飞利浦半导体
初步speci fi cation
磁科幻场传感器
描述
该KM110B / 2是一个敏感的磁场传感器，
采用在薄膜的磁阻效应
坡莫合金。一个Ferroxdure FXD100磁铁安装在
传感器封装的背面提供了一个辅助字段
3.6千安/米，在传感器的x方向。
典型的应用为KM110B / 2的电流
测量，线性位置测量，旋转
速度检测磁极轮以及
磁场测量。该传感器可被操作
在DC至1 MHz之间的任意频率。
钉扎
针
1
2
3
4
符号
+V
O
GND
V
O
+V
CC
描述
输出电压
地
输出电压
电源电压
标记： KMZ10B PHDxx 。
x
KM110B/2
y
MLB874
1
2 3
4
Fig.1简化外形。
快速参考数据
符号
V
CC
T
桥
H
y
S
R
桥
V
OFFSET
参数
直流电源电压
桥的工作温度
磁性连接的场强
灵敏度
电桥电阻
失调电压
40
2.2
1.6
0.5
分钟。
5
3.6
2.1
典型值。
150
+2.2
2.6
+0.5
马克斯。
V
°C
千安/米
mV
V
----------------
-
kA
m
k
mV / V的
单位
电路图
MLB875
手册，全页宽
4
V
3
ΔVO
2
GND
1
+武
CC
图2的简化电路图。
1994年11月
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
磁科幻场传感器
债券的特点
1.磁铁（ Ferroxdure 100 ）开出的辅助领域
H
x
= 3.6千安/米（温度系数：
0.2
%/K).
上述110
°C
辅助磁场H
x
将<3.0千安/米;
稳定的传感器操作可通过威胁
干扰磁场。
2.
(
V
O
为H
y
=
1.6千安/米
)
–
(
V
O
为H
y
=
0
)
S
=
----------------------------------------------------------------------------------------------------------------- .
1.6
×
V
CC
KM110B/2
手册， halfpage
S
M
N
S
Hy
Hx
3.灵敏度的增加和减少线性同
供电电压，从而静态输出电压直接
正比于电源电压。
4.传感器电桥的反应而已。当感应高
速度旋转时，操作频率可以是
减少由于涡电流的影响。
4
3
2
1
MBD882
M =磁化强度的方向。
N，S =磁极。
磁化原理图3 。
手册， halfpage
8
MBD885
手册， halfpage
125
MBD892
VO
（毫伏/ V）的
4
P合计
（ mW）的
100
75
0
50
–4
25
–8
–2
–1
0
1
^ h Y（千安/米）
2
0
0
50
100
150
200
牛逼AMB （
o
C)
T
AMB
= 25
°C;
V
OFFSET
= 0.
图4的传感器的输出特性。
图5功率降额曲线。
1994年11月
4
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