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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第11页 > KHB3D0N90P1
半导体
技术参数
概述
KHB3D0N90P1/F1/F2
N沟道MOS场
场效应晶体管
KHB3D0N90P1
A
O
C
F
E
G
B
Q
I
K
M
P
L
J
D
N
N
H
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
1
2
3
这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速
开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良
雪崩特性。它主要适用于电子镇流器和
开关模式电源。
MILLIMETERS
特点
V
DSS
= 900V ，我
D
= 3A
漏源导通电阻
: R
DS （ ON）
=4.5
QG （典型值） = 25NC
@V
GS
= 10V
_
9.9 + 0.2
15.95 MAX
1.3+0.1/-0.05
_
0.8 + 0.1
_
3.6 + 0.2
_
2.8 + 0.1
3.7
0.5+0.1/-0.05
1.5
_
13.08 + 0.3
1.46
_
1.4 + 0.1
_
1.27 + 0.1
_
2.54 + 0.2
_
4.5 + 0.2
_
2.4 + 0.2
_
9.2 + 0.2
1.门
2.漏
3.源
P
Q
最大额定值（TC = 25
)
等级
TO-220AB
KHB3D0N90F1
特征
符号
F
KHB3D0N90F1单位
KHB3D0N90P1
KHB3D0N90F2
900
30
3.0
12
450
13
4.0
130
43
0.34
150
-55 150
3.0*
A
12*
mJ
D
A
C
B
漏源电压
栅源电压
漏电流
@T
C
=25
脉冲（注1）
单脉冲雪崩能量
（注2 ）
重复性雪崩能量
（注1 ）
峰值二极管恢复的dv / dt
（注3）
耗电
耗散
Tc=25
减额above25
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
1.04
T
j
T
英镑
V
V
O
E
暗淡
MILLIMETERS
L
M
R
mJ
V / ns的
W
W/
N
N
H
Q
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
O
Q
R
_
10.16
+
0.2
_
15.87
+
0.2
_
2.54
+
0.2
_
0.8
+
0.1
_
3.18
+
0.1
_
3.3
+
0.1
_
12.57
+
0.2
_
0.5
+
0.1
13.0 MAX
_
3.23
+
0.1
1.47 MAX
1.47 MAX
_
2.54
+
0.2
_
6.68
+
0.2
_
4.7
+
0.2
_
2.76
+
0.2
K
G
J
1.门
2.漏
3.源
TO- 220IS （1）
最高结温
存储温度范围
热特性
热阻，结到外壳
热阻，结点到
环境
KHB3D0N90F2
A
C
R
thJC
R
thJA
0.96
62.5
2.9
62.5
/W
/W
S
E
F
P
暗淡
MILLIMETERS
*：漏电流受最高结温。
K
L
L
R
引脚连接
D
M
D
D
N
N
H
G
1
2
3
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
Q
R
S
_
10.0
+
0.3
_
15.0
+
0.3
_
2.70
+
0.3
0.76+0.09/-0.05
_
Φ3.2
+
0.2
_
3.0
+
0.3
_
12.0
+
0.3
0.5+0.1/-0.05
_
13.6
+
0.5
_
3.7
+
0.2
1.2+0.25/-0.1
1.5+0.25/-0.1
_
2.54
+
0.1
_
6.8
+
0.1
_
4.5
+
0.2
_
2.6
+
0.2
0.5 TYP
G
Q
J
1.门
2.漏
3.源
S
TO-220IS
2007. 9. 10
版本号： 0
B
1/7
KHB3D0N90P1/F1/F2
电气特性（ TC = 25
特征
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
STATIC
漏源击穿电压
击穿电压温度系数
栅极阈值电压
排水截止电流
栅极漏电流
漏源导通电阻
BV
DSS
BV
DSS
/ T
j
V
th
I
DSS
I
GSS
R
DS （ ON）
I
D
= 250 A，V
GS
=0V
I
D
= 250 A，参考25
V
DS
=V
GS
, I
D
=250 A
V
DS
=900V, V
GS
=0V,
V
GS
= 30V, V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=1.5A
900
-
2.0
-
-
-
-
1
-
-
-
4.0
-
-
4.0
10
100
4.5
V
V/
V
A
nA
动态
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管评级
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
S
V
GS
＆ LT ; V
th
I
SP
V
SD
t
rr
Q
rr
I
S
= 3.0A ，V
GS
=0V
I
S
= 3.0A ，V
DD
=450V,
DIS / DT = 100A / S
（注4 ）
-
-
-
-
-
-
510
2.2
12
1.6
-
-
V
ns
C
-
-
3.0
A
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
=25V, V
GS
= 0V ， F = 1.0MHz的
V
DD
= 450V ，R
G
=25
I
D
=3.0A
（注4 ， 5 ）
V
DS
= 720V ，我
D
=3.0A
V
GS
=10V
（注4 ， 5 ）
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
25
4
11.5
31
65
104
127
820
63
9
32
-
-
72
139
ns
218
264
1066
82
12
pF
nC
注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。
注2 ） L = 94mH ，我
S
= 3.0A ，V
DD
= 50V ，R
G
= 25 ，起始物为
j
=25 .
注3 ）I
S
3.0A ， di / dt的
200A/
, V
DD
BV
DSS
，起始物为
j
=25
2%.
.
注4 ）脉冲测试：脉冲宽度
300 ，占空比
注5 ）基本上是独立的工作温度。
2007. 9. 10
版本号： 0
2/7
KHB3D0N90P1/F1/F2
I
D
- V
DS
10
1
V
GS
TOP ： 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
下图： 5.5V
I
D
- V
GS
10
1
V
DS
= 50V
250μs的脉冲测试
漏电流I
D
(A)
10
0
漏电流I
D
(A)
10
0
150
C
25
C
-55
C
10
-1
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-1
2
4
6
8
10
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
BV
DSS
- TJ
归一化的击穿电压BV
DSS
4.2
V
GS
= 0V
I
DS
= 250
R
DS （ ON）
- I
D
ON - 电阻r
DS （ ON）
()
1.2
4.0
3.8
V
GS
= 10V
1.1
1.0
3.6
3.4
3.2
0
0.9
0.8
-100
1
2
3
-50
0
50
100
150
结温Tj （ C）
漏电流I
D
(A)
I
S
- V
SD
R
DS （ ON）
- T
j
反向漏电流I
S
(A)
10
1
V
GS
= 50V
250μs的脉冲测试
2.5
归一化导通电阻
V
GS
=10V
I
D
= 1.5A
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
-100
10
0
150 C
25 C
10
-1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-50
0
50
100
150
源 - 漏极电压V
SD
(V)
结温辐射牛逼
j
( C)
2007. 9. 10
版本号： 0
3/7
KHB3D0N90P1/F1/F2
- V
DS
3000
2500
西塞
12
Qg- V
GS
栅 - 源电压V
GS
(V)
V
GS
= 0V
频率= 1MHz的
I
D
= 9.0A
V
DS
= 180V
V
DS
= 450V
10
8
电容（pF）
2000
1500
科斯
V
DS
= 720V
6
4
2
0
1000
CRSS
500
0
10
-1
10
0
10
1
0
5
10
15
20
25
30
漏 - 源极电压V
DS
(V)
门 - 电荷Qg （ NC）
安全工作区
(KHB3D0N90P1)
10
2
安全工作区
(KHB3D0N90F1)
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
100s
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
1
漏极电流ID （ A）
10
漏极电流ID （ A）
10
1
100s
1ms
10ms
DC
1ms
10ms
10
0
10
0
100ms
DC
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
-2
单一不重复的脉冲
10
10
-1
TC = 25
C
T
j
= 150
C
单一不重复的脉冲
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2 0
10
10
1
10
2
10
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 源极电压V
DS
(V)
I
D
- T
j
4
漏电流I
D
(A)
3
2
1
0
25
50
75
100
125
150
结温Tj （
C
)
2007. 9. 10
版本号： 0
4/7
KHB3D0N90P1/F1/F2
R
th
{KHB3D0N90P1}
10
0
Duty=0.5
瞬态热阻[C / W]
0.2
10
-1
0.1
0.05
P
DM
t
1
t
2
0.02
1
0.0
罪
GLE
Pu
LSE
- 占空比，D = T
1
/t
2
- R
thJC
=
T
J（下最大）
- T
c
P
D
10
0
10
1
10
-2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
方波脉冲持续时间（秒）
R
th
{KHB3D0N90F1}
瞬态热阻[C / W]
10
0
Duty=0.5
0.2
0.1
0.05
10
-1
0.02
0.01
GLE
罪
Pu
P
DM
t
1
t
2
LSE
10
-2
10
-5
- 占空比，D = T
1
/t
2
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
方波脉冲持续时间（秒）
2007. 9. 10
版本号： 0
5/7
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K4H1G3238E-TCA2
KM6161002B
KTC2316
KM1102A05B
K3720Y1EB1S
KTY82-2
K8D638UBM-DC09
KSR233J
KTD500B685M55A0T00
KM4216V256
K7N803649B
K3420Q1EB1S
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    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    KHB3D0N90P1
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
KHB3D0N90P1
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