SMD型
P通道40 -V （D -S ）的MOSFET
KI2319DS
晶体管
IC
SOT-23
单位：mm
特点
TrenchFET功率MOSFET
+0.1
2.4
-0.1
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
+0.1
1.3
-0.1
1
+0.1
0.95
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
2
0.55
0.4
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1.门
2.Emitter
2.源
0-0.1
3.排水
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
=150 ) * 1 T
A
=25
------------------------------------------------T
A
=70
漏电流脉冲* 2
连续源电流（二极管导通） * 1
功耗* 1
T
A
=25
-------------------------------------------------T
A
=70
Jumction温度
储存温度
* 1表面安装在FR4 Board.t
5秒。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
T
英镑
-1.0
1.25
0.8
150
-55到+150
-3.0
-2.4
-12
-0.62
0.75
0.48
5秒
稳定状态
-40
20
-2.3
-1.85
单位
V
V
A
A
A
W
* 2脉冲宽度有限的最高结温。
热电阻额定值大= 25
参数
最大结到环境* 1
最大结到环境* 2
最大结到脚（漏极）
稳定状态
稳定状态
5秒。
R
thJF
符号
R
thJA
典型
75
120
40
最大
100
166
50
/W
单位
* 1。表面安装在FR4板，T
* 2.表面安装在FR4板。
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1
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