【KM4132G271A128K X 32位×2组同步图形RAM特点CMOS SGRAM概述该KM41】,IC型号KM4132G271A,KM4132G271A PDF资料,KM4132G271A经销商,ic,电子元器件-51电子网

KM4132G271A

128K X 32位×2组同步图形RAM

特点

CMOS SGRAM

概述

该KM4132G271A为8,388,608比特同步高速数据

率动态RAM组织为2× 131,072字32位，

制造与三星的高性能CMOS技

术。同步设计允许与精确的周期控制

使用系统时钟。 I / O事务处理可在每

时钟周期。工作频率范围，可编程

突发长度和可编程延迟允许相同

装置可用于各种高带宽，高perfor-的有用

曼斯存储器系统的应用程序。

写每比特和8列阻止写入性能提高

图形系统。

JEDEC标准的3.3V电源

LVTTL与复用地址兼容

双组/脉冲RAS

MRS周期与解决关键程序

- 。 CAS延迟（ 2,3）

- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）

- 。突发类型（顺序&交错）

所有的输入进行采样的正边沿

系统时钟

突发读取单位写操作

DQM 0-3字节屏蔽

自动&自我刷新

16ms的刷新周期（ 1K循环）

100引脚QFP

订购信息

产品型号

KM4132G271A-8

KM4132G271A-10

KM4132G271A-12

周期

时间

8ns

10ns

12ns

时钟

f

125MHz

100MHz

83MHz

ACCESS

time@CL=3

7.0ns

9.0ns

图形功能

SMRS周期。

- 。负载屏蔽寄存器

- 。负载套色

写每比特（老蒙）

块写（ 8列）

功能框图

DQMi

块

写

控制

逻辑

CLK

CKE

CS

COLUMN

面膜

DQMi

DQI

(i=0~31)

面膜

写

面膜

注册

颜色

注册

输入缓冲器

刷新

计数器

控制

逻辑

MUX

注册时间

SENSE

扩音器

RAS

CAS

WE

DSF

DQMi

128Kx32

CELL

ARRAY

128Kx32

CELL

ARRAY

排Decorder

银行的选择

串行

计数器

列地址

卜FF器

行地址

卜FF器

地址寄存器

时钟地址（A

0

~A

9

)

Rev.0 （ 1997年8月）

输出缓冲器

潜伏期&

突发长度

程序设计

注册

COLUMN

decorder

反向型

正激式

KM4132G271A

引脚配置

（ TOP VIEW ）

DQ2

V

SSQ

DQ1

DQ0

V

DD

N.C

V

SS

DQ31

DQ30

V

SSQ

DQ29

81

82

83

84

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

DQ29

V

SSQ

DQ30

DQ31

V

SS

N.C

V

DD

DQ0

DQ1

V

SSQ

DQ2

81

82

83

84

85

86

87

88

89

90

91

92

93

94

95

96

97

98

99

100

100引脚QFP

反向型

20 x 14

§±

0.65

§

引脚间距

100引脚QFP

正激式

20 x 14

§±

0.65

§

引脚间距

DQ28

VDDQ

DQ27

DQ26

V

SSQ

DQ25

DQ24

V

DDQ

DQ15

DQ14

V

SSQ

DQ13

DQ12

V

DDQ

V

SS

V

DD

DQ11

DQ10

V

SSQ

DQ9

DQ8

V

DDQ

N.C

DQM3

DQM1

CLK

CKE

DSF

N.C

A

8

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

DQ3

V

DDQ

DQ4

DQ5

V

SSQ

DQ6

DQ7

V

DDQ

DQ16

DQ17

V

SSQ

DQ18

DQ19

V

DDQ

V

DD

V

SS

DQ20

DQ21

V

SSQ

DQ22

DQ23

V

DDQ

DQM0

DQM2

WE

CAS

RAS

CS

BA （A

9

)

N.C

DQ3

V

DDQ

DQ4

DQ5

V

SSQ

DQ6

DQ7

V

DDQ

DQ16

DQ17

V

SSQ

DQ18

DQ19

V

DDQ

V

DD

V

SS

DQ20

DQ21

V

SSQ

DQ22

DQ23

V

DDQ

DQM0

DQM2

WE

CAS

RAS

CS

BA （A

9

)

N.C

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

24

25

26

27

28

29

30

80

79

78

77

76

75

74

73

72

71

70

69

68

67

66

65

64

63

62

61

60

59

58

57

56

55

54

53

52

51

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

DQ28

VDDQ

DQ27

DQ26

V

SSQ

DQ25

DQ24

V

DDQ

DQ15

DQ14

V

SSQ

DQ13

DQ12

V

DDQ

V

SS

V

DD

DQ11

DQ10

V

SSQ

DQ9

DQ8

V

DDQ

N.C

DQM3

DQM1

CLK

CKE

DSF

N.C

A

8

50

49

48

47

46

45

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

A

7

A

6

A

5

A

4

V

SS

N.C

V

DD

A

3

A

2

A

1

A

0

CMOS SGRAM

A

0

A

1

A

2

A

3

V

DD

N.C

V

SS

A

4

A

5

A

6

A

7

Rev.0 （ 1997年8月）

KM4132G271A

引脚配置说明

针

CLK

CS

名字

系统时钟

芯片选择

输入功能

活跃在正边沿采样所有输入。

CMOS SGRAM

禁用或启用的设备操作，除了用屏蔽或使所有输入

CLK ， CKE和DQMi

面罩系统时钟从下一个时钟周期冻结操作。

CKE应该启用至少一个时钟+吨

SS

之前的新命令。

禁止输入缓冲器的电源关闭待机。

行/列地址被复用在相同的针。

行地址： RA

0

RA

8

，列地址： CA

0

CA

7

选择bank中的行地址锁存器的时间被激活。

在列地址锁存器时选择的读/写的银行。

锁存器与RAS低CLK的正边沿行地址。

让行存取&预充电。

闩锁与中科院低CLK的正边沿列地址。

启用列的访问。

允许写操作和行预充电。

使得数据输出高阻，T

SHZ

后的时钟和掩模的输出。

块中的数据输入时， DQM活跃。（字节掩码）

数据输入/输出复用在相同的针。

使每比特，块写入和特殊模式寄存器组写。

CKE

时钟

启用

A

0

~ A

8

A

9

（ BA ）

RAS

CAS

WE

DQMi

DQI

DSF

V

DD

/V

SS

V

DDQ

/V

SSQ

地址

银行选择地址

行地址选通

列地址选通

写使能

数据输入/输出面膜

数据输入/输出

定义特殊功能

电源/接地

数据输出电源/接地

Rev.0 （ 1997年8月）

KM4132G271A

绝对最大额定值

（电压参考V

SS

)

参数

任何引脚相对于VSS的电压

在V电压

DD

供应相对于VSS

储存温度

功耗

短路电流

符号

V

IN

, V

OUT

V

DD

, V

DDQ

T

英镑

P

D

I

OS

价值

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

1

50

CMOS SGRAM

单位

V

W

mA

注意：

如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。

功能操作应仅限于推荐工作条件。

暴露于超过推荐的电压较高的时间过长可能会影响器件的可靠性。

直流工作条件

推荐工作条件（电压参考V

SS

= 0V)

参数

电源电压

输入高电压

输入低电压

输出高电压

输出低电压

输入漏电流

输出漏电流

输出负载条件

符号

V

DD

, V

DDQ

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

IL

I

OL

民

3.0

2.0

-0.3

2.4

-

-5

典型值

3.3

3.0

0

-

最大

3.6

V

DD

+0.3

0.8

-

0.4

5

见图1

单位

V

注1

I

OH

= -2mA

I

OL

= 2毫安

注2

注3

记

§

注意：

1. V

IL

（分钟） = -1.5V AC（脉冲宽度

5ns).

2.任何输入0V

V

IN

V

DD

+ 0.3V ，所有其他引脚都没有被测= 0V 。

3. Dout为禁用， 0V

V

OUT

V

DD.

电容

(V

DD

/V

DDQ

= 3.3V ，T

A

= 25

， F = 1MHz的）

符号

C

IN1

C

IN2

C

OUT

民

-

最大

4

5

单位

pF

参数

输入电容（A

0

~ A

9

)

输入电容

（ CLK ， CKE ， CS ， RAS ， CAS，WE ， DSF & DQM ）

数据输入/输出电容（DQ

0

？ DQ

31

)

去耦电容线路指南

推荐的去耦电容加到电源线板。

参数

V之间的退耦电容

DD

和V

SS

V之间的退耦电容

DDQ

和V

SSQ

符号

C

DC1

C

DC2

价值

0.1 + 0.01

单位

uF

注意：

1. V

DD

和V

DDQ

销彼此分开。

所有V

DD

引脚连接在芯片上。所有V

DDQ

引脚连接在芯片上。

2. V

SS

和V

SSQ

销彼此分开

所有V

SS

引脚连接在芯片上。所有V

SSQ

引脚连接在芯片上。

Rev.0 （ 1997年8月）

KM4132G271A

DC特性

（推荐的工作条件，除非另有说明，T

A

= 0至70

V

IH（分钟）

/V

白细胞介素（最大）

=2.0V/0.8V)

参数

工作电流

（一银行活动）

预充电待机电流

租在掉电模式

符号

测试条件

突发长度= 1

t

RC

t

RC

（分钟），T

CC

t

CC

（分钟）

I

OL

= 0毫安

CKE

V

IL

（最大值），叔

CC

= 15ns的

CKE

V

IL

（最大）时，CLK

V

IL

（最大值），叔

CC

=

CKE

V

IH

（分钟）， CS

V

IH

（分钟），T

CC

= 15ns的

输入信号时为30ns一次改变

CKE

V

IH

（分钟）， CLK

V

IL

（最大值），叔

CC

=

输入信号是稳定的

CKE

V

IL

（最大值），叔

CC

= 15ns的

CKE

V

IL

（最大）时，CLK

V

IL

（最大值），叔

CC

=

CKE

V

IH

（分钟）， CS

V

IH

（分钟），T

CC

= 15ns的

输入信号时为30ns一次改变

CKE

V

IH

（分钟）， CLK

V

IL

（最大值），叔

CC

=

输入信号是稳定的

I

OL

= 0 mA时，突发页

所有银行激活，T

CCD

= t

CCD

（分钟）

t

RC

t

RC

（分钟）

CKE

0.2V

t

CC

t

CC

（分钟），我

OL

= 0毫安，T

BWC

（分钟）

3

2

3

2

自刷新电流

工作电流

（一银行块写）

I

CC6

I

CC7

CAS

潜伏期

3

2

CMOS SGRAM

速度

-8

180

160

2

45

20

4

3.5

55

35

200

180

140

130

1

170

-10

160

140

2

45

20

4

3.5

55

35

180

160

120

110

1

150

-12

140

120

2

45

单位

记

I

CC1

I

CC2

P

I

CC2

PS

I

CC2

N

mA

1

mA

预充电待机电流

在非掉电模式

I

CC2

NS

主动待机电流

在掉电模式

I

CC3

P

I

CC3

PS

I

CC3

N

I

CC3

NS

mA

20

4

3.5

55

mA

35

160

140

100

90

1

130

mA

4

mA

3

mA

主动待机电流

在非掉电模式

（一银行活动）

工作电流

（突发模式）

刷新当前

I

CC4

mA

1, 2

I

CC5

注意：

1.测量与产出开放。

2.假设最小列地址的更新周期T

CCD

（最小值）。

3.刷新周期是16毫秒。

4.假设最小列地址的更新周期T

BWC

（最小值）。

Rev.0 （ 1997年8月）