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KM4100/KM4101
低成本， + 2.7V和+ 5V ，为260MHz ，轨到轨放大器
特点
s
s
s
概述
在KM4100 （单）和KM4101 （单用
禁用）成本低，电压反馈放大器。
这些放大器设计用于在+ 2.7V运作，
+ 5V或± 2.5V电源。输入电压范围
扩展300mV的负电源轨和1.2V以下
低于正电源轨。
该KM4100提供卓越的动态性能
用为260MHz小信号带宽和150V / μs的
摆率。低功率的结合，高
输出电流驱动和轨至轨性能
使KM4100非常适合用于电池供电的
通信/计算系统。
低成本和高性能的组合
使KM4100适合大批量应用
在消费者和工业应用，例如
无线手机，扫描仪和彩色复印机。
输出摆幅
2.7
s
s
s
s
s
s
s
s
为260MHz的带宽
充分说明在+ 2.7V和+ 5V电源
输出电压范围：
0.036V至4.953V ; VS = 5 ; RL = 2kΩ的
输入电压范围： -0.3V至+ 3.8V ; VS = 5
150V / μs压摆率
4.2毫安电源电流
掉电是= 127μA （ KM4101 ）
± 60毫安线性输出电流
± 90毫安输出短路电流
直接替代AD8051和LM7131单
电源应用
小型封装选项（ SOT -23 ， SOIC ）
应用
s
s
s
s
s
s
s
s
s
KM4100 / KM4101套装
SOT23-5 （ KM4100 ）
OUT
-V
s
+ IN
1
2
+
输出电压（ 0.5V / DIV ）
A / D驱动器
主动滤池
CCD成像系统
CD / DVD-ROM
同轴电缆驱动器
高容性负载驱动器
便携式/电池供电的应用
双绞线驱动器
视频驱动程序
SOT23-6 （ KM4101 ）
+V
s
OUT
-V
s
1
2
+
V
s
= +2.7V
R
L
= 2k
G = -1
5
6
5
4
+V
s
DIS
-IN
0
时间（ 0.5μS / DIV ）
-
-
3
4
-IN
+ IN
3
SOIC （ KM4100 ）
NC
-IN
+ IN
-V
s
1
2
3
4
-
+
SOIC （ KM4101 ）
NC
+V
s
OUT
NC
NC
-IN
+ IN
-V
s
1
2
3
4
-
+
8
7
6
5
8
7
6
5
DIS
+V
s
OUT
NC
REV 。 2001年二月1A
数据表
KM4100/KM4101
KM4100 / KM4101电气特性
参数
外壳温度
频域响应
-3dB带宽
全功率带宽
增益带宽积
时间域响应
上升和下降时间
建立时间至0.1％
冲
压摆率
失真和噪声响应
二阶谐波失真
3次谐波失真
THD
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
平均漂移
输入失调电流
电源抑制比
开环增益
静态电流
静态电流（已禁用）
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
禁用特性（ KM4101 ）
启动时间
关闭时间
关断隔离
输出特性
输出电压摆幅
线性输出电流
短路输出电流
电源工作范围
G = 1 ， VO = 0.05V
pp
G = 2 ， VO = 0.2V
pp
G = 2 ， VO = 2V
pp
0.2V步骤
1V步骤
0.2V一步，
2.7V步，G = -1
1V
pp
， 5MHz的
1V
pp
， 5MHz的
1V
pp
， 5MHz的
>1MHz
>1MHz
条件
(V
s
= + 2.7V ，G = 2 ，R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2;除非另有说明）
典型值
+25°C
215
85
36
86
3.7
40
9
140
86
85
76
16
1.3
-1.6
10
3
7
0
57
75
3.9
58
4.3
1.5
-0.3 1.5
87
150
25
75
0.023至2.66
0.025到2.653
0.1 2.6
0.065至2.55
0.3到2.325
±60
±55
±90
2.7
2.5 5.5
±8
±8
±1
52
65
5
100
闵&最大
+25°C
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
mV
μV/°C
A
NA / ℃，
A
dB
dB
mA
A
M
pF
V
dB
ns
ns
dB
V
V
V
mA
mA
mA
V
1
1
1
1
单位
笔记
1
2
2
2
2
2
2
2
DC
DC ，V
cm
= 0V至V
s
- 1.5
72
2
为5MHz ，R
L
= 100
R
L
= 10kΩ至V
s
/2
R
L
=为2kΩ到V
s
/2
R
L
= 150Ω至V
s
/2
-40 ° C至+ 85°C
2
2
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数来确定。
注意事项：
1） Rf值= 1kΩ的，使用用于获得最佳性能。 （对于G = 1 ， Rf值= 0 ）
2 ） 100 ％ ，在+ 25 ℃下进行测试。
绝对最大额定值
电源电压
0至+ 6V
最高结温
+175°C
存储温度范围
-65 ° C至+ 150°C
焊接温度（ 10秒）
+300°C
工作温度范围（推荐） -40 ° C至+ 85°C
输入电压范围
+V
s
+0.5V; -V
s
-0.5V
内部功耗
请参阅电源降额曲线
封装热阻
包
5引脚SOT23
6引脚SOT23
8引脚SOIC
θ
JA
256°C/W
230°C/W
152°C/W
2
REV 。 2001年二月1A
KM4100/KM4101
数据表
KM4100 / KM4101电气特性
参数
外壳温度
频域响应
-3dB带宽
全功率带宽
增益带宽积
时间域响应
上升和下降时间
建立时间至0.1％
冲
压摆率
失真和噪声响应
二阶谐波失真
3次谐波失真
THD
输入电压噪声
输入电流噪声
直流性能
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
平均漂移
输入失调电流
电源抑制比
开环增益
静态电流
静态电流（已禁用）
输入特性
输入阻抗
输入电容
输入共模电压范围
共模抑制比
禁用特性（ KM4101 ）
启动时间
关闭时间
关断隔离
输出特性
输出电压摆幅
线性输出电流
短路输出电流
电源工作范围
G = 1 ， VO = 0.05V
pp
G = 2 ， VO = 0.2V
pp
G = 2 ， VO = 2V
pp
0.2V步骤
2V步骤
0.2V一步，
5V步，G = -1
2V
pp
， 5MHz的
2V
pp
， 5MHz的
2V
pp
， 5MHz的
>1MHz
>1MHz
条件
(V
s
= + 5V ，G = 2 ，R
L
=为2kΩ到V
s
/ 2;除非另有说明）
典型值
+25°C
260
90
40
90
3.6
40
7
150
70
78
68
16
1.3
1.4
10
3
7
0
57
78
4.2
127
4.3
1.5
-0.3 3.8
87
150
25
75
0.027至4.97
0.036到4.953
0.1 4.9
0.12 4.8
0.3到4.625
±60
±55
±90
5
2.5 5.5
±8
±8
±0.8
52
68
5.2
170
闵&最大
+25°C
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
%
V / μs的
dBc的
dBc的
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
mV
μV/°C
A
NA / ℃，
A
dB
dB
mA
A
M
pF
V
dB
ns
ns
dB
V
V
V
mA
mA
mA
V
1
1
1
1
单位
笔记
1
2
2
2
2
2
2
2
DC
DC ，V
cm
= 0V至V
s
- 1.5
72
2
为5MHz ，R
L
= 100
R
L
= 10kΩ至V
s
/2
R
L
=为2kΩ到V
s
/2
R
L
= 150Ω至V
s
/2
-40 ° C至+ 85°C
2
2
最小/最大额定值是根据产品特性和仿真。如指出的各个参数进行测试。即将离任的质量水平
从测试的参数来确定。
注意事项：
1） Rf值= 1kΩ的，使用用于获得最佳性能。 （对于G = 1 ， Rf值= 0 ）
2 ） 100 ％ ，在+ 25 ℃下进行测试。
REV 。 2001年二月1A
3
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