寻址的存储器事务。单独的控制和
数据总线具有独立的行和列控产量
95％以上的公交车的效率。直接RDRAM的32
银行支持多达四个同时交易。
体系化的特点为移动，图形和大
内存系统包括电源管理，字节屏蔽。
目标
直接RDRAM
KM4xx RD8AC
SEC韩国
SEC韩国
KM416RD8AS-RK80
图1 ：直接RDRAM消费者CSP封装
关键时序参数/部件号
速度
组织
分级
256Kx16x32s
a
-RM80
-SM80
I / O
频率。
兆赫
800
800
t
RAC
（行
ACCESS
时间） NS
40
40
产品型号
特点
每个DRAM器件的最高持续带宽
KM416RD8AS-R
b
M80
KM416RD8AS-S
c
M80
- 1.6GB / s的持续数据传输率
- 独立的控制与数据总线的最大化
效率
- 独立的行和列控制总线的
简单的调度和最高性能
- 32银行：四笔交易可以发生simul-
taneously全带宽的数据传输速率
低延迟特性
答。
“32s"designation
表示此RDRAM芯由32
银行的使用
"split"
银行建筑。
b.The
“ R"designation
表示该RDRAM核心采用普通电源
自刷新。
c.The
“ S"designation
表示该RDRAM核心采用低功耗自我
刷新。
- 写缓存以减少读取延迟
- 对控制器的灵活性3预充电机制
- 交叉交易
先进的电源管理：
- 多种低功耗状态可在加电的灵活性
消费随时间转变到激活状态
- 掉电自刷新
组织： 1K字节页和32银行， ×16
采用RAMBUS信号级（ RSL）的高达800MHz
手术
在128Mbit的了Direct RDRAM提供的CSP hori-
包宗塔尔适用于台式机，以及低调
附加卡和移动应用。
了Direct RDRAM从2.5伏电源供电。
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0.9修订版1999年7月
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