【半导体技术参数概述KHB2D0N60P/F/F2N沟道MOS场场效应晶体管KHB2D0N60PAOC】,IC型号KHB2D0N60P,KHB2D0N60P PDF资料,KHB2D0N60P经销商,ic,电子元器件-51电子网

半导体

技术参数

概述

KHB2D0N60P/F/F2

N沟道MOS场

场效应晶体管

KHB2D0N60P

DIM毫米

9.9 + 0.2

这个平面条形MOSFET具有更好的特性，如快速

开关时间，低导通电阻，低栅极电荷和优良

雪崩特性。它主要适用于切换模式

电源供应器。

特点

DSS

= 600V ，我

= 2.0A

漏极 - 源极导通电阻：

DS （ ON）

=5.0

= 10V

QG （典型值）= 10.9nC

15.95 MAX

1.3+0.1/-0.05

0.8 + 0.1

3.6 + 0.2

2.8 + 0.1

3.7

0.5+0.1/-0.05

1.5

13.08 + 0.3

1.46

1.4 + 0.1

1.27 + 0.1

2.54 + 0.2

4.5 + 0.2

2.4 + 0.2

9.2 + 0.2

最大额定值（TC = 25

)

等级

1.门

2.漏

3.源

TO-220AB

特征

符号

KHB2D0N60F单位

KHB2D0N60P

KHB2D0N60F2

600

2.0

2.0*

1.2*

8.0*

120

5.4

5.5

0.18

150

-55 150

V / ns的

KHB2D0N60F

漏源电压

栅源电压

=25

漏电流

=100

脉冲（注1）

单脉冲雪崩能量

（注2 ）

重复性雪崩能量

（注1 ）

峰值二极管恢复的dv / dt

（注3）

耗电

耗散

Tc=25

减额above25

DSS

GSS

1.2

dv / dt的

0.43

英镑

8.0

暗淡

MILLIMETERS

10.16

0.2

15.87

0.2

2.54

0.2

0.8

0.1

3.18

0.1

3.3

0.1

12.57

0.2

0.5

0.1

13.0 MAX

3.23

0.1

1.47 MAX

2.54

0.2

6.68

0.2

4.7

0.2

2.76

0.2

1.门

2.漏

3.源

最高结温

存储温度范围

热特性

TO- 220IS （1）

KHB2D0N60F2

热阻，结到外壳

热电阻，外壳到散热器

热阻，结点到

环境

thJC

乡镇卫生院

thJA

2.32

0.5

62.5

5.5

62.5

暗淡

MILLIMETERS

*：漏电流受最高结温。

引脚连接

10.0

0.3

15.0

0.3

2.70

0.3

0.76+0.09/-0.05

Φ3.2

0.2

3.0

0.3

12.0

0.3

0.5+0.1/-0.05

13.6

0.5

3.7

0.2

1.2+0.25/-0.1

1.5+0.25/-0.1

2.54

0.1

6.8

0.1

4.5

0.2

2.6

0.2

0.5 TYP

1.门

2.漏

3.源

TO-220IS

2007. 5. 10

版本号： 0

1/7

KHB2D0N60P/F/F2

电气特性（ TC = 25

特征

)

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

符号

STATIC

漏源击穿电压

击穿电压温度系数

排水截止电流

栅极阈值电压

栅极漏电流

漏源导通电阻

DSS

/ T

DSS

GSS

DS （ ON）

= 250 A，V

=0V

= 250 A，参考25

=600V, V

=0V,

, I

=250 A

30V, V

=0V

600

2.0

0.65

3.8

4.0

100

5.0

= 10V ，我

=1.0A

动态

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

开启上升时间

打开-O FF延迟时间

关断下降时间

输入电容

反向传输电容

输出电容

源极 - 漏极二极管评级

连续源电流

脉冲源电流

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

＆ LT ; V

= 2.0A ，V

=0V

= 2.0A ，V

=0V,

DIS / DT = 100A / S

300

1.55

8.0

1.5

2.0

D（上）

D（关闭）

国际空间站

RSS

OSS

=25V, V

= 0V ， F = 1.0MHz的

=300V

=150

=25

(Note4,5)

388

6.5

504

8.5

59.4

= 480V ，我

=2.0A

=10V

(Note4,5)

10.9

1.7

5.0

5.5

注1 ） Repetivity的评价：脉冲宽度有限的结温。

注2 ） L = 36.9mH ，我

= 2.0A ，V

= 50V ，R

=25

注3 ）I

2.0A ， di / dt的

300A/

注4 ）脉冲测试：脉冲宽度

300

，起始物为

= 25 .

2%.

, V

DSS

，起始物为

= 25 .

，占空比

注5 ）基本上是独立的工作温度。

2007. 5. 10

版本号： 0

2/7

KHB2D0N60P/F/F2

Fig1 。我

- V

TOP ： 15.0 V

10.0 V

8.0 V

7.0 V

6.0 V

5.5 V

5.0 V

下图： 4.5V

Fig2 。我

- V

漏电流I

(A)

漏电流I

(A)

150

-1

-55

-2

-1

漏 - 源极电压V

(V)

栅 - 源电压V

(V)

Fig3 。 BV

DSS

- TJ

归一化的击穿电压BV

DSS

1.2

图四。

DS （ ON）

- I

ON - 电阻r

DS （ ON）

()

= 0V

= 250

1.1

= 10V

= 20V

1.0

0.9

0.8

-100

-50

100

150

结温Tj （ C）

漏电流I

(A)

Fig5 。我

- V

Fig6 。

DS （ ON）

- TJ

2.5

= 10V

= 2.0A

反向漏电流I

(A)

归一化导通电阻

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

-100

150 C

25 C

-1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

-50

100

150

源 - 漏极电压V

(V)

结温辐射TJ （ C）

2007. 5. 10

版本号： 0

3/7

KHB2D0N60P/F/F2

Fig7 。 - V

700

Fig8 。 QG - V

栅 - 源电压V

(V)

=2.0A

= 120V

= 300V

频率= 1MHz的

600

电容（pF）

500

400

300

200

100

西塞

科斯

= 480V

CRSS

-1

漏 - 源极电压V

(V)

门 - 电荷Qg （ NC）

Fig9 。安全工作区

(KHB2D0N60P)

Fig10 。安全工作区

(KHB2D0N60F,KHB2D0N60F2)

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

操作在此

区由R限于

DS （ ON）

100

漏极电流ID （ A）

100s

漏极电流ID （ A）

10s

100

-1

TC = 25

= 150

单一不重复的脉冲

-1

TC = 25

= 150

单一不重复的脉冲

-2

漏 - 源极电压V

(V)

漏 - 源极电压V

(V)

Fig11 。我

- T

2.0

1.6

1.2

0.8

0.4

0.0

漏电流I

(A)

100

125

150

结温Tj （

)

2007. 5. 10

版本号： 0

4/7

KHB2D0N60P/F/F2

Fig12 。瞬态热响应曲线

归一化瞬态热阻

Duty=0.5

0.2

-1

0.1

0.05

单脉冲

0.02

0.01

- 占空比，D = T

-3

-2

-1

-2

-5

-4

时间（秒）

Fig13 。瞬态热响应曲线

归一化瞬态热阻

Duty=0.5

0.2

-1

0.1

0.05

0.02

0.01

单脉冲

- 占空比，D = T

-3

-2

-1

-2

-5

-4

时间（秒）

2007. 5. 10

版本号： 0

5/7

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