添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第208页 > KHB4D0N80F1
半导体
技术参数
概述
KHB4D0N80P1/F1/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB4D0N80P1
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
L
J
D
N
N
H
P
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和
开关模式电源。
MILLIMETERS
特点
V
DSS
= 800V ，我
D
=4A
漏源导通电阻
: R
DS （ ON）
=3.6
Qg(typ.)=25nC
@V
GS
= 10V
_
9.9 + 0.2
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
1.门
2.漏
3.源
P
Q
最大额定值（TC = 25
)
等级
TO-220AB
KHB4D0N80F1
特征
符号
KHB4D0N80F1单位
KHB4D0N80P1
KHB4D0N80F2
800
30
4.0
16
460
13
4.0
130
43
0.34
150
-55 150
4.0*
A
16*
mJ
mJ
Q
K
L
A
C
F
B
漏源电压
栅源电压
漏电流
@T
C
=25
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减额above25
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
1.04
T
j
T
英镑
V
V
O
E
暗淡
MILLIMETERS
M
R
D
N
N
H
V / ns的
W
W/
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
G
J
1.门
2.漏
3.源
TO- 220IS （1）
KHB4D0N80F2
A
C
最高结温
存储温度范围
热特性
S
热阻，结到外壳
热阻，结点到
环境
R
thJC
R
thJA
0.96
62.5
2.9
62.5
/W
/W
F
P
E
暗淡
MILLIMETERS
*：漏电流受最高结温。
K
L
L
R
引脚连接
D
M
D
D
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
G
Q
J
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 9. 10
版本号： 0
B
1/7
KHB4D0N80P1/F1/F2
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
栅极阈值电压
排水截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
V
th
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
g
FS
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
DS
=800V, V
GS
=0V,
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=2.0A
V
DS
= 50V ，我
D
=2.0A
(Note4)
800
-
2.0
-
-
-
-
-
0.95
-
-
-
3.0
3.8
-
-
4.0
10
100
3.6
-
S
V
V/
V
A
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
＆ LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 4.0A ，V
GS
=0V
I
S
= 4.0A ，V
GS
=0V,
DIS / DT = 100A / S
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
575
3.65
16
1.4
-
-
V
ns
C
-
-
4.0
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 400V ，R
G
=25
I
D
=4.0A
（注4 ， 5 ）
V
DS
= 640V ，我
D
=4.0A
V
GS
=10V
（注4 ， 5 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
4
13
29.5
59.5
98
86
824
68
9
31
-
-
69
129
ns
206
182
1071
88
12
pF
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 54mH ，我
S
= 4A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25
注3 ）I
S
4.0A ， di / dt的
200A/
, V
DD
300
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
，占空比
2%.
.
BV
DSS
，起始物为
j
=25 .
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2007. 9. 10
版本号： 0
2/7
KHB4D0N80P1/F1/F2
I
D
- V
DS
10
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
0
10
底部： 6.0 V
5.5V
I
D
- V
GS
1
1
10
V
DS
= 50V
250μs的脉冲测试
漏电流I
D
(A)
漏电流I
D
(A)
10
0
150
C
25
C
-55
C
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
7
V
GS
= 0V
I
DS
= 250A
R
DS （ ON）
- I
D
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
1.2
6
5
V
GS
= 10V
1.1
1.0
4
3
2
V
GS
= 20V
0.9
0.8
-100
0
-50
0
50
100
150
2
6
4
8
10
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
I
S
- V
SD
R
DS （ ON）
- T
j
反向漏电流I
S
(A)
10
1
V
GS
= 0V
250μs的脉冲测试
3.0
归一化导通电阻
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
V
GS
= 10V
I
D
= 2.0A
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.0
-100
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射TJ （ C）
2007. 9. 10
版本号： 0
3/7
KHB4D0N80P1/F1/F2
- V
DS
3000
西塞
2500
Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
V
GS
= 0V
频率= 1MHz的
12
10
8
6
4
2
0
0
I
D
= 4.0A
V
DS
= 160V
V
DS
= 400V
V
DS
= 640V
电容（pF）
2000
1500
科斯
1000
CRSS
500
0
10
-1
10
0
10
1
5
10
15
20
25
30
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
安全工作区
10
2
(KHB4D0N80P1)
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
安全工作区
(KHB4D0N80F1)
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
10
0
1ms
10ms
10
0
10ms
100ms
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
-2
DC
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
DC
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
I
D
- T
j
4
漏电流I
D
(A)
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
结温度T
j
( C)
2007. 9. 10
版本号： 0
4/7
KHB4D0N80P1/F1/F2
R
th
{KHB4D0N80P1}
瞬态热阻[C / W]
10
0
Duty=0.5
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.02
1
0.0
10
-2
10
-5
罪
P
GLE
ULS
e
- 占空比，D = T
1
/t
2
- R
thJC
=
T
J（下最大）
- T
c
P
D
10
0
10
1
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
R
th
{KHB4D0N80F1}
瞬态热阻[C / W]
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
0.05
10
-1
0.02
0.01
罪
GLE
P
DM
t
1
t
2
LSE
Pu
10
-2
10
-5
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
方波脉冲持续时间（秒）
2007. 9. 10
版本号： 0
5/7
查看更多KHB4D0N80F1PDF信息
推荐型号
KTR18-EZP-F-4
KSM-915TE5E
KHP160E157M762BT00
KSK30O
KBK15D
KVR400X72RC3A/512D
K4340H1EN1S
KMP47C453
KC74129B
KV1843KTR
KAQY213A
KGF1637
KHAU-11D18N-12
K4M56163PG-BC1L
K24C32WET-S
K4T1G044QE
K9F1208X0C
KA2295
KM9015
KA78L05AMTF
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KHB4D0N80F1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市易信优科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ：1281623813 复制

电话：0755-23914006/18318877587
联系人：陈佳隆
地址：深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
KHB4D0N80F1
KEC
24+
21000
TO-220F
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
KHB4D0N80F1
VBSEMI/台湾微碧
21+
12720
TO-220FP
全新原装正品/质量有保证
深圳勤思达科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779
联系人：吴
地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）
KHB4D0N80F1
KEC/正品
13+
25800
TO-220F
全新原装正品，大量现货库存，可以出样品，欢迎咨询洽谈
北京人上科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KHB4D0N80F1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8226
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
KHB4D0N80F1
VBSEMI/台湾微碧
21+
14460
TO-220FP
全新原装正品/质量有保证
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KHB4D0N80F1
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9350
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
深圳市华美锐科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2850388352 复制 点击这里给我发消息 QQ：2850388354 复制
电话：0755-83035139
联系人：陈小姐
地址：深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
KHB4D0N80F1
KEC
comments
582
TO220
原装正品！价格优势！
深圳市集创讯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885393495 复制

电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
KHB4D0N80F1
KEC
24+
15600
TO-220IS
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市百域芯科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004264855 复制

电话：075582788161
联系人：王小姐
地址：深圳市华强北世纪汇都会轩4507
KHB4D0N80F1
KEC
21+
100000
TO220F
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
KHB4D0N80F1
KEC
2443+
23000
TO-220F
一级代理专营，原装现货，价格优势
查询更多KHB4D0N80F1供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！