SMD型
P通道30 -V （D -S ）的MOSFET
KI2307BDS
SOT-23
晶体管
IC
单位：mm
TrenchFET功率MOSFET
+0.1
2.4
-0.1
符合RoHS
+0.1
1.3
-0.1
1
2
0.95
+0.1
-0.1
+0.1
1.9
-0.1
0.55
0.4
特点
+0.1
2.9
-0.1
+0.1
0.4
-0.1
3
+0.05
0.1
-0.01
0.97
+0.1
0.38
-0.1
+0.1
-0.1
1.Base
1.门
2.Emitter
2.源
0-0.1
3.排水
3.collector
绝对最大额定值大= 25
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流（T
J
=150 ) * T
A
=25
------------------------------------------------T
A
=70
漏电流脉冲*
连续源电流（二极管导通） * 2
功耗*
T
A
=25
-------------------------------------------------T
A
=70
Jumction温度
储存温度
*表面安装在FR4板。
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
S
P
D
T
j
T
英镑
-1.25
1.25
0.8
150
-55到+150
-3.2
-2.6
-12
-0.75
0.75
0.48
5秒
稳定状态
-30
20
-2.5
-2.0
单位
V
V
A
A
A
W
热电阻额定值大= 25
参数
最大结到环境* 1
最大结到环境* 2
* 1。表面安装在FR4板，T
* 2.表面安装在FR4板。
稳定状态
5秒。
符号
R
thJA
典型
80
130
最大
100
166
单位
/W
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1
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