KM23V8105D(G)
8M位（ 1Mx8 / 512Kx16 ） CMOS掩膜ROM
特点
切换机构
1,048,576 ×8 （字节模式）
524288 ×16 （字模式）
随机存取时间/页访问时间
3.3V工作电压： 100 / 30ns的（最大）
3.0V操作： 120 / 50ns的（最大）
4字/ 8字节的页面访问
电源电压：单+ 3.0V / + 3.3V单
消耗电流
操作： 40毫安（最大）
待机： 30μA （最大值）。
全静态操作
所有输入和输出TTL兼容
三态输出
包
- 。 KM23V8105D ： 42 - DIP -600
- 。 KM23V8105DG ： 44 - SOP- 600
CMOS掩膜ROM
概述
该KM23V8105D （G ）是完全静态的掩模可编程ROM
制作采用硅栅CMOS工艺技术，并且是
组织既可以作为1,048,576 ×8位（字节模式）或524,288
×16位（字模式），根据BHE的电压等级。 （见
模式选择表）
该器件包括PAGE阅读模式功能，页面读取
模式允许数据的4个字（或8个字节），以在快速读
同一个页面，CE和A
2
~ A
18
不应该改变。
该器件采用3.0V或3.3V电源，并且所有
输入和输出为TTL兼容。
因为它的异步操作的，它不需要外部
时钟确保操作极为方便。
它适合于在微处理器的程序存储器的使用，并
数据存储器，字符发生器。
该KM23V8105D封装在一个42 -DIP和
KM23V8105DG在44 -SOP 。
功能框图
A
18
.
.
.
.
.
.
.
.
A
2
A
0~
A
1
A
-1
X
缓冲器
和
解码器
记忆细胞
矩阵
(524,288x16/
1,048,576x8)
引脚配置
A
18
A
17
A
7
1
2
3
4
5
6
7
8
9
42 N.C
41 A
8
40 A
9
39 A
10
38 A
11
37 A
12
36 A
13
35 A
14
34 A
15
33 A
16
32 BHE
31 V
SS
30 Q
15
/A
-1
29 Q
7
28 Q
14
27 Q
6
26 Q
13
25 Q
5
24 Q
12
23 Q
4
22 V
CC
N.C 1
A
18
A
17
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
2
3
4
5
6
7
8
9
44 N.C
43 N.C
42 A
8
41 A
9
40 A
10
39 A
11
38 A
12
37 A
13
36 A
14
35 A
15
34 A
16
33 BHE
32 V
SS
31 Q
15
/A
-1
30 Q
7
29 Q
14
28 Q
6
27 Q
13
26 Q
5
25 Q
12
24 Q
4
23 V
CC
Y
缓冲器
和
解码器
感测放大器。
数据输出
缓冲器
. . .
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
10
CE 11
V
SS
12
A
1
10
A
0
11
CE 12
V
SS
13
OE 14
Q
0
15
Q
8
16
Q
1
17
Q
9
18
Q
2
19
Q
10
20
Q
3
21
Q
11
22
CE
OE
BHE
引脚名称
A
0
- A
1
A
2
- A
18
Q
0
- Q
14
Q
15
/A
-1
BHE
CE
OE
V
CC
V
SS
N.C
引脚功能
网页地址输入
地址输入
数据输出
输出15 （字模式） /
LSB地址（字节模式）
字/字节选择
芯片使能
OUTPUT ENABLE
动力
地
无连接
控制
逻辑
Q
0
/Q
8
Q
7
/Q
15
DIP
SOP
OE 13
Q
0
14
Q
8
15
Q
1
16
Q
9
17
Q
2
18
Q
10
19
Q
3
20
Q
11
21
KM23V8105D
KM23V8105DG
KM23V8105D(G)
绝对最大额定值
项
任何引脚相对于V电压
SS
在偏置温度
储存温度
符号
V
IN
T
BIAS
T
英镑
等级
CMOS掩膜ROM
单位
V
°C
°C
-0.3到+4.5
-10至+85
-55到+150
记
：如果"ABSOLUTE最大RATINGS"超出可能会造成永久性损坏设备。功能操作应仅限于日
e
在此数据表的业务部门的详细情况。暴露在绝对最大额定值条件下extendd期可能
e
影响器件的可靠性。
推荐工作条件
（电压参考V
SS
, T
A
= 0 70℃ ）
项
电源电压
电源电压
符号
V
CC
V
SS
民
2.7/3.0
0
典型值
3.0/3.3
0
最大
3.3/3.6
0
单位
V
V
DC特性
参数
工作电流
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
输入高电压，所有输入
输入低电压，所有输入
输出高电压电平
输出低电压电平
符号
I
CC
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
测试条件
CE = OE = V
IL
，所有输出开
CE = V
IH
，所有输出开
CE = V
CC
，所有输出开
V
IN
= 0至V
CC
V
OUT
= 0至V
CC
民
-
-
-
-
-
2.0
-0.3
2.4
-
最大
40
500
30
10
10
V
CC
+0.3
0.6
-
0.4
单位
mA
A
A
A
A
V
V
V
V
记
：最小直流电压（V
IL
）是-0.3V的输入引脚。在转换过程中，这个水平可能下冲至-2.0V的时期<20ns 。
在输入引脚（ V）最大直流电压为V
CC
+ 0.3V其中，在转换过程中，可能会过冲至V + 2.0V的时期<20ns 。
IH
CC
模式选择
CE
H
L
L
OE
X
H
L
BHE
X
X
H
L
Q
15
/A
-1
X
X
产量
输入
模式
待机
操作
操作
操作
数据
高-Z
高-Z
Q
0
~Q
15
： Dout的
Q
0
~Q
7
： Dout的
Q
8
~Q
14
：高阻
动力
待机
活跃
活跃
活跃
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
项
输出电容
输入电容
符号
C
OUT
C
IN
测试条件
V
OUT
=0V
V
IN
=0V
民
-
-
最大
12
12
单位
pF
pF
记
：电容周期性采样，而不是100 ％测试。
KM23V8105D(G)
CMOS掩膜ROM
AC特性
(T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C，V
CC
= 3.3V / 3.0V ±0.3V ，除非另有说明。 ）
测试条件
项
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序水平
输出负载
价值
0.45V至2.4V
10ns
1.5V
1 TTL门和C
L
=100pF
读周期
项
读周期时间
芯片使能存取时间
地址访问时间
页地址访问时间
输出启用访问时间
输出或芯片，以禁止
输出高阻
从地址变更输出保持
记
：页面地址被确定为如下。
字模式（ BHE = V
IH
) : A
0
, A
1
字节模式（ BHE = V
IL
) : A-
1
, A
0
, A
1
符号
t
RC
t
ACE
t
AA
t
PA
t
OE
t
DF
t
OH
Vcc=3.3V
±0.3V
民
100
100
100
30
30
20
0
最大
Vcc=3.0V
±0.3V
民
120
120
120
50
50
20
0
最大
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
KM23V8105D(G)
时序图
读
添加
A
0
~A
18
A
-1(*1)
t
ACE
CE
t
OE
OE
t
OH
D
OUT
D
0
~D
7
D
8
~D
15(*2)
有效数据
t
AA
CMOS掩膜ROM
ADD1
t
RC
ADD2
t
DF(*3)
有效数据
页面读取
CE
t
DF(*3)
OE
添加
A
2
~A
18
添加
A
0,
A
1
A
-1(*1)
t
AA
D
OUT
D
0~
D
7
D
8~
D
15(*2)
1 ST
t
PA
2日
3路
有效数据
有效数据
有效数据
有效数据
注意事项：
* 1 。字节模式而已。一
-1
是最低有效位地址（ BHE = V
IL
)
* 2 。字模式而已。 （ BHE = V
IH
)
*3. t
DF
被定义为在所述输出达到开路状态而没有被引用到V或V的时间
OL
的水平。
OH
QQ：2880707522 复制
